「部間成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

スリット状の開口部23を有し、開口部23を結晶成長時に基体21の結晶成長面内で移動可能とした遮蔽板24を、結晶成長用原料供給部25と基体2１との間に配置したことを特徴とする。例文帳に追加

A shielding plate 24 which has a slit-like opening part 23 capable of being moved within a crystal growing surface of a substrate 21 when the crystal is grown is provided between the substrate 21 and a supplying part 25 for supplying a raw material for growing the crystal. - 特許庁

針状ウィスカがシート１内部に侵入し、時間の経過に伴いシート１の内部で成長する。例文帳に追加

A needle whisker enters a sheet 1, and is grown inside the sheet 1 with a lapse of time. - 特許庁

毛球部活性化剤および毛髪成長期間延長剤のスクリーニング方法例文帳に追加

SCREENING METHOD FOR HAIR BULB ACTIVATING AGENT OR HAIR GROWTH PERIOD EXTENDING AGENT - 特許庁

原料が収容された石英容器をソース充填部１２が成長部より常に高温となるように、ソース充填部１２を９００℃、成長部１３を８５０℃に設定し、１００時間の熱処理を行なうことにより、β−ＦｅＳｉ_2を成長させた。例文帳に追加

The quartz vessel in which the raw materials are housed is heat treated for 100 hours by setting a source packed section 12 at 900°C and a growth section 13 at 850°C in such a manner that the source packed section 12 attains the temperature higher than the temperature of the growth section at all times, by which β-FeSi2 is grown. - 特許庁

マスク層３間のストライプ状の開口部から縦方向選択成長部７１が形成され、さらにこの縦方向選択成長部７１からの横方向選択エピタキシャル成長によってストライプ形状のＧａＮ系化合物半導体層７２が形成される。例文帳に追加

A longitudinal direction selective growth 71 is formed from a stripe-like opening between the mask layers 3, and a GaN based compound semiconductor layer 72 in a stripe shape is formed by lateral direction selective epitaxial growth from the longitudinal direction selective growth 71. - 特許庁

笠部１６とＣｏ粒子１３との間に隙間が生じると、この隙間に原料が供給されることとなり、Ｃｏ粒子１３を起点として繊維状のカーボンナノチューブ１７の束が根元成長様式で成長し、Ｃｏ粒子１５を起点として繊維状のカーボンナノチューブ１７の束が先端成長様式で成長する。例文帳に追加

A material is supplied to the clearance between the shade portion 16 and the Co particle 13, a bundle of fibrous carbon nanotubes 17 grows in root growth pattern starting from the Co particle 13, and a bundle of fibrous carbon nanotubes 17 grows in tip growth pattern starting from the Co particle 15. - 特許庁

続いて２度目の酸化物層を全面に成長させることにより、最大厚部２２は更に厚く、イオン注入領域１８上は成長が進まず最小厚部２４となり、他は中間厚部２６となる。例文帳に追加

In succession, a second oxide layer is grown on all the surface, by which the thickest oxide layer 22 gets thicker, the oxide layer scarcely grows on the ion-implanted region 18 to become a thinnest part 24, and the other part becomes a part 26 of intermediate thickness. - 特許庁

このとき、供給された原料ガスが結晶成長容器７とヒータ部材６との間を通過しないように、結晶成長容器７の一部１４をヒータ部材６の内壁に接触させておく。例文帳に追加

At this time, a portion 14 of the crystal growth vessel 7 is brought into contact with the inner wall of the heater member 6 so that a supplied raw material gas can not pass through between the crystal growth vessel 7 and the heater member 6. - 特許庁

ワークコイルカバー２１とシール部２７とによって、半導体ウエハ１６にエピタキシャル成長を行う成長処理空間１１とワークコイル２０を設置したワークコイル設置空間１２とを密閉する。例文帳に追加

A growth treating space 11 for performing an epitaxial growth on the wafers 16 and a work coil installation space 12 installed with the coils 20 are sealed with the cover 21 and the sealing part 27. - 特許庁

格子状のマスク２により成長領域Ｄを区分したエピタキシャル成長において、隣接する成長領域Ｄのエッジ部分との間、マスク２の帯の中央部にIII族窒化物系化合物半導体の消費領域Ｃが形成されているので、成長領域Ｄのエッジ部分に不必要にIII族及びV族の原料が供給されることが無い。例文帳に追加

In the epitaxial growth dividing a growing region D with a lattice-like mask 2, a consumption region C of a group III nitride compound semiconductor is formed in the central part of a band of the mask 2 between the edge parts of the adjacent growing regions D so that group III and group V raw materials are not unnecessarily supplied to the edge part of the growing region D. - 特許庁

