表面窒化プロセスの英語

溶融塩電気化学プロセスを用いた鋼材の表面窒化処理方法において、電解浴に低融点のアルカリハライドを使用し、好ましくは４１５℃以下、より好ましくは３１５℃以下の低温領域での窒化処理を可能化することにより、鋼材表面の硬度アップ、耐磨耗性向上等を実現しながら、耐食性に優れた窒化物層を形成することができる鋼材の表面窒化処理方法を提供する。例文帳に追加

The surface nitriding treatment method of the steel material using the molten salt electrochemical process is provided by which a nitride layer materializing increased hardness and wear resistance of the steel material surface and having excellent corrosion resistance is formed by using a low melting point alkali halide for an electrolytic bath and enabling nitridation to be performed at a low temperature region of preferably ≤415°C, more preferably ≤315°C. - 特許庁

一度に複数枚の被処理体Ｗを収容できる処理容器８内にて、表面に少なくとも窒化膜が露出している被処理体の表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて水酸基活性種と酸素活性種とを主体として用いると共に、プロセス圧力を１３３Ｐａ以下に設定し、且つプロセス温度を４００℃以上に設定して前記酸化を行なう。例文帳に追加

In the oxidation method whereby the surface of the workpieces W, on which at least the nitride film is exposed, is oxidized in a processing vessel 8 accommodating a plurality of the workpieces W concurrently, the nitride film is oxidized by mainly using hydroxyl active species and oxygen active species in a vacuum atmosphere under a process pressure of 133 Pa or below at a process temperature of 400°C. - 特許庁

半導体処理チャンバーにおいて、望まれていない窒化ケイ素が推積した装置表面を、熱的に活性化した、予備希釈したフッ素源を用いてクリーニングするサーマルプロセス。例文帳に追加

A thermal process for cleaning equipment surfaces having deposition of undesired silicon nitride in a semiconductor processing chamber by using a thermally activated source of pre-diluted fluorine is provided. - 特許庁

半導体製造プロセス装置に用いられるシリコン部材であって，シリコン製の本体と、この本体の表面を覆う高純度の珪素窒化物とを備えていることを特徴とする。例文帳に追加

The silicon member used for the semiconductor manufacturing process device is provided with a main body made of silicon and a high-purity silicon nitride covering the surface of the main body. - 特許庁

熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）を最表面層とする試料台に半導体基板を保持して該半導体基板にプロセス処理を行ったときに、該半導体基板の裏面に付着したＢＮ薄片を効果的に除去する。例文帳に追加

To effectively remove a BN thin piece attaching to a rear face of a semiconductor substrate when the semiconductor substrate is subjected to process treatment while holding the semiconductor substrate in a sample base whose outermost surface layer is pyrolytic boron nitride (PBN). - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体発光素子の製造プロセスにおいて、ｐ型電極を形成する工程におけるコンタクト層表面への誘電体膜の被覆回数を０回とする製造プロセスを採用することにより、ｐ型電極の電気特性を低抵抗化することができる。例文帳に追加

In this manufacturing process of a semiconductor light-emitting element made of a III nitride semiconductor, a manufacturing process is adopted which makes null the number of times of covering a contact layer surface with dielectric films in a step of forming a p-type electrode, and thereby the electrical characteristics of the p-type electrode can be made to have a lower resistance. - 特許庁

９００℃〜１０５０℃の成長温度で窒化物系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させる際に、成長温度までの昇温プロセスにおいて表面粗さが１０ｎｍを超えて劣化しないエピタキシャル成長用基板を用いる。例文帳に追加

A substrate for epitaxial growth is used, the substrate not degrading by roughening over a surface roughness of 10 nm during a temperature-rise process up to a growth temperature when a nitride-based compound semiconductor layer is directly epitaxially grown at a growth temperature of 900°C to 1,050°C. - 特許庁

窒化物半導体結晶から裏面研削、外周研削（チャンファー）、表面研削・研磨してミラーウエハーとする際に、反りが少なく、クラックが発生せず、基板作製プロセス歩留まりが高く、デバイス面内歩留まりが高い加工方法を提案する。例文帳に追加

To provide a method for machining a nitride semiconductor wafer which causes no significant warpage and cracking when a nitride semiconductor crystal is subjected to back grinding, outer periphery grinding (chamfer), and surface grinding/polishing to manufacture a mirror wafer, and can obtain a high substrate production yield and a high device in-plane yield. - 特許庁