部間成長の英語

毛球部活性化剤および毛髪成長期間延長剤のスクリーニング方法例文帳に追加

SCREENING METHOD FOR HAIR BULB ACTIVATING AGENT OR HAIR GROWTH PERIOD EXTENDING AGENT - 特許庁

原料が収容された石英容器をソース充填部１２が成長部より常に高温となるように、ソース充填部１２を９００℃、成長部１３を８５０℃に設定し、１００時間の熱処理を行なうことにより、β−ＦｅＳｉ_2を成長させた。例文帳に追加

The quartz vessel in which the raw materials are housed is heat treated for 100 hours by setting a source packed section 12 at 900°C and a growth section 13 at 850°C in such a manner that the source packed section 12 attains the temperature higher than the temperature of the growth section at all times, by which β-FeSi2 is grown. - 特許庁

マスク層３間のストライプ状の開口部から縦方向選択成長部７１が形成され、さらにこの縦方向選択成長部７１からの横方向選択エピタキシャル成長によってストライプ形状のＧａＮ系化合物半導体層７２が形成される。例文帳に追加

A longitudinal direction selective growth 71 is formed from a stripe-like opening between the mask layers 3, and a GaN based compound semiconductor layer 72 in a stripe shape is formed by lateral direction selective epitaxial growth from the longitudinal direction selective growth 71. - 特許庁

笠部１６とＣｏ粒子１３との間に隙間が生じると、この隙間に原料が供給されることとなり、Ｃｏ粒子１３を起点として繊維状のカーボンナノチューブ１７の束が根元成長様式で成長し、Ｃｏ粒子１５を起点として繊維状のカーボンナノチューブ１７の束が先端成長様式で成長する。例文帳に追加

A material is supplied to the clearance between the shade portion 16 and the Co particle 13, a bundle of fibrous carbon nanotubes 17 grows in root growth pattern starting from the Co particle 13, and a bundle of fibrous carbon nanotubes 17 grows in tip growth pattern starting from the Co particle 15. - 特許庁

続いて２度目の酸化物層を全面に成長させることにより、最大厚部２２は更に厚く、イオン注入領域１８上は成長が進まず最小厚部２４となり、他は中間厚部２６となる。例文帳に追加

In succession, a second oxide layer is grown on all the surface, by which the thickest oxide layer 22 gets thicker, the oxide layer scarcely grows on the ion-implanted region 18 to become a thinnest part 24, and the other part becomes a part 26 of intermediate thickness. - 特許庁

このとき、供給された原料ガスが結晶成長容器７とヒータ部材６との間を通過しないように、結晶成長容器７の一部１４をヒータ部材６の内壁に接触させておく。例文帳に追加

At this time, a portion 14 of the crystal growth vessel 7 is brought into contact with the inner wall of the heater member 6 so that a supplied raw material gas can not pass through between the crystal growth vessel 7 and the heater member 6. - 特許庁

ワークコイルカバー２１とシール部２７とによって、半導体ウエハ１６にエピタキシャル成長を行う成長処理空間１１とワークコイル２０を設置したワークコイル設置空間１２とを密閉する。例文帳に追加

A growth treating space 11 for performing an epitaxial growth on the wafers 16 and a work coil installation space 12 installed with the coils 20 are sealed with the cover 21 and the sealing part 27. - 特許庁

格子状のマスク２により成長領域Ｄを区分したエピタキシャル成長において、隣接する成長領域Ｄのエッジ部分との間、マスク２の帯の中央部にIII族窒化物系化合物半導体の消費領域Ｃが形成されているので、成長領域Ｄのエッジ部分に不必要にIII族及びV族の原料が供給されることが無い。例文帳に追加

In the epitaxial growth dividing a growing region D with a lattice-like mask 2, a consumption region C of a group III nitride compound semiconductor is formed in the central part of a band of the mask 2 between the edge parts of the adjacent growing regions D so that group III and group V raw materials are not unnecessarily supplied to the edge part of the growing region D. - 特許庁