「部間成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

或は、撥水性基板上に形成させた触媒パターン位置に、親水性を有するナノワイヤを垂直成長させて、微細流路を製造し、親水性ナノワイヤを成長させた部分を微細流路における流路空間（溝部自体）とする。例文帳に追加

Alternatively, a fine channel is formed by growing vertically a hydrophilic nano wire at a site of a catalyst pattern formed on a water-repellent substrate, and the portion where a hydrophilic nano wire has been grown comes to a channel space (groove itself) of the fine channel. - 特許庁

基板表面に触媒金属粒子からなる薄膜を形成し、該薄膜の触媒粒子を核として薄膜上に化学蒸着法によりカーボンナノチューブを成長させるに当たり、基板と上記薄膜の間に、カーボンナノチューブの成長を阻止するクロム層を所要パターンで介在させることにより、薄膜のクロム層非介在部のみにカーボンナノチューブを成長させる。例文帳に追加

In forming a thin film comprising catalyst metal particles on the surface of a substrate and growing carbon nanotubes on the thin film by chemical vapor deposition by using the catalyst particles on the thin film as nuclei, a specifically patterned chromium layer that prevents carbon nanotube growth is interposed between the substrate and the thin film to allow the carbon nanotubes to grow on only an area where no thin film chromium layer is present. - 特許庁

気相成長装置としての処理装置１は、サセプタ５と反応管３と冷却部材（反応管上壁４の外周部材６と内周部材８との間の間隙および冷却材１０）とヒータ９とを備える。例文帳に追加

A processing apparatus 1 as the vapor deposition apparatus comprises a susceptor 5, a reaction tube 3, a cooling member (a gap between an outer periphery member 6 and an inner periphery member 8 of an upper wall 4 of the reaction tube, and a cooling material 10), and a heater 9. - 特許庁

収納部２ａ，２ｂの互いに向き合う面には、収納部２ａ，２ｂ内の給水ボードが露出し、栽培すべき植物Ｐは、両収納部２ａ，２ｂ間の隙間に挟まれ、給水ボードＢから給水されて成長する。例文帳に追加

Water supply boards in the housing parts 2a and 2b are exposed on the mutually opposed surfaces of the housing parts 2a and 2b and a plant P to be cultured is sandwiched in the spaces between both housing parts 2a and 2b and water is supplied from the water supply board to grow the plant P. - 特許庁

位相差板２１０によれば、互いに隣り合う凸部２０２ｂから成長した柱状部分２０５ａの隙間、即ち凹部２０２ａ上の空間が確保されたままで無機膜２０５が形成されている。例文帳に追加

In the retardation plate 210, the inorganic film 205 is formed while a gap between the columnar parts 205a deposited from the protrusions 202b adjacent to each other, that is, the space formed on the recesses 202a are secured. - 特許庁

我が国も、アフリカ諸国が持続的な経済成長を通じた貧困削減を実現していくためには、いわば「魚を分け与えられるよりも釣り竿を持つことの方が重要である」との考えのもとに、民間部門の成長を通じた富の創造につながるような支援を行う必要があると考えています。例文帳に追加

Japan also believes that to reduce poverty through sustained growth, we should deliver aid in such a way that it leads to wealth creation through private sector development.We have to bear in mind the notion that it is more important for countries to get a hold of a fishing rod than to be given fish.  - 財務省

民間部門主導による成長及び雇用創出の重要性を認識しつつ，我々は，「持続可能で均衡ある成長のためのビジネスの役割」とのテーマの下で世界のビジネスリーダーを招集し，11月10，11日に開催されたソウルG20ビジネスサミットを歓迎する。例文帳に追加

Recognizing the importance of private sector-led growth and job creation, we welcome the Seoul G20 Business Summit held on November 10 and 11 that convened global business leaders under the theme “The Role of Business for Sustainable and Balanced Growth”.  - 財務省

成長基板上に形成され、かつｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光層を含む半導体構造が、成長基板の除去を可能にするように、半導体構造を十分に支持する結合部によってキャリアに取付けられる。例文帳に追加

