誘起エッチングの英語

誘起構造部とプラスチック材料における誘起構造部以外の部位とのうちいずれか一方の部位を選択的に、外部からのエッチング作用により除去してもよい。例文帳に追加

Either one of the inducing structure part and the part other than the inducing structure part in the plastic material may be selectively removed by etching action from the outside. - 特許庁

基板を反応室内へ搬入し、材料ガスを反応室へ供給し、供給された材料ガスに紫外光を照射し、誘起されたガスで基板を処理し、その後基板を搬出する第一のステップと、第一のステップの後、反応室内にエッチングガスを供給し、供給されたエッチングガスに紫外光を照射する第二のステップを有する基板処理方法。例文帳に追加

A substrate processing method includes: a first step of carrying a substrate into a reaction chamber, supplying a material gas into the reaction chamber, irradiating the supplied material gas with the ultraviolet light, processing the substrate with an induced gas, and then carrying the substrate out; and a second step of supplying an etching gas into the reaction chamber after the first step and irradiating the supplied etching gas with the ultraviolet light. - 特許庁

誘起されたトポグラフィおよび導波路効果を減少させるための位相シフト・マスクおよびプレーナ位相シフト・マスク用の埋め込み型エッチング停止部例文帳に追加

EMBEDDED ETCH STOP FOR PHASE SHIFT MASK AND PLANAR PHASE SHIFT MASK TO REDUCE TOPOGRAPHY INDUCED AND WAVEGUIDE EFFECT - 特許庁

誘電体膜を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝した後に発生する突起状変質物、下地膜の凹凸及び下地膜の段差を抑制することができる半導体装置の製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress protuberant deteriorated matter which occurs after exposing a dielectric film to the plasma of gas for etching including chlorine and the irregularity of a base film or the difference in level of the base film. - 特許庁

加えて、高周波アンテナ３０に１００Ｗ〜６００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可してエッチングガスを用いたプラズマを誘起する。例文帳に追加

In addition, high-frequency power of 13.56 MHz is applied to a high-frequency antenna 30 in the range of 100-600 W to induce plasma using the etching gas. - 特許庁

異方性エッチングを行う際、Ｓｉ基板１の裏面に、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）をＯＳＦ密度２×１０^4個／ｃｍ^2以上、かつＯＳＦ長さを２μｍ以上で存在させておく。例文帳に追加

When the anisotropic etching is applied, OSF (oxidation-induced stacking faults) of OSF density 2×10^4 pieces/cm^2 or more and the OSF length 2 μm or more is made to exist on the rear surface of the Si substrate 1. - 特許庁

ポリイミド溶液若しくはポリミック酸溶液を用いて溶媒置換誘起相分離法若しくは熱誘起相分離法により得られるポリイミド多孔質体をドライエッチング処理することを特徴とするポリイミド多孔質体の通気速度向上方法に関する。例文帳に追加

This method for manufacturing such a porous polyimide body, related to the method for improving an air permeation rate, as is obtained by use of a polyimide solution or a polymic acid solution and by means of a solvent substitution induced-phase separation method or a thermally induced-phase separation method, is characterized by dry-etching treatment. - 特許庁

シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of recovering dielectric constant increase caused by damage of dry etching, and of preventing increase of a dielectric constant due to storage in the atmosphere, in relation to a manufacturing method of a semiconductor device using a silica-based insulating layer. - 特許庁