金属張絶縁基板の英語

すなわち，条件（１）が「応力緩和層４０の降伏応力＞絶縁基板２０の金属配線層２２の降伏応力」であり，条件（２）が「金属配線層２２の線膨張率＞絶縁材２３の線膨張率」である。例文帳に追加

Namely, a condition (1) is that "the yield stress of the stress relaxation layer 40 is larger than the yield stress of a metal wiring layer 22 of the insulating substrate 20", and a condition (2) is that "the linear expansion coefficient of the metal wiring layer 22 is larger than the linear expansion coefficient of an insulating material 23". - 特許庁

金属からなる基板１の表面上に絶縁樹脂層２が形成され、絶縁樹脂層２の表面上に、基板１を形成する金属の熱膨張係数より低い熱膨張係数を有する金属からなる配線層６が形成される。例文帳に追加

An insulation resin layer 2 is formed on the surface of a substrate 1 formed of a metal, and the interconnection layer 6 formed of a metal having a coefficient of thermal expansion smaller than that of the metal with the substrate 1 formed thereon is formed on the surface of the insulation resin layer 2. - 特許庁

金属基板７の線膨張係数は、ベース絶縁層１の線膨張係数と同等であることが好ましい。例文帳に追加

The line expansion coefficient of the metal substrate 7 is desirably equal to that of the base insulating layer 1. - 特許庁

放熱板上に絶縁層を介して金属回路が形成されてなる金属ベース回路基板において、放熱板が、２５℃での熱膨張係数３〜２３ｐｐｍ／℃のアルミニウム板である金属ベース回路基板。例文帳に追加

In the metal base circuit board wherein a metal circuit is formed via an insulation layer on a heatsink, the heatsink is an aluminum plate having thermal expansion coefficient of 3 to 23 ppm/°C at 25°C. - 特許庁

金属ベース板１１０の中で、少なくとも絶縁基板４の四隅部に対応する部位に、絶縁基板４と同等又は近傍の線膨張率を有する低線膨張材１１４を配置する。例文帳に追加

In the metal base plate 110, a low linear expansion material 114 having the linear expansion coefficient equivalent to or nearer to that of the insulating substrate 4 is arranged at the areas corresponding at least to the four corners of insulating substrate 4. - 特許庁

ここで、絶縁性樹脂１２の熱膨張係数を金属基板１６の熱膨張係数よりも小さく設定することで、アフターキュアの工程に於ける金属基板１６の反りを防止できる。例文帳に追加

Coefficient of thermal expansion of the insulating resin 12 is set to be smaller than that of the metal substrate 16, so that warp of the metal substrate 16 in the process of after-cure can be prevented. - 特許庁

高い熱伝導率を有する無機絶縁膜２によって、高い放熱性を維持することができると共に、中間膜４によって金属基板１と無機絶縁膜２の線膨張係数の差が緩和され、無機絶縁膜２に熱衝撃でクラックが発生することを防止することができる。例文帳に追加

The high dissipation is maintained by the inorganic insulating film 2 having high heat conductivity, and a difference in coefficient of linear expansion between the metal substrate 1 and the inorganic insulating film 2 is alleviated by the intermediate layer 4 to prevent the inorganic insulating film 2 from being cracked due to a thermal shock. - 特許庁

能動素子４を形成した主基板６を、高耐熱性の樹脂材料で形成される絶縁膜２と、該絶縁膜２のよりも熱膨張係数が小さい金属もしくは合金からなる金属薄膜１とを３以上の奇数からなる積層膜とした。例文帳に追加

The main substrate 6 where an active element 4 is formed of laminated films of an odd number of 3 or more of insulating films 2 formed of a resin material having high heat resistance and metallic thin films 1 composed of a metal or an alloy having the coefficient of thermal expansion smaller than that of the insulating films 2. - 特許庁