CLMNとは 意味・読み方・使い方

The memory strings 100 have a columnar semiconductor CLmn extending perpedicularly to a substrate, a plurality of charge storage layers formed around the columnar semiconductor CLmn through an insulating film, and a drain side selection gate wire SGD which consists a transistor contacting the columnar semiconductor CLmn.例文帳に追加

メモリストリングス１００は、基板に対して垂直方向に延びる柱状半導体ＣＬｍｎと、柱状半導体ＣＬｍｎの周りに絶縁膜を介して形成された複数の電荷蓄積層と、柱状半導体ＣＬｍｎと接してトランジスタを構成するドレイン側選択ゲート線ＳＧＤを有する。 - 特許庁

Memory strings MS each have a body semiconductor layer SCmn having two columnar parts CLmn and a connection part JPmn connecting lower ends thereof.例文帳に追加

メモリストリングＭＳの各々は、２本の柱状部ＣＬｍｎ、及びそれらの下端を連結する連結部ＪＰｍｎを有するボディ半導体層ＳＣｍｎを有する。 - 特許庁

The memory string MS comprises a columnar semiconductor CLmn extended vertically with respect to a substrate Ba, a trap film (charge accumulation layer) 21 contacted with the columnar semiconductor CLmn for accumulating charges, a block insulating film 22 contacted with the trap film 21, and a word line WL contacted with the block insulating film 22.例文帳に追加

メモリストリングスＭＳは、基板Ｂａに対して垂直方向に延びる柱状半導体ＣＬｍｎと、柱状半導体ＣＬｍｎに接し且つ電荷を蓄積するトラップ膜（電荷蓄積層）２１と、トラップ膜２１に接するブロック絶縁膜２２と、ブロック絶縁膜２２と接するワード線ＷＬとを備える。 - 特許庁

The memory strings MS are formed zigzag on a substrate, and share word lines WL connected to four memory transistors MTr formed along one columnar part CLmn.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、基板上においてジグザグ状に形成され、１本の柱状部ＣＬｍｎに沿って形成される４個のメモリトランジスタＭＴｒに接続されるワード線ＷＬを共有する。 - 特許庁