錯形成剤の英語

陽イオンと錯体を形成する有機系錯体形成化合物を少なくとも含有し、有機系錯体形成化合物の熱重量測定法による５％重量減少温度が１８０℃以上である半導体装置製造用の接着剤組成物。例文帳に追加

The adhesive composition for producing a semiconductor device includes at least an organic complex-forming compound that forms a complex with cations, and the 5% weight loss temperature of the organic complex-forming compound measured by thermogravimetry is ≥180°C. - 特許庁

鉛含有銅合金材を、鉛と錯イオン形成能力の大きい錯化剤に錯化剤を形成する有機酸を加えた中性もしくは弱酸性の緩衝作用を持つエッチング液に浸漬し、前記鉛含有銅合金の表面に存在する鉛粒子を除去する。例文帳に追加

The copper-containing alloy material is immersed into an etchant which is prepared by adding an organic acid forming a complexing agent to the lead and the complexing agent having high complex ion formability and has neutral or weakly acidic buffer action and the lead particles existing on the surface of the copper-containing alloy material are removed. - 特許庁

パラジウムを０．１〜ｇ／０．４Ｌ含有し、且つ、パラジウムと錯形成する錯化剤をパラジウムとのモル比（錯化剤／パラジウム）が２５〜２５０となる濃度で含有する無電解パラジウムめっき浴に被めっき物を浸漬して被めっき物上に無電解パラジウムめっき皮膜を形成させる。例文帳に追加

The object to be plated is dipped into an electroless palladium plating bath containing palladium by 0.1 to 0.4 g/L and also containing a complexing agent to form a complex with the palladium at a concentration in which the molar ratio with the palladium (complexing agent/palladium) reaches 25 to 250, and an electroless palladium plating film is formed on the object to be plated. - 特許庁

可溶化剤として、水素結合により超分子錯体を形成可能な平面状分子を含有する可溶化剤を用いる。例文帳に追加

A solubilizer containing a planar molecule for forming a supramolecular complex by hydrogen bonding is used. - 特許庁

これらの金属イオンは、当該接着剤溶液が加熱されるまで、および／または乾燥されるまで、錯体形成剤とのその結合から遊離しない。例文帳に追加

The metal ions are not released from the bond with the complex former until the adhesive solution is heated and/or dried. - 特許庁

錯体形成剤としてはクエン酸、アルコールとしては１，２−ジヒドロキシエタン、酸化剤としては硝酸が好ましい。例文帳に追加

Citric acid, 1,2-dihydroxyethane and nitric acid are suitable as the complexing agent, the alcohol and the oxidant, respectively. - 特許庁

錯体形成剤としてはクエン酸、アルコールとしては１，２−ジヒドロキシエタン、酸化剤としては硝酸が好ましい。例文帳に追加

Citric acid, 1,2-dihydroxyethane, and nitric acid are preferably used as the complex forming agent, as the alcohol and as the oxidizing agent, respectively. - 特許庁

余分の酸化珪素膜を除くためのＣＭＰ研磨剤であって、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、β−ジケトンから選択されるセリウムとの錯形成剤及び水を含み、セリウムとの錯形成剤濃度が０．１重量％以上１０．０重量％以下であるＣＭＰ研磨剤。例文帳に追加

A CMP polishing agent for removing an excess silicon oxide film contains cerium oxide particles, a water-soluble polymer, a complex forming agent with cerium selected from β-diketone, and water, and has a concentration of the complex forming agent with cerium of 0.1 wt.% or more and 10.0 wt.% or less. - 特許庁