または、酸化物成長ステップの間、酸化物が、トレンチ壁よりもトレンチ底部で早く、かつ、薄く成長できるように、トレンチ底部がアモルファス化され、トレンチ壁が単結晶シリコンとして残される。例文帳に追加

In another embodiment, the bottom of the trench is grown amosphous and the walls of the trench are left as singly-crystal silicon so that the oxide may be grown much faster and thicker on the bottom than on the walls during an oxide growth step. - 特許庁

成長過程のパイナップルとその頂頭葉との間の首部にリングを嵌挿しておき、その後のパイナップルと頂頭葉の成長によって、リングが首部から離脱不能な状態にする。例文帳に追加

The ring is fitted to a neck part between a pineapple being in process of growth and its top leaves, so that the ring cannot be detached from the neck part because of following growth of the pineapple and top leaves. - 特許庁

ＧａＮよりなる下層部１３ａを成長させ、成長温度（１０２０℃）は保持しつつＧａの原料ガスの供給を３分間停止して下層部１３ａの表面をエッチングする。例文帳に追加

An lower layer portion 13a consisting of GaN is grown, a growing temperature (1,020°C) is being kept, supply of material gas of Ga is stopped for 3 minutes, and the surface of the lower layer portion 13a is etched. - 特許庁

気相成長炭素繊維が、１〜３００分間振動ミル解砕されたことが好ましく、気相成長炭素繊維の含有量が、ゴム成分１００質量部に対して、１〜３０質量部であることが好ましい。例文帳に追加

The vapor-grown carbon fibers are preferably crushed in the vibration mill for 1-300 minutes, and the content of the vapor-grown carbon fibers is preferably 1-30 pts.mass based on 100 pts.mass of the rubber component. - 特許庁

成長用基板の上に半導体膜２０を形成し、半導体膜２０に成長用基板に達する素子分割溝を形成し、素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜２０の側面を部分的に覆い且つ成長用基板から離間している保護膜５０を形成する。例文帳に追加

A method for manufacturing a light-emitting device includes: forming a semiconductor film 20 on a substrate for growth, forming element separation grooves reaching the substrate for growth on the semiconductor film 20; and also forming a protective film 50 partially covering the side surface of the semiconductor film 20 exposed by forming the element separation grooves and being apart from the substrate for growth. - 特許庁

このように配置すれば、その角度に応じて種結晶４の上に成長する炭化珪素単結晶６の成長面も傾斜するため、炭化珪素単結晶６の成長面（凹面）の凹部から下流側までの間においても、炭化珪素原料ガスの流れが円滑に行われる傾斜とすることができる。例文帳に追加

By this disposition, the growth face of the silicon carbide single crystal 6 is inclined according to the angle and the smooth flow of the silicon carbide reaction gas can be secured even in the range from the concave part of the growing face (having a concave face) to the down stream side of the silicon carbide single crystal 6. - 特許庁

成長用容器（１，２）内における種結晶支持部４の周囲に、周囲部材６が、種結晶支持部４とは離間した状態で配置されている。例文帳に追加

In the vessel for growing (1,2), around a seed crystal support part 4, a surrounding member 6 which is located separatedly from the seed crystal support part 4 is arranged. - 特許庁

貧困削減のためには、経済成長の基礎となるインフラの整備を含む投資環境の整を進め、民間部門主導の経済成長を支援することが必要です。例文帳に追加

To reduce poverty, private sector-led economic growth is essential, supported by improvements in investment climate, including development of infrastructure.  - 財務省

第１の基板は、その上部表面上にストライプ状の成長防止パターンを有し、また成長防止パターン間に側壁がｃ面であるリセス領域を有する。例文帳に追加

The first substrate comprises stripe-shaped anti-growth patterns on the upper surface of the substrate, and recess regions having sidewalls of a c-plane between the anti-growth patterns. - 特許庁

該組成物は、骨成長の促進にとって十分な時間にわたって、所望の骨成長の関節内部位において残存するために十分な粘性及び生分解性を有するものである。例文帳に追加

The composition has a viscosity and biodegradability sufficient to persist at an intra-articular site of desired bone growth for a period of time sufficient to promote the bone growth. - 特許庁

シャワープレートにカバープレートを設ける場合に、隙間部分における反応生成物の生成によるシャワープレートとカバープレートとの固着を防止し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition apparatus which can prevent fixing of a cover plate with a shower plate from occurring due to a reaction product produced in a gap part, when the cover plate is provided on the shower plate, and to provide a vapor deposition method therefor. - 特許庁

