Atomic Layer Epitaxyとは 意味・読み方・使い方

In an SOI substrate 12, an SOI active layer 3 is formed on a buried oxide film 2, and at least a part of the layer 3 is formed by ALE (atomic layer epitaxy: atomic layer epitaxial growth).例文帳に追加

埋め込み酸化膜２上に、ＳＯＩ活性層３が形成され、この少なくとも一部がＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシャル成長）によって形成されているＳＯＩ基板１２。 - 特許庁

To prevent a partial degradation in the film properties in a wafer face of a film formed by an atomic layer epitaxy process.例文帳に追加

原子層成長法で成膜した膜のウェハ面内での膜特性の部分的な低下を防ぐ。 - 特許庁

To relax stress generated in a thin film, and improve adhesion to the thin film, and further raise the film developing rate on a substrate by the Atomic Layer Epitaxy(ALE) method.例文帳に追加

基板上にＡＬＥ法により薄膜を形成する薄膜の形成方法において、薄膜に発生する応力を緩和するとともに、薄膜の下地に対する密着性を向上させ、更に、成膜レートを向上させる。 - 特許庁

To provide an organic metal vapor phase epitaxy device which enables further stable film formation of atomic layer level, and further uniform film thickness distribution in-wafer surface or inter-wafer film thickness, and enables film formation of uniform film thickness distribution, even if gas flow is disturbed.例文帳に追加

本発明は、ウエハー面内の膜厚分布あるいは各ウエハー間の膜厚をより均一に原子層レベルの成膜をより安定的に形成でき、さらに、ガス流の乱れがあっても均一な膜厚分布の成膜を可能にする有機金属気相成長装置を提供するものである。 - 特許庁

The apparatus for forming the thin film by atomic layer epitaxy (ALE) uses a source supply means which has corrected the varying supply flow rate of the source gas to each substrate surface according to a distance from a source gas resource of a supply pipe so as to be more uniform, when having a plurality of substrates placed therein and supplying the source gas to the plurality of the substrates.例文帳に追加

複数の基板を配置し、原料ガスが複数の基板に供給される際に、各基板表面への原料ガスの供給流量が供給パイプの原料ガス供給源からの距離に応じて変化することを、より均一化するように補正した原料供給手段を用いる、原子層成長（ＡＬＥ）による薄膜成膜装置。 - 特許庁