膜応力状態の英語

溶剤の揮発を伴い、高温での焼成を必要とするフィルム製膜プロセスにおいて、製膜過程での応力状態、歪み、配向状態を予測するための有限要素解析法を提供する。例文帳に追加

To provide a finite element analysis method for predicting a stress state, distortion or orientation state during the course of a film forming process which needs baking at high temperature with volatilization of a solvent. - 特許庁

そして、この状態でせん断を与える応力を除いて応力緩和状態にしたときに、ｔａｎδが１に変化するまでの時間が３分以上で、且つｔａｎδが２に変化するまでの時間が１０分以下である粘弾性特性を有するペーストを、本発明の厚膜形成用ペーストとして用いる。例文帳に追加

The paste is used as the paste for forming a thick film. - 特許庁

特に応力などの影響によってバルク状態よりも結晶状態の把握が困難な薄膜セラミックスの結晶状態を、上記の方法より簡便にかつ短時間で、しかも高精度に判定できる、セラミックスの結晶構造判定装置、および結晶構造判定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a device and method for determining a crystal structure of ceramics capable of determining a crystal state of thin film ceramics of which crystal state is more difficult to be obtained than a bulk state especially with an influence such as stress, more easily, in a shorter time, and with a higher accuracy than by a conventional method. - 特許庁

金属薄膜１１８が成膜されない状態ではミラー基板は上に凸に湾曲するが、金属薄膜１１８を成膜した後は、その圧縮応力によりミラー基板は湾曲が抑えられ平坦になる。例文帳に追加

While the metal thin film 118 is not formed, the mirror substrate curves convexly, but after the metal thin film 18 is formed, the curvature of the mirror substrate is suppressed with its compressive stress and the mirror substrate becomes flat. - 特許庁

Ｍｏ薄膜１２とＳｉ薄膜１３の交互多層膜からなる多層膜反射鏡において、Ｍｏ薄膜１２に重元素を添加することによって非晶質状態で成膜し、その非晶質薄膜にイオンビームを照射することで、Ｍｏ薄膜１２の引張応力を強化する。例文帳に追加

In a multilayer film reflection mirror comprising alternate multilayer films of Mo thin films 12 and Si thin films 13, the Mo thin films 12 are formed in am amorphous state by adding heavy elements to them and the tensile stress of the Mo thin films 12 is strengthened by irradiating the amorphous thin films with an ion beam. - 特許庁

この成膜が完了した状態では、多層光学薄膜２の圧縮応力のために、基板１と多層光学薄膜２は、図の下側に凸となるような形状を有する。例文帳に追加

In a state where this film formation is completed, the substrate 1 and the optical multilayered thin film 2 have a projected shape downward in a drawing because of compressive stress of the optical multilayered thin film 2. - 特許庁

厚膜層の形成後に面内方向に作用する引張応力を、あらかじめ緩和させた状態の厚膜層を形成することができるので、厚膜層におけるクラックの発生を抑制することができる。例文帳に追加

Since the thick film layer in such a state that the tensile stress acting in an inplane direction is previously reduced after the thick film layer is formed can be formed, the generation of cracks in the thick film layer can be suppressed. - 特許庁

マスク酸化膜４を残した状態で側壁酸化膜６を形成することで、分離溝５の底部の形状は良好に維持され、側壁酸化膜形成時に半導体支持基板１に加わる応力を低減できる。例文帳に追加

Thus, since the side-wall oxide film 6 is formed in a state such that the mask oxide film 4 is left, the shape of a bottom of the split groove 5 can be kept appropriate, and a stress applied to a semiconductor supporting substrate 1 during formation of the side-wall oxide film can be reduced as well. - 特許庁