A semiconductor structure made on the growth substrate includes a light emitting layer formed between a n-type region and a p-type region, and is attached to a carrier with coupling portions which support the semiconductor structure certainly in order to make the removing of the growth substrate possible. - 特許庁

最近の経済成 長理論（内生的経済成長理論）においては、研究開発部門における知識ストックがもたらすスピル・オーバ ー効果に着目しているが、空間経済学の分野においても、こうした知的活動の集積に焦点を当てた分析が盛んになってきている３）。例文帳に追加

In recent economic growth theory (endogenous economic growth theory), a spill -over effect that is brought about by knowledge stock in the R&D sector is garnering attention, and in the field of spatial economics too, analysis focusing on the agglomeration of intellectual activities is being vigorously undertaken3. - 経済産業省

該茎部支持枠は、中間部分では成長して垂れる茎を支持し、その端部には茎落下防止部を設けて構成とした栽培植物の茎部支持装置とした。例文帳に追加

The stem part-supporting frame 4 supports stem hung down by growing in the intermediate part and provides a stem drop- preventing part in the ends. - 特許庁

気相成長装置は、開口部１０を有し、筒状に形成された中間流路構成部材７と、開口部１０に配置された基板保持部材１２と、基板保持部材１２に接続されたサセプタ１３とを備える。例文帳に追加

The vapor phase growth device comprises an intermediate flow path constituting member 7 which has an opening 10 and is formed cylindrically, a substrate holding member 12 arranged in the opening 10, and a susceptor 13 connected to the substrate holding member 12. - 特許庁

しかも、柱空間３１内で水素気泡が発生しても、柱空間３１の隅部に沿って浸入するめっき液によってめっき膜が成長し、水素気泡は柱空間３１から確実に追い出される。例文帳に追加

Further, even if a hydrogen bubble is generated in the space 31, a plating film is grown by the plating soln. infiltrated along the corners of the space 31, and the hydrogen bubble is surely expelled from the space 31. - 特許庁

第四に，我々は，雇用と富を創造する民間部門の中核的な役割と，持続可能な民間部門主導の投資と成長を支援する政策環境の必要性を認識する。例文帳に追加

Fourth, we recognize the critical role of the private sector to create jobs and wealth,and the need for a policy environment that supports sustainable private sector-led investment and growth.  - 財務省

大臣達は、世銀グループの焦点は、民間部門が提供できない、若しくは提供しない支援を行うこと、及び民間部門主導の経済成長を促す必要があるということを強調した。例文帳に追加

They stressed that the Group's focus must be on providing support that the private sector can not or will not provide and on fostering private-sector led economic growth.  - 財務省

原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。例文帳に追加

The atomic layer deposition apparatus disposes a substrate S in a second internal space 15 within a cylindrical reactor vessel 14 provided in a first internal space 22 within a deposition vessel 12. - 特許庁

薄膜成長室１２の内部空間１２ａに存在する気体のうち水素は、水素透過板１４を透過して副室１３へ移動し、副室１３の内部空間１３ａに拡散する。例文帳に追加

Hydrogen, among the gasses existing in the internal space 12a of the thin film forming chamber 12, is transferred to the sub-chamber 13 passing through the hydrogen transmitting plate 14, and is then diffused into the internal space 13a of the sub-chamber 13. - 特許庁

ガス流制御部材６の内方においてガス流制御部材６の内壁面との間の隙間９を通して原料ガスが通過し、種結晶５から単結晶１１が成長する。例文帳に追加

The raw material gas is passed through a space 9 between the seed crystal 5 and the inner wall face of the gas flow control member 6 at the inside of the gas flow control member 6, and the single crystal 11 is grown from the seed crystal 5. - 特許庁

ガス流制御部材６の内方においてガス流制御部材６の内壁面との間の隙間９を通して原料ガスが通過し、種結晶５から単結晶１１が成長する。例文帳に追加

The raw material gas is passed through a space 9 on the inner wall face of the gas flow control member 6 at the inside of the gas flow control member 6, and the single crystal 11 is grown from the seed crystal 5. - 特許庁