基板に成長した薄膜と反り防止部材上に成長した薄膜とがつながっても、両者の間に電流が流れることのない成膜装置を実現する。例文帳に追加

To provide a film-forming apparatus which does not make an electric current flow between a thin film having grown on a substrate and a thin film having grown on a camber prevention member even when the thin films are joined. - 特許庁

結晶成長方向に隣接する単結晶同士（結晶粒１１０、１１０）の一部は、層間を跨いでａ軸が一致しｃ軸が一致するようにエピタキシャル成長されて形成されている。例文帳に追加

A part of the monocrystals (crystal gains 110, 110) adjacent to each other in the crystal growth direction is formed by epitaxial growth such that the a-axis and the c-axis agree, straddling an interlayer portion. - 特許庁

ほとんどの維管束植物における、二次成長に関わる木質部と篩部の間の組織の単一細胞の形成層例文帳に追加

a formative one-cell layer of tissue between xylem and phloem in most vascular plants that is responsible for secondary growth  - 日本語WordNet

圧力制御部１３０、１４０は、気体供給部１０１と結晶成長室１１０との間、および、結晶成長室１１０および気体排出部１２０との間の少なくとも一方に接続され、かつ結晶成長室１１０と、気体供給部１０１および気体排出部１２０の少なくとも一方とにそれぞれ開放されることで断続的に圧力が変化する。例文帳に追加

The pressure control sections 130 and 140 are connected to at least one of a part between the gas supply section 101 and crystal growth chamber 110 and a part between the crystal growth chamber 110 and gas exhausting section 120, and are opened to at least one of the crystal growth chamber 110 and the gas supply section 101 and gas exhausting section 120, thereby changing the pressure intermittently. - 特許庁

多数の突起部を有する下地基板上に III族窒化物系化合物より成る基板層（所望の半導体結晶）を成長させた場合、突起部の大きさや配置間隔や結晶成長諸条件等によっては、各突起部間に半導体結晶が積層されていない空洞が形成される。例文帳に追加

When a substrate layer (a desired semiconductor crystal) of a group III nitride-based compound is grown on a ground substrate having a plurality of projection parts, cavities where no semiconductor crystal is deposited are formed at each of spaces between the projected parts, depending on the size of each projected part, the distance between the projected parts, crystal growth conditions, or the like. - 特許庁

そのためには、成長を続けるアジアの民間部門に対して、その必要とする長期の資金が安定的に確保されることが、極めて重要となります。例文帳に追加

To that effect, it is extremely important to provide Asia's growing private sector with stable supplies of long-term capital. - 財務省

我々は、ミレニアム開発目標を達成するよう、途上国における民間部門主導の成長を促進する必要があることを再確認。例文帳に追加

We reiterated the need to foster private-sector led growth in developing countries in order to achieve the MDGs.  - 財務省

下部電極を構成するシリコン膜の表面にシリコン結晶粒を成長させる熱処理の温度及び時間のマージンを拡大する。例文帳に追加

To enlarge temperature and time margins for heat treatment, which is performed for growing silicon crystal grains on the surface of a silicon film constituting a lower electrode. - 特許庁

これにより、高融点金属層部分１４ａの対向面間に成長する前記化合物層１７が相互に連続することが、防止される。例文帳に追加

This can prevent the compound layers 17 growing between the opposite faces of the high-fusing point metallic sections 14a from continuing to each other. - 特許庁

ステントに係わる主な問題は、該ステントの間隙を通しての腫瘍または炎症性物質の内部成長を、該ステントは阻止しないことにある。例文帳に追加

The method for expanding the inner cavity of a body fluid passage contains a step to insert a stent into the passage for expanding the passage. - 特許庁

次いで、成長室４００の上部にて、基板９００を任意時間ＴＭＡに晒してＡｌを堆積させる。例文帳に追加

Then Al is caused to deposit on the substrate 900 by moving the substrate 900 to a position above a third deposition chamber 400 and exposing the substrate 900 to TMA for an arbitrary period of time. - 特許庁

その後、基板９００を成長室２００の上部に移動し、基板９００表面を任意時間ＮＨ_3に晒す。例文帳に追加

Then the substrate 900 is moved to a position above another deposition chamber 200 and exposed to NH_3 for an arbitrary period of time. - 特許庁

