積書きの英語

半導体集積回路書き換えシステム例文帳に追加

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT REWRITE SYSTEM - 特許庁

半導体集積回路装置及びそのデータ書き込み方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND DATA WRITING METHOD THEREOF - 特許庁

データ書き込み回路、及び集積回路例文帳に追加

DATA WRITING CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

処理登録部６０２は、書き込みデータを要求蓄積フェーズとして遅延書き込みバッファ部６０７に格納し、要求蓄積フェーズの遅延書き込みバッファに空き領域がある場合、当該空き領域にさらに書き込みデータを格納させ、書き込みフェーズの遅延書き込みバッファとする。例文帳に追加

The processing registration part 602 stores the write data in a delay write buffer part 607 as a request storage phase, and in the case that a free area is present in a delay write buffer of the request storage phase, stores the write data further in the free area and attains the delay write buffer of a write phase. - 特許庁

データビットを記憶するメモリーセルを有する集積回路および集積回路において書き込みデータビットをメモリーセルに書き込む方法例文帳に追加

INTEGRATED CIRCUIT HAVING MEMORY CELL STORING DATA BIT AND METHOD FOR WRITING WRITE-IN DATA BIT IN MEMORY CELL IN INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

ただし、すぐに蓄積メディア１０７に対する書き込みは停止せず、バッファ１０６に残っているデータを蓄積メディア１０７に書き込む。例文帳に追加

But, write-in for an accumulation medium 107 is not stopped, data left in the buffer 106 is written in the accumulation medium 107. - 特許庁

スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子例文帳に追加

SWITCHING ELEMENT, REWRITABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT AND MEMORY ELEMENT - 特許庁

スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子例文帳に追加

SWITCHING ELEMENT, REWRITABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT, AND MEMORY ELEMENT - 特許庁