気相成長装置は、被処理基板２が載置される載置面を含むサセプタ３と、被処理基板２を収容する内部空間６を形成し、内部空間６にガス流れが形成される反応管３２とを備える。例文帳に追加

The vapor phase epitaxial growth device is provided with a susceptor 3 including a placing face onto which a substrate 2 to be processed is placed and a reaction tube 32 which forms an inner space 6 for storing the substrate 2 to be processed so as to allow a gas flow to be formed in the inner space 6. - 特許庁

屈曲部において配線間隔が狭くなるから、プラズマＣＶＤ法などで形成した絶縁保護膜の、隣接する配線の端部から成長した端部（１０５，１０５’）が屈曲部においても接触して閉じる。例文帳に追加

Since a wiring interval becomes narrow in the bend, ends (105 and 105') grown from ends of adjacent wirings in the insulation protection film formed of a plasma CVD method and the like are brought into contact with one another in the bend and are closed. - 特許庁

図２に示す高さＨや高さｈの段差は十分に大きく確保されているので、この凸部の上に結晶成長される半導体層に付いては何れも、共振器の中央部（２つの凸部間の凹部）よりも薄く積層される。例文帳に追加

Since height H and stepped portion of height h illustrated in the figure are sufficiently acquired, any part of the semiconductor layer crystal-grown on this convex part is laminated thinner than the center (concave part between a couple of convex parts) of a resonator. - 特許庁

ｎ型Ｓｉ（１１１）基板１１上に、炭化ケイ素結晶からなる中間層１５をエピタキシャル成長させ、更に、この中間層１５上にｐ型ＡｌＧａＮ半導体層部１２１、ＧａＮ結晶層部１２２、及び、ｎ型ＡｌＧａＮ半導体層部１２３の各々この順でエピタキシャル成長させて積層し、３層からなる１３族元素窒化物発光ダイオード層１２を形成する。例文帳に追加

Then a zinc oxide crystal phosphor layer 13 composed of three layers is formed on the surface of the light emitting diode layer 12 by successively epitaxially growing a blue phosphor layer 131, a green phosphor layer 132, and a red phosphor layer 133 on the surface of the layer 12 in this order. - 特許庁

本格的な市場解放から十数年しか経過していないわけであるが、急速な経済成長は都市部と農村部の間に深刻な経済格差をもたらし、その解消に向けて現在中国政府は西部大開発を推進中である。例文帳に追加

The varying pace of market liberalization has led to differences in the business models typically used in each region.  - 経済産業省

中国における格差は、主に、①地域間の格差（沿海部と内陸部間の格差）、②都市・農村間の格差、③都市部内の格差の3つに分けることができるが、社会の一部の層に成長の果実が集中しているため、全体としての消費拡大にはつながっていない。例文帳に追加

The disparities in China can be divided into the three main categories of (a) regional disparities (disparities between coastal areas and inland areas), (b) disparities between cities and rural communities, and (c) disparities within urban areas. The fruits of growth are concentrated in a portion of the layers of society, however, so they are not leading to an expansion in consumption overall. - 経済産業省

この構成によれば、固体電解質層の粉末間の隙間を通って金属リチウムのデンドライトが成長したとしても、金属リチウムが電子絶縁体化するので、電池の内部短絡を確実に防止できる。例文帳に追加

Even if dendrites of metallic lithium grow through gaps between particles of the solid electrolyte layer, since the metallic lithium becomes the electronic insulator, internal short circuit of the battery can surely be prevented. - 特許庁

鉄鋼材料とめっき層との間の金属間化合物の成長を抑制して、接合強度を高めることが可能な金属部材の接合構造を提供する。例文帳に追加

To provide a metal member welding structure capable of increasing welding strength by suppressing growth of an intermetallic compound between a steel material and a plated layer. - 特許庁

ＳｎとＺｎを含む鉛フリーはんだ粉末を使用して、はんだと部品や基板の銅との間で形成される金属間化合物の成長を抑制し、接続信頼性が低下しないソルダーペーストを提供する。例文帳に追加

