領域内アドレスの英語

内部アドレス発生回路Ａは全メモリ領域をリフレッシュするためのアドレスを生成し、アドレス発生回路Ｂは特定の領域のみリフレッシュするためのアドレスを生成する。例文帳に追加

An internal address generating circuit A generates abnormal address for refreshing all memory regions, and an address generating circuit B generates an address for refreshing only a specific region. - 特許庁

メモリチップの各々は、第１および第２の記憶領域と、第１の記憶領域内の特定のアドレスと第２の記憶領域内のアドレスとの対応関係を示すアドレス情報を保持する情報保持部と、を含む。例文帳に追加

The memory chips includes: first and second storage areas; and an information storage part which stores an address information indicating the relation between a specific address in the first storage area and an address in the second storage area. - 特許庁

冗長アドレスメモリ領域１８には、メインメモリ領域１４内に発生した欠陥のあるメモリ領域に対応する冗長アドレスデータと、その冗長アドレスデータ用のチェックサムとが記憶される。例文帳に追加

Redundant address data corresponding to the defective memory area generated in a main memory area 14 and checksum for the redundant address data are stored in a redundant address memory area 18. - 特許庁

アドレス一括置換を実行させる部品に関しては、指定領域３２とアドレスオフセット指定領域３３において所望のメモリテーブルＮｏ．とアドレスオフセット値を入力させ、アドレス一括置換を実行させない部品に関してはアドレス入力領域３４において所望のアドレス値を入力させ、これら入力内容をアドレス設定テーブル４０に登録する。例文帳に追加

This device inputs a desired memory table No. and an address offset value in a specified area 32 and an address offset specified area 33 for a part subject to batch replacement of address, and inputs a desired address value in an address input area 34 for a part not subject to batch replacement address, and then registers these input contents in an address setting table 40. - 特許庁

ユーザーが記録可能な第１の領域と情報記憶媒体上の欠陥領域に対する代替え領域とを設け、上記第１の領域内のアドレスを指定する第１のアドレス番号が付与されると共に少なくとも一箇所の欠陥領域および代替え領域が上記第１の領域内に含まれ、かつ少なくとも前記一箇所の欠陥領域および代替え領域にも上記アドレス番号が付与される。例文帳に追加

At least one defective region and the substitute region are included in the first region, and address numbers are applied to at least one defective region and the substitute region. - 特許庁

メモリコントロールチップは、アドレス情報に示される第１の記憶領域内の特定のアドレスに対してアクセス要求があった場合には、アドレス情報に示される対応関係に基づいて特定のアドレスをこれに対応する第２の記憶領域内のアドレスに変換してアドレス指定を行うアドレス変換部を有する。例文帳に追加

The memory control chip has an address conversion part for, if an access request to a specific address in the first storage area which is indicated in the address information is issued, specifying an address by converting the specific address into its corresponding address in the second storage area on the basis of the correspondence indicated in the address information. - 特許庁

このとき、各パネル領域４１の外側に形成される領域外アドレス電極２１Ａは、パネル領域４１内側に形成される領域内アドレス電極２１Ｂに比べて線幅が太く形成された太幅アドレス電極部２１Ｃを有する。例文帳に追加

Then, out-of-region address electrodes 21A formed outside the respective panel regions 41 have large-width address electrode parts 21C formed by increasing line width relative to in-region address electrodes 21B formed inside the panel regions 41. - 特許庁