結晶境界の英語

第１単結晶および第２単結晶を具える双結晶の基板上にある超電導配線を、これらの第１単結晶および第２単結晶の境界線を跨って形成する場合、この境界線上でこの超電導配線を流れる電流の臨界電流密度を減少させないようにすること。例文帳に追加

To prevent decrease of critical current density of a current flowing in a superconducting wiring on a boundary line, when the superconducting wiring on a substrate of twin having a first single crystal and a second single crystal is formed bridging the boundary line of the first single crystal and the second single crystal. - 特許庁

そして、単結晶シリコン露出部１１ｂと非単結晶シリコン膜３との境界部にレーザ光線を照射して種結晶を形成し、レーザ光線を移動する境界部に順次照射して、全ての非単結晶シリコン膜３を単結晶シリコン膜２ａに改質する。例文帳に追加

Then, laser beams are applied to the boundary between the single crystal silicon exposure part 11b and the non-single crystal silicon film 3 for forming a seed crystal, and are successively applied to the traveling boundary, thus reforming all non-single crystal silicon films 3 to the single-crystal silicon film 2a. - 特許庁

結晶の縁または結晶ドメイン境界の近傍にＸ線を照射し、結晶の縁または結晶ドメイン境界に対応する位置に透過Ｘ線が検出されるか否かによって結晶の歪みを検出することが好適である。例文帳に追加

The edge of the crystal or the vicinity of a crystal domain boundary is irradiated with X-rays and it is preferable to detect the strain of the crystal depending upon whether the transmitted X-rays are detected at the position corresponding to the edge of the crystal or crystal domain boundary. - 特許庁

各圧電材料の組成比は、結晶系が変化する相境界を構成する組成比である。例文帳に追加

The composition ratio of each piezoelectric material is the composition ratio constituting a phase boundary in which the crystal systems are changed. - 特許庁

単結晶シリコン層３とフィールド酸化膜１３との境界近傍の単結晶シリコン層３に窒素が導入されている。例文帳に追加

Nitrogen is introduced into the single crystal silicon layer 3 near the border of the single crystal silicon layer 3 and the field oxide film 13. - 特許庁

前記第１層と前記第２層との境界面に形成されたヘテロ接合面は、（０００１）結晶面に垂直な結晶面上に位置している。例文帳に追加

A heterojunction surface formed on the boundary surface between the first layer and second layer is disposed on a crystal surface perpendicular to a (0001) crystal surface. - 特許庁

第１層と第２層との境界に形成されたヘテロ接合面は、（０００１）結晶面に垂直な結晶面上に位置している。例文帳に追加

The hetero-junction surface, formed on a boundary between the first layer and the second layer, is positioned on a crystalline plane orthogonal to a (0001) crystalline plane. - 特許庁

境界領域１１は、主表面に沿った方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、内部に結晶粒界を有する。例文帳に追加

The boundary region 11 is contiguous to the SiC single crystal substrate 1 in the direction along the principal face, and has a grain boundary internally. - 特許庁