界面電子移動の英語

これにより、炭化珪素層１２とゲート絶縁膜の界面において界面準位密度が低下するため、オフカット方向Ａに垂直な方向よりもオフカット方向Ａのほうが電子移動度が高くなる。例文帳に追加

Since this treatment allows the interface state density at the interface between the silicon carbide layer 12 and the gate insulating film to be lowered, the electron mobility in an off-cut direction A is higher than that in a vertical direction to the off-cut direction A. - 特許庁

すなわち、電界効果トランジスタのＧａＩｎＰチャネルのうち界面近傍のみをディスオーダ化させ、残りのＧａＩｎＰチャネルをオーダリングすることにより、界面キャリアの発生が抑止され、電子移動度が向上する。例文帳に追加

Namely, only a vicinity of the boundary of a GaInP channel in the field-effect transistor is disordered, and the remaining GaInP channel is subject to ordering, thereby preventing the boundary carrier from being produced and improving the electron mobility. - 特許庁

本発明の目的は、電子走行層内のキャリアが、移動度の小さいヘテロ界面近傍に集中し、電子移動度を高くすることができないという問題を解決し、さらに、不純物散乱により移動度が高められないという問題を解決する電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor solving the problem that carriers in an electron transit layer concentrate on the vicinity of a heterointerface of small mobility to make it difficult to increase electron mobility and also solving the problem that the mobility cannot be made high because of impurity scattering. - 特許庁

これにより、電子受容材料とホール輸送材料との酸化還元反応を生じさせて、電子受容層１３ａとホール輸送層１３ｂの間に、電荷移動錯体を含む界面領域１３ｃを生成させる。例文帳に追加

Accordingly, reactions of oxidization and reduction between the electron receiving material and hall transportation material are executed to generate an interface region 13c including a charge transfer complex between the electron receiving layer 13a and the hall transportation layer 13b. - 特許庁

同時に、電子供給層が、ヘテロ界面近傍においてＡｌリッチな組成を有するように形成されることによって、高いシートキャリア濃度と高い電子移動度とが実現されてなる。例文帳に追加

At the same time, the electronic supply layer is formed to have a composition rich in Al in the vicinity of the hetero interface, whereby the high sheet carrier density and the high electronic mobility are obtained. - 特許庁

シリコン表面にＳｉ−Ｃ（炭素）結合を介して構築された分子層構成体であって、１または２以上の４，４′−ビピリジル基を有する電子移動触媒機能部位とともに対アニオンとを備えている界面電子移動触媒分子層構成体とする。例文帳に追加

The molecular layer structure of the interfacial electron transfer catalyst is a molecular layer structure constructed through a conjugation of Si-C (Carbon) on a silicone surface, and provided with a counter anion as well as an electron transfer catalyst function part having one or two or more 4,4' -bipyridyl groups. - 特許庁

界面キャリア層ＳＣＬを構成する電子の移動抑制手段として、ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ１とＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ２の間に電極層ＥＬを設けて電極層ＥＬと界面キャリア層ＳＣＬとの間に容量素子Ｃを形成する手段をとっている。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device adopts, as means for suppressing the movement of electrons making up an interface carrier layer SCL, providing an electrode layer EL between MISFETQ_N1 and MISFETQ_N2 thereby forming a capacitive element C between the electrode layer EL and interface carrier layer SCL. - 特許庁

熱伝導性インサートは、電子モジュール１４が受容部内に挿入されると電子モジュール１４と熱係合するよう配置されたモジュール係合界面５６を有し、電子モジュール１４から回路基板１２に熱を移動させる構造とする。例文帳に追加

The thermally-conductive insert has a module connection interface 56 arranged so as to thermally connect with the electronic module 14 when the electronic module 14 is inserted into the receiving section, and heat is transferred from the electronic module 14 to the circuit board 12. - 特許庁