To provide a solder paste which suppresses the growth of an intermetallic compound formed between solder and parts or the copper of a substrate and does not degrade the reliability of connection by using lead-free solder powder containing Sn and Zn. - 特許庁

シャッター１１は、成長室１の内部空間１ａに対してビューポート５を隠す位置とビューポート５を開く位置との間で水平に移動可能である。例文帳に追加

A shutter 11 is capable of moving horizontal in position from a point at which the viewport 5 is screened from the internal space 1a of the growth chamber 1 to another point at which the viewport 5 is set open to the internal space 1a and vice versa. - 特許庁

基板は、基板と凹部２２の内壁との間に隙間が形成されるように配置され、かつ、基板の気相成長面は、サセプタ２１の頂面２１ａよりも高い位置に配置される。例文帳に追加

The substrate is placed so that a clearance is formed between the substrate and the inner wall of the recess 22, and a vapor phase growth face of the substrate is located at a position higher than the top face 21a of the susceptor 21. - 特許庁

また、当該中間層は、金属基材層と導電性炭素層との間に介在し、導電部材の積層方向に成長した柱状結晶からなる結晶構造を有する。例文帳に追加

Further, the middle layer intervenes between the metal base material layer and the conductive carbon layer, and includes a crystal structure made of columnar crystal growing in a laminated direction of the conductive member. - 特許庁

毛包組織の器官培養中に対象物質を添加し、所定の時間培養後、毛球部のみを用いてアラマーブルーアッセイを行うことで、対象物質の毛周期における成長期を維持または延長する効果を評価することを特徴とする、毛球部活性化剤または毛髪成長期間延長剤のスクリーニング方法。例文帳に追加

In this screening method for a hair bulb activating agent or a hair growth period extending agent, the objective substance is added to an organ culture of a hair follicle tissue, and after cultivation for a predetermined time, an Alamar Blue assay is carried out by using only the hair bulb part for evaluating a growth period maintaining/extending effect in a hair cycle of the objective substance. - 特許庁

分子線エピタキシー装置１において、内部空間１３ａがウエハ１１の収納される薄膜成長室１２の内部空間１２ａに連通するように副室１３を設け、薄膜成長室１２と副室１３との連通を遮断するように、水素を選択的に透過する水素透過板１４を設ける。例文帳に追加

In a molecular beam epitaxy apparatus 1, a sub-chamber 13 is provided for communication of an internal space 13a with the internal space 12a of a thin-film growth chamber 12 to which a wafer 11 is accommodated, and a hydrogen transmitting plate 14 for selectively transmitting hydrogen is provided to shield communication between the thin-film forming chamber 12 and the sub-chamber 13. - 特許庁

第１基板１０ｃの作製工程では、基板上に部分的な絶縁層１２ａを形成し、部分的な絶縁層１２ａの間の領域には単結晶シリコン層１３を成長させ、部分的な絶縁層１２ａの上には多結晶シリコン層１４を成長させ、その後、該基板にイオンを注入することにより、該基板の内部に分離層１５を形成する。例文帳に追加

In a manufacturing step of the substrate 10c, a partial insulation layer 12a is formed on the substrate, a single crystal silicon layer 13 is grown on a region between the partial insulation layers 12a, a polycrystalline silicon layer 15 is grown on the layer 12a, and thereafter the substrate is ion injected to thereby form the layer 15 in the substrate. - 特許庁

前記中間膜、下部電極又は圧電体膜を形成する工程の何れかは、それぞれ中間膜、下部電極又は圧電体膜の被形成面にイオンビームを照射する工程と、その上に中間膜、下部電極又は圧電体膜をエピタキシャル成長により形成工程と、を備えている。例文帳に追加

Any of the steps of forming the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric material film includes a step of irradiating the surface to be formed with the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric material film with an ion beam, and a step of forming the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric material film by epitaxial growth. - 特許庁

サセプタとこれに対向する反応管壁部の間隙が、原料ガス導入部のガス供給口とサセプタの原料ガス流路上流側端部の間の反応管壁における垂直方向の間隙より狭い構成の気相成長装置とする。例文帳に追加

The vapor growth equipment has a constitution where an interval between a susceptor and a reaction tube wall part facing the susceptor is narrower than an interval in the vertical direction in a reaction tube wall between a gas supplying pot of a material gas inlet part and the upper stream side end portion of a material gas channel of the susceptor. - 特許庁

るつぼは、るつぼ内のシリコン材料の溶解効率を高め、結晶成長炉により消費されるエネルギーと時間を節減するように、下部ヒータにより直接底部で加熱される。例文帳に追加

The crucible is directly heated at the bottom by the bottom heater so as to save energy and time consumed by the crystal-growing furnace by enhance melting efficiency of the silicon material in the crucible. - 特許庁

下部ＤＢＲの下部または中間に光検出器が設けられ、この光検出器はレーザ構造体と一体的に成長される面発光レーザである。例文帳に追加

The surface emitting laser has such a structure that the photodetector is formed in the lower or middle part of a lower DBR, and that the photo detector is integrally grown with a laser structure. - 特許庁

また、ルツボ１０の内部の空間は立方体形状であり、この内部にシリコン材料を充填し、シリコン材料を融解させ、冷やすことでシリコンインゴットの結晶成長を行う。例文帳に追加

Moreover, the internal space of the crucible 10 is formed into a cube shape, the internal part is filled with a silicon material, and the silicone material is fused and cooled to effect crystal growth of a silicon ingot. - 特許庁

プラズマ処理装置において、上部電極内部で発生する異常放電を抑止することによって、中間板表面への反応生成物の異常成長を防止する。例文帳に追加

To prevent the abnormal growth of resulted products of reaction on the surface of an intermediate board by deterring the abnormal discharge which occurs in an upper electrode. - 特許庁

光導波路は、異常成長部１４ａと間隔をおき且つ前方端面２０Ａにおいて禁制帯幅増大部１４ｂを含むように形成されている。例文帳に追加

The optical waveguide is formed at an interval with the abnormal growth portion 14a while including the forbidden bandwidth increase portion 14b at the front end face 20A. - 特許庁

防草構造２は、歩車道境界ブロック３０１と道路構成部４０１における、互いに対向する第１面３ａと第２面４ａとの、外部から下側に延びる間隙５からの、雑草１の成長を防止するものである。例文帳に追加

The herbicidal structure 2 is provided for preventing the growth of weeds 1 from a gap 5 extending from the outside to the lower side between a first face 3a of a walkway-roadway boundary block 301 and a second face 4a of a road structural part 401, opposing each other. - 特許庁

上方に巻き上がることが阻止された蔦は、互いに絡み付いて内方空間２２を満たすまで成長するので、周壁部軸線方向他方側の端部２４ｂ付近まで達することを防止することができる。例文帳に追加

The ivy, kept from growing upwards, entwines itself and grows until filling an inner space 22, so it can be prevented from reaching near the axial end 24b of a circumferential wall part on the opposite side. - 特許庁

基板表面に微細な間隔で凹凸部分が存在しても凹部を緻密で均一な膜質の石英膜で埋め込み可能なプラズマ化学気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma chemical vapor phase growth device capable of buring recessed parts with a quartz film of dense and uniform film quality even if rugged parts are present at fine intervals on the surface of a substrate. - 特許庁

各カラム４３は、内筒から上方に成長する氷柱を受け入れ、それぞれ内筒の真直上方の上方配置部と、真直上方より側方に離れた側方配置部との間で移動する。例文帳に追加

Each column 43 is separately moved from an upper installation part which receives an icicle growing upward in the inner cylinder immediately above the inner cylinder and a side installation part parted from the immediately above part toward a side. - 特許庁

本発明に係る炭素繊維体は、底の無いカップ形状をなす炭素網層が多数積層した、気相成長法による炭素繊維体であって、環状炭素網層間の全部もしくは一部が押し広げられていることを特徴とする。例文帳に追加

This carbon fiber form has such a structure that a number of the bottomless cup-shaped carbonaceous netty layers are laminated with each other, wherein at least parts of the spaces between the circular carbonaceous netty layers are expanded. - 特許庁