この方法では、ＶＬＳ成長によって凹部２２に導電材を埋め込むため、短時間で導電材を埋め込むことができる。例文帳に追加

By this method, the conductive material is implanted in the concavity part 22 by VLS growth, so the conductive material can be implanted in a short time. - 特許庁

耐酸化性、耐プラズマ性、耐蝕性等に優れ、長期間安定に使用することのできる気相成長装置用部材を提供する。例文帳に追加

To provide a member for a vapor phase growth apparatus which is excellent in oxidation resistance, plasma resistance, corrosion resistance, etc., and is usable stably for a long period of time. - 特許庁

カーボンナノチューブなどの成長部をより微細な間隔で規則正しく配列させることができる微細構造体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a fine structure capable of regularly arranging growth sections such as carbon nano-tubes in a finer interval. - 特許庁

上記発光部よりも上にＡlＧaＩnＰ系半導体からなるp型中間層１５、p型電流拡散層１６を順次成長させる。例文帳に追加

On the light emitting section, a p-type intermediate layer 15 composed of an AlGaInP-based semiconductor and a p-type current diffusing layer 16 are successively grown. - 特許庁

これにより、粉末原料４の下層部で生じた昇華ガスを孔付パイプ１０を経由させて成長空間領域５に供給する。例文帳に追加

Whereby, the sublimated gas generated at the bottom part of the powdered raw material 4 is supplied via the porous pipes 10 to the space area 5 in which the single crystal grows. - 特許庁

同時に、リストラを行う前にまず、企業内あるいは企業間で成長している部門に余剰人員を振り向けてもらいたい。例文帳に追加

I also hope companies will shift extra workers to expanding departments within or outside the company, before making a decision on restructuring. - 厚生労働省

まず、中国の地域間の格差について、省別の一人当たりGDP の推移を見ると、上海をはじめ東部（沿海部）が外資導入による輸出主導で高い経済成長を遂げる中で、中部・西部（内陸部）は相対的に成長が遅れた。例文帳に追加

Firstly, as for disparities among regions in China, the transition of per-capita GDP by province shows that the eastern area (coastal area) including Shanghai has achieved high economic growth driven by export due to foreign capital inflows, while the central and western areas (inland areas) have experienced relatively delayed economic growth. - 経済産業省

Ｉ−リッチ領域に入る引上げ成長条件でシリコン単結晶を引き上げ成長させるに際して、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位で、格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しないようにする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon wafer where slip starting from an interstitial spot defect does not occur at a portion from the shoulder part to the top of the cylindrical part of a silicon single crystal when the silicon single crystal is pulled and grown at the condition of entering in an I-rich zone. - 特許庁

本発明は、半導体基板に形成されたソース領域とドレイン領域をそれぞれ選択エピタキシャル成長技術を用い成長させて形成したソース部とドレイン部とそれらの間に設けられたチャネル領域を備えたＭＯＳトランジスタを備え、前記選択エピタキシャル成長によって形成されたソース部とドレイン部の前記チャネル領域からの高さが異なることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor comprises a source part and a drain part formed by using a selective epitaxial growth technique in a source region and a drain region, respectively, formed on a semiconductor substrate and a MOS transistor equipped with a channel region provided therebetween, wherein the height of the source part formed by the selective epitaxial growth from the channel region is different from that of the drain part. - 特許庁

露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。例文帳に追加

Although a portion grown on the exposed part and below the facet has at first many dislocations between the ground substrate and itself, the dislocation density in the portion is gradually reduced because the dislocations are eliminated to outside by the growth of the facet and accumulated in the crystal defect aggregation region H, and the portion adjacent to the region H becomes a single crystal. - 特許庁

素子を、基体上に任意方位で成長した磁性層と、基体と磁性層の間に他の層（方位変換層）を挿入して前記方位とは異なる方位で成長した磁性層とで構成し、両磁性層の間の粒界を横切る経路の電気抵抗を外部磁界により制御して検知する。例文帳に追加

The element comprises a magnetic layer grown on a basic body in an arbitrary orientation, and a magnetic layer grown in a different orientation by inserting other layer (orientation converting layer) between the basic body and the magnetic layer wherein the electric resistance of a passage traversing a grain boundary between both magnetic layers is detected under control of an external field. - 特許庁

民間部門開発は持続的な経済成長にとって不可欠ですが、これまでIDBはグループ内の各民間部門の支援を通じて、域内の民間部門開発に大きな貢献をしてきました。例文帳に追加

Private sector development is indispensable to sustainable growth. To date, the Bank group has made great contributions to private sector development in the region through support of its private sector arms.  - 財務省