面成長の英語

（１）ＳｉＣ種結晶１２は、複数個の副成長面からなる主成長面を備えている。例文帳に追加

(1) The SiC seed crystal 12 has a main growth plane composed of a plurality of sub-growth planes. - 特許庁

結晶成長時の成長界面の面内温度分布における最大温度差が２℃以下とする。例文帳に追加

Where the maximum temperature difference in temperature distribution within the face of a growth interface when growing the crystal, is at most 2°C. - 特許庁

基板表面における主面の段差部が結晶成長の起点となり、成長速度が向上する。例文帳に追加

The step part of the main surface on the substrate surface is a starting point for crystal growth, improving the growth speed. - 特許庁

大面積バナジウム酸化物薄膜の成長装置及びその成長装置での大面積酸化物薄膜の成長方法例文帳に追加

APPARATUS FOR GROWING LARGE AREA VANADIUM DIOXIDE THIN FILM AND METHOD OF GROWING LARGE AREA OXIDE THIN FILM WITH THE APPARATUS - 特許庁

これにより、第２の表面２からの成長が第１の表面１の成長に覆うように成長して、欠陥密度を低減させることができる。例文帳に追加

Hereby, the growth from the second surface is performed to cover the first surface 1, whereby defect density can be reduced. - 特許庁

第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。例文帳に追加

Although the surface of the first growth layer 21 is coarse, the recesses in the surface of the first growth layer 21 are buried and the surface of the second growth layer 22 is flattened by growing the second growth layer 22 at a growth velocity lower than that of the first growth layer 21. - 特許庁

第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。例文帳に追加

Although the surface of the first growth layer 21 becomes coarse, the surface dimples of the first growth layer 21 are filled up by causing the second growth layer 22 to grow more slowly than the first growth layer 21; thus, the surface of the second growth layer 22 is made flat. - 特許庁

成長用基体１０上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈより大きくなるように第１の成長層２１を成長させる。例文帳に追加

A first growth layer 21 is grown on a base body 10 for growth in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is higher than 10 μm/h. - 特許庁