膜応力構造の英語

かかる応力により相転移膜（８）は結晶構造が相転移するため、体積変化が生じる。例文帳に追加

Since phase transition of crystal structure takes place in the phase transition film 8 by such a stress, variation of volume takes place. - 特許庁

機械的応力が制御された弱い引張応力を持ち、かつ、導通化された薄膜構造体を形成するための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a thin film structure having weak tensile stress controlled in mechanical stress and making an electrical continuity. - 特許庁

特に、犠牲膜１３は、膜応力が保護膜１４より小さく、構造体１５が可動部を有する場合、該可動部の機械強度よりも弱い。例文帳に追加

Especially, the sacrificing film 13 is smaller in mechanical strength than a movable part when the structure 15 includes the movable part because the film stress is smaller than that of the protective film 14. - 特許庁

柱状構造膜２０は、成膜中及び／又は成膜後のヘテロエピタキシャル膜４０にかかる応力を緩和する応力緩和層として機能することができる。例文帳に追加

The columnar structure film 20 can be functioned as a stress relieving layer relieving stress on the heteroepitaxial film 40 during depositing and/or after depositing. - 特許庁

保護膜３２は、第１の保護膜３２ａとして成膜され、圧縮応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＮ膜と、第２の保護膜３２ｂとして成膜され、引っ張り応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＯ_2 膜との２層の積層構造として形成されている。例文帳に追加

The protective film 32 has an SiN film of 20 nm thick for generating a compressive stress as a first protective film 32a and an SiO2 film of 20 nm thick for generating a tensile stress as a second protective film 32b in the form of a two-layer laminate structure. - 特許庁

制御された結晶構造を用いた、ドーパント及び多層シリコン膜の使用による多結晶シリコン膜及び周囲層の応力の調節例文帳に追加

DOPANT USING CONTROLLED CRYSTAL STRUCTURE, POLYCRYSTALLINE SILICON FILM USING MULTI-LAYER SILICON FILM, AND ADJUSTMENT OF STRESS OF AMBIENT LAYER - 特許庁

粒子衝突による損傷から保護し、かつ低応力な保護膜を形成した保護膜付きマイクロシステム構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a micro-system structure with protective film, protecting from damage due to collision of particles and having a low-stress protective film. - 特許庁

本発明のアクチュエータ（１３）は、膜内部に生じた応力に起因して結晶構造が相転移し、歪みを生じる相転移膜（８）と、逆圧電効果により圧電歪みを生じ、相転移膜（８）に応力を与える圧電体膜（７）との積層構造を有する。例文帳に追加

The actuator 13 has a multiplayer structure of a phase transition film 8 in which a strain is induced through phase transition of crystal structure caused by a stress generated in the film, and a piezoelectric film 7 generating a piezoelectric strain through reverse piezoelectric effect and applying a stress to the phase transition film 8. - 特許庁