Axis of Hard Magnetizationとは 意味・読み方・使い方

To provide a method capable of synthesizing magnetic hard alloy nano particle with lower temperature than in that in the conventional manner and unidirectionally controlling an axis of easy magnetization.例文帳に追加

硬磁性合金ナノ粒子を従来よりも低温で合成でき、かつ磁化容易軸を一方向に制御できる方法を提供する。 - 特許庁

Powder of soft magnetic alloy is made flat and an anisotropy characteristic in shape is shown, and an axis hard magnetization is generated vertically to a face of flat grains.例文帳に追加

軟磁性合金の粉末を扁平化して形状異方性を発現させ、粉末の磁化困難軸を扁平な粒子の面に垂直な方向に生じさせる。 - 特許庁

A magnetometric sensor uses a sheet-like bias coil, which can apply a bias magnetic field at a prescribed crossing angle with respect to the hard axis of magnetization of an MR sensor element formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成したＭＲセンサ素子の磁化困難軸に対して、所定の交差角でバイアス磁界を印加できるシート状のバイアスコイルによる磁気センサを案出した。 - 特許庁

Alternatively, the film 10 is formed by magnetic field-applied plating and magnetic field-applied heat-treated by impressing a magnetic field from the direction, in which the anisotropy of the film 10 becomes an axis of hard magnetization.例文帳に追加

或いは、コバルト-鉄-ニッケル磁性膜１０を磁場中めっき法にて成膜し、磁性膜１０の異方性が困難軸となる方向から磁場を印加しながら、磁場中熱処理を施す。 - 特許庁

A data write current for applying a data write magnetic field along an axis of hard magnetization to a selected memory cell is supplied to a write word line WWWLi corresponding to a selected row.例文帳に追加

選択行に対応するライトワード線ＷＷＬｉには、磁化困難軸に沿ったデータ書込磁界を選択メモリセルに印加するためのデータ書込電流が供給される。 - 特許庁

In data writing operation, the data writing current Ip for generating a data writing magnetic field along a direction of magnetization hard axis is supplied to a selection row WWL, and the data writing current ±Iw for generating a data writing magnetic field along a direction of magnetization easy axis is supplied to selection columns BL, /BL.例文帳に追加

データ書込動作時において、磁化困難軸方向に沿ったデータ書込磁界を発生するためのデータ書込電流Ｉｐは選択行ＷＷＬに供給され、磁化容易軸方向に沿ったデータ書込磁界を発生するためのデータ書込電流±Ｉｗは選択列ＢＬ，／ＢＬに供給される。 - 特許庁

A magnetic field H1 in the direction of a hard axis and a magnetic field H2 in the direction of an easy axis are simultaneously acted on a TMR (Tunneling Magneto-Resistive) element 1 having an ideal asteroid curve (broken line), by which the magnetization direction of the memory layer of the TMR element 1 can be inverted.例文帳に追加

理想的なアステロイド曲線（破線）を有するＴＭＲ素子に対して、困難軸方向の磁界Ｈ１と容易軸方向の磁界Ｈ２とを同時に作用させることにより、ＴＭＲ素子の記憶層の磁化方向を反転させることができるものとする。 - 特許庁

The storage element stores information by inverting magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal occurring in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer, and an anisotropy field of the memory layer in a hard axis direction is smaller than an anisotropy field in a vertical direction.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して上記記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行うとともに記憶層の困難軸方向の異方性磁界が、垂直方向の異方性磁界よりも小さくなっている。 - 特許庁