To provide a wiring method of a semiconductor device for automatically wiring a CoP (Chip on a Package) or a PoP (Package on a Package).例文帳に追加

ＣｏＰ又はＰｏＰの配線を自動的に行なう半導体装置の配線方法を提供する。 - 特許庁

It is judged that it is not the crystal originated COP when a COP distribution is judged as not a ring state or a disk state with the following procedure 1-procedure 3.例文帳に追加

下記の手順１〜手順３によりＣＯＰの分布がリング状またはディスク状ではないと判定した場合は、結晶起因のＣＯＰではないとする。 - 特許庁

Then, when a predetermined printing indication is performed regarding the original image data ORG or the copy image data COP, the data processing device 15 reads the copy image data COP being a printing objective from the DVD-RW, and converts the copy image data COP into printing data FNL being CMY data, and the printing data FNL after the conversion is written on the DVD-RW.例文帳に追加

この後、オリジナル画像データＯＲＧやコピー画像データＣＯＰについて所定の印刷指示がなされたとき、データ処理装置１５は、ＤＶＤ−ＲＷから印刷対象となるコピー画像データＣＯＰを読み出し、該コピー画像データＣＯＰをＣＭＹデータである印刷データＦＮＬに変換し、変換後の印刷データＦＮＬをＤＶＤ−ＲＷに書き込む。 - 特許庁

A COP free wafer for particle monitor is produced inexpensively by using the shoulder part or tail part of a nitrogen doped ingot as a part of molten material.例文帳に追加

窒素ドープインゴットの肩部や尾部などを溶融原料の一部として用い、ＣＯＰのないパーティクルモニター用ウェーハを安価に製造する。 - 特許庁

To produce a semiconductor substrate having a single crystal silicon layer in which defect, e.g. COP, caused by CZ bulk wafer is eliminated or suppressed drastically.例文帳に追加

ＣＺバルクウエハに起因するＣＯＰ等の欠陥のない、あるいは、非常に少ない単結晶シリコン層を有する半導体基板を作製する。 - 特許庁

Since cristobalite hardly reacts with a silicon melt, the oxygen concentration in a single crystal is lowered, decreasing OSF or COP.例文帳に追加

またクリストバライトはシリコン融液と反応しにくいため、単結晶中の酸素濃度を低下させるので、ＯＳＦやＣＯＰを少なくすることができる。 - 特許庁

To solve such a problem that a target discharge temperature is too higher than going temperature of hot water and COP is deteriorated when a heating load is small or the like.例文帳に追加

暖房負荷が小さいときなどに、温水の往き温度に比べて目標吐出温度が高すぎてＣＯＰが悪化してしまう。 - 特許庁

Subsequently, from the obtained value of R, COP characteristic curve (R=R(t)) taking aging or the like of the concerned air conditioner into consideration is specified (step S403).例文帳に追加

次に求めたＲの値から、当該空調機の経年等を考慮したＣＯＰ特性曲線（Ｒ＝Ｒ（ｔ））を特定する（ステップＳ４０３）。 - 特許庁

The outside air and/or the refrigerant is heated by operating the permanent magnet type heater of the air heat exchanger when the outside air temperature is dropped, and the COP is degraded.例文帳に追加

外気温の低下、ＣＯＰの低下時に、空気熱交換器の永久磁石式の加熱器を稼働させて、外気及び／又は冷媒を加熱する。 - 特許庁

To improve a COP by lowering the uppermost pressure of a coolant side to a predetermined pressure or less without enlarging a heat exchanger.例文帳に追加

熱交換器を大型化させずに、所定の圧力以下に冷媒側の高圧圧力を低下させてＣＯＰを改善することができるようにする。 - 特許庁

Ni plating, NiB plating, NiP plating, NiBP plating, Co plating, CoB plating, CoP plating or CoBP plating, which is hard to be oxidized is applied to a surface of the solder ball by the electroless plating method or the electric plating method to cover an exposed metal portion of the surface of the solder ball and to prevent rust.例文帳に追加

無電解めっき法、または電気めっき法により、酸化し難いNiめっき、NiBめっき、NiPめっき、NiBPめっき、Coめっき、CoBめっき、CoPめっき、又はCoBPめっきをはんだボール表面に行い、はんだボール表面の金属の出ている部分を覆い、錆が発生するのを防止する。 - 特許庁

When a sole force sensor detects the obstacle placed on the landing point of the swing leg during traveling control of the robot, a reflection control part 123d calculates a center COP of a force applied to the sole of a leg to be landed and determines whether or not the COP is in a stable area.例文帳に追加

ロボットの歩行制御中に、足裏の力センサによりスイング脚の着地点に置かれた障害物を検出すると、反射制御部１２３ｄは、着地する脚の足裏に働く力の中心ＣＯＰを計算し、ＣＯＰが安定領域内にあるか否かを判定する。 - 特許庁

The scattering intensity of the flaw detected in a product wafer or the like is compared with the discrimination curve to easily and precisely discriminate the flaw of the product wafer or the like into the contaminations and COP.例文帳に追加

製品ウェーハ等で検出された欠陥の散乱強度を、その弁別線と比較することにより、容易にかつ精度良く、その製品ウェーハ等の欠陥を異物とＣＯＰとに弁別することが可能になる。 - 特許庁

The oxygen ion-implanted silicon substrate has preferably a void defect or COP crystal defect density of ≥1×10^5 cm^-3, and a maximum frequency of ≤0.12 μm in the crystal defect size distribution.例文帳に追加

酸素イオンが注入されるシリコン基板は、ボイド欠陥又はＣＯＰからなる結晶欠陥密度が１×１０^5ｃｍ^-3以上でありかつ結晶欠陥のサイズ分布の最大頻度が０．１２μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

To pull a silicon single crystal with few defects, such as OSF or COP, in a high yield by enabling the crystallization of the inside surface of a quartz crucible for pulling the silicon single crystal.例文帳に追加

単結晶シリコン引上げ用石英ルツボにおいて、単結晶歩留まりが良く、ＯＳＦやＣＯＰなどの欠陥が少ない単結晶シリコンを引上げるため、内表面を結晶化させる。 - 特許庁

Consequently, the number of pits in the epitaxial film resulting from the COP of the underlying silicon wafer can be reduced even in the epitaxial wafer provided with the epitaxial film which is a thin film with a thickness of 10 μm or less.例文帳に追加

この結果、厚さが１０μｍ以下の薄膜のエピタキシャル膜を備えたエピタキシャルウェーハであっても、下地のシリコンウェーハのＣＯＰに起因したエピタキシャル膜のピット数を低減することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal by the Czochralski method, by which a single crystal free of crystal defects such as COP (crystal-originated particle: hollow type defects) or dislocation clusters can be produced efficiently in a high yield.例文帳に追加

ＣＯＰ（空洞型欠陥）や転位クラスターなどの結晶欠陥が存在しない単結晶を、効率よく、高い歩留りで製造することができる、チョクラルスキー法による単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus COP in a case when the required load is 50% or less can be improved in comparison with a case when the first and second compressors 11, 21 are simultaneously controlled with low capacities.例文帳に追加

このため、第１、第２圧縮機１１，２１を同時に低容量で制御する場合に比べて、要求される負荷が５０％以下であるときのＣＯＰを向上できる。 - 特許庁

To provide a heating, ventilating, and/or air conditioning device which is simplified as much as possible, heating air stream speedily and effectively, and maximums the coefficient of performance "COP", in particular, 3-4.例文帳に追加

装置を可能な限り簡素に留めつつ、空気流を、迅速かつ効果的に加熱でき、かつ特に３〜４の可能な限り高い成績係数“ＣＯＰ”を得ることができる加熱、換気、および／または空調装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gas injection refrigeration system always operating at an optimum COP even when a high pressure is changed by change of thermal load, secular change or the like.例文帳に追加

熱負荷の変化や経年変化等により高圧圧力が変化したとしても、常に最適のＣＯＰにて動作するガスインジェクション冷凍システムを提供する。 - 特許庁

A continuous thick part 30 and thin part 32 is intentionally formed on a yarn 28 at the end of cop formation by adequately changing one or plural mechanical parameters, and as a result, a specified cord 34 is formed.例文帳に追加

コップ形成の最後に、糸２８に、１つ又は複数の機械パラメータの適切な変更によって、連続的な厚い区分３０及び薄い区分３２が故意に設けられ、これにより、所定のコード３４が形成される。 - 特許庁

Consequently, the vacancies simultaneously diminish by pair annihilation with the interstitial silicon in the silicon single crystal 9, and occurrence of defects (COP (crystal originated particle), FPD (flow pattern deft), or the like) caused by vacancy clusters is suppressed.例文帳に追加

その結果、シリコン単結晶９内で空孔が格子間シリコンとの対消滅によって同時に消滅し、空孔クラスタによる欠陥（ＣＯＰ、ＦＰＤなど）の発生が抑制される。 - 特許庁

When the Peltier element is driven by PWM, as the PWM frequency is made higher within a saturated frequency Fs (e.g. 1 kHz) or less, a higher COP can be obtained as long as there is no inconvenience in terms of cost and noise.例文帳に追加

ペルチェ素子をＰＷＭ駆動する際には、価格や雑音の不都合がない限り、飽和周波数Ｆｓ（例：１ｋＨｚ）以下の範囲でＰＷＭ周波数を高くするほど、より高いＣＯＰが得られる。 - 特許庁

The room information generation part 45c generates energy saving room information for determining whether the amount of room for saving of energy is large or small on the basis of the total electric power consumption and the low COP power consumption, and the display part 42 displays the energy saving room information.例文帳に追加

余地情報生成部４５ｃは、総消費電力量及び低ＣＯＰ消費電力量に基づいて、省エネルギー化余地の大小を判断するための省エネ余地情報を生成し、表示部４２はこれを表示する。 - 特許庁

To provide an SOI wafer of a high quality in which a COP is not almost detected by an inspection of an SOI layer after a completion even when an insulation film or the SOI layer of the SOI wafer is formed thin.例文帳に追加

ＳＯＩウエーハの絶縁膜やＳＯＩ層を薄く形成した場合でも、完成後のＳＯＩ層の検査でＣＯＰがほとんど検出されないとともに、高品質のＳＯＩウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor member whose productivity is excellent and whose quality is high without the influence of any flow pattern defect or COP(crystal originated particles) at the time of obtaining a single crystal semiconductor layer whose crystallinity is excellent on a substrate such as an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁性基板等の基体上に結晶性に優れた単結晶半導体層を得るうえで、生産性等に優れ、フローパターンディフェクトやＣＯＰ（Crystal OriginatedParticles）の影響を受けない高品質な半導体部材を提供する。 - 特許庁

An oil discharging amount is set to 10 cm3/h or less so as to sufficiently ensure oil returning to the compressor, ensure reliability of the compressor, and prevent reduction of the refrigerating performance and COP.例文帳に追加

オイル吐出量を１０ｃｍ^3／ｈ以下にすることにより、圧縮機へのオイル戻りを充分に確保し、圧縮機の信頼性を確保すると共に、冷凍性能およびＣＯＰの低下を防止する。 - 特許庁

Part of the flaw, which shows the intensity of the scattered light of the region held between the reference discrimination curve and the approximate curve, of the flaw is selected and a review SEM is used to decide whether part of the flaw is the contaminations or COP.例文帳に追加

その欠陥のうち、参照弁別線と近似線とに挟まれた領域の散乱光強度を示す一部の欠陥を選択し、レビューＳＥＭを用いて、その一部の欠陥が異物であるかＣＯＰであるかを判定する。 - 特許庁

To reduce equipment costs and radiation loss, and to improve COP by directly accommodating or arranging a heat pump radiation part at the side of a hot water storage tank, and performing lamination boiling-up due to natural convection.例文帳に追加

ヒートポンプ放熱部を貯湯タンク側に直接収納又は配置し、自然対流による積層沸上を行わせて機器コストの低廉化、放熱ロスの低下、ＣＯＰの向上をはかる。 - 特許庁

A plasma etching silicon electrode plate is made by a single crystal silicon or a casted silicon material having unilaterally solidified composition, with a COP(Crystal Originated Particle) defect density of 104 pcs/cm3 or less.例文帳に追加

成長欠陥（Ａｓ−ｇｒｏｗｎｎ欠陥）の一つであるＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）欠陥の密度が１０^4個／ｃｍ^3以下の単結晶シリコンまたは一方向凝固組織を有するシリコン鋳造体