酸素ビームの英語

又は、イオン電流密度を５μＡ／ｃｍ^２以上、２０μＡ／ｃｍ^２以下、加速電圧５０Ｖ以上、３００Ｖ以下でイオンビーム発生装置２３から酸素イオンビームを基板に向けて出射すると共にニュートライザー２４により酸素イオンビームを無帯電気体化し、気化させた成膜材料を無帯電気体化した酸素で加速して基板に付着させる。例文帳に追加

Oxygen ion beams are emitted against the substrate from an ion beam generator 23 with the ion current density of ≥5 μA/cm^2 and ≤20 μA/cm^2 and the acceleration voltage of ≥50 V and ≤300 V, oxygen ion beams are non-charge gasified by a neutralizer 24, and the vaporized film deposition material is accelerated by non-charge gasified oxygen and deposited on the substrate. - 特許庁

これにより、マイナスイオンソースＳから酸素マイナスイオンラジカルが取り出され、単色性の高いイオンビームが生成される。例文帳に追加

Consequently, oxygen negative ion radicals are taken out from the source S, and a highly monochromatic ion beam is formed. - 特許庁

次の層を取り除く前に、酸素含有ガスと共に集束イオンビームスパッタリングを用いて、トレンチ底面を平滑にする。例文帳に追加

Prior to the removal of the next layer, focused ion beam sputtering with oxygen-containing gas smoothes the base of a trench. - 特許庁

そして、イオン化された酸素クラスタビームを電圧加速して、窓板５の窓部５ａを通して石英基板７の表面に照射する。例文帳に追加

An ionized oxygen cluster beam is voltage-accelerated, and the surface of the quartz substrate 7 is irradiated therewith through the window 5a of the window plate 5. - 特許庁

ビーム照射位置に窒素ガスをブローしないため、溶融部分の酸素濃度を保持でき、多結晶シリコンの粒径を大きくできる。例文帳に追加

Since the nitrogen gas is not blown upon the projecting position of the beam L, the oxygen concentration in a melted part can be maintained, and the grain diameter of polycrystalline silicon can be enlarged. - 特許庁

（四）　ビームエネルギーが六五キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が四五ミリアンペア以上のものであって、加熱された半導体材料の基板に酸素を注入することができるもの例文帳に追加

4. Ion implanters with beam energies of 65 kiloelectron volts or more and beam currents of 45 milliamperes or more, that are capable of implanting oxygen on a heated superconductor material substrate発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

非単結晶半導体膜に対してレーザービームを照射する際に、該非単結晶半導体膜表面を水素にて終端させ、少なくとも酸素を含有する雰囲気中においてレーザービームを照射する。例文帳に追加

When a non-monocrystalline semiconductor film is irradiated with a laser beam, the surface of the non-monocrystalline semiconductor film is terminated by hydrogen, and the non-monocrystalline semiconductor film is irradiated with a laser beam in an oxygen-containing atmosphere. - 特許庁

この多層系は、イオンビームサポートにより最外層保護層を作るために、保護層の直接のイオンビームサポート成長によるかまたはルテニウムの場合を除いてイオンビームサポートにより原子レベルで酸素または窒素とアルミニウムまたはチタンをミックスすることにより作り出される。例文帳に追加

In order to form the outermost protective layer by ion beam support, direct ion beam support growth is adopted or oxygen or nitrogen and aluminum or titanium are mixed on the atomic level by ion beam support with the exception of the case of ruthenium. - 特許庁