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表面再結合速度の英語
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英訳・英語 surface recombination velocity
「表面再結合速度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING SURFACE CARRIER RECOMBINATION SPEED - 特許庁
励起条件による導電率変化の違いを利用し、表面再結合速度、界面の再結合速度とバルクライフタイムを分離測定する。例文帳に追加
By utilizing difference in conductivity changes under an excitation condition, a surface re-connection speed and re-connection speed at an interface are separately measured from a bulk life time. - 特許庁
また、ＧａＮから形成されたＰＸＬＥＤは、表面再結合速度が低く、従って効率が高い。例文帳に追加
Also, PXLEDs formed from GaN have a low surface recombination velocity and hence a high efficiency. - 特許庁
すなわち、突起２４が設けられることによって表面１４の表面積が増大されている場合にはイオン化速度が高められ、裏面１６の表面積が増大されている場合には再結合速度が高められる。例文帳に追加
That is, an ionization velocity is increased in the case that the surface area of the surface 14 is increased by providing the projections 24 and a recombination velocity is increased in the case that the surface area of the back surface 16 is increased. - 特許庁
比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method and an apparatus for measuring surface carrier recombination speed capable of obtaining surface Fermi level even from FK oscillation influenced by probe light having relatively large intensity and at the same time capable of determining surface recombination speed. - 特許庁
色素増感型太陽電池の酸化物半導体表面での電荷再結合速度を低下させ、色素増感型太陽電池の効率を向上させる。例文帳に追加
To provide a dye-sensitized solar cell in which charge recombination speed on the oxide semiconductor surface of the solar cell is decreased and efficiency is improved. - 特許庁
半導体ウェーハの表面再結合速度とバルクライフタイムをウェーハに何らの処理を施すことなく非接触、非破壊で分離測定できる装置を提供する。例文帳に追加
To provide a device for separate measurement, in non-contact and non-destructive manner, of the surface re-connection speed of a semiconductor wafer and bulk life time, with no process on the wafer. - 特許庁
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「表面再結合速度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
光電変換素子である薄膜太陽電池で、受光面と反対側の半導体表面におけるキャリアの表面再結合速度は大きく、これが、開放電圧低下の一因となっていたので、その受光面と反対の面の半導体表面を不活性化してその影響を取り除き、太陽電池の効率を向上させることを目的にする。例文帳に追加
To enhance the efficiency of a photoelectric element, i.e., a thin film solar cell, having a high surface recombination rate of carriers on the surface of a semiconductor opposite to the light receiving face causing open voltage drop by inactivating the surface of the semiconductor opposite to the light receiving face thereby eliminating the influence thereof. - 特許庁
接触領域の面積を低減することにより、半導体基板と受光面電極の間の界面におけるキャリア再結合速度を小さくし、Ｖｏｃを向上させ、半導体基板上の受光面電極面積を低減することにより、受光面電極表面での反射損失を少なくして発電層にできるだけ多くの光を吸収させる。例文帳に追加
To enhance Voc by reducing the area of a contact region thereby reducing carrier recombination rate at the interface between a semiconductor substrate and a light receiving surface electrode, and to make a power generation layer absorb as much light as possible by reducing the area of the light receiving surface electrode on the semiconductor substrate thereby reducing reflection loss on the surface of the light receiving surface electrode. - 特許庁
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surface recombination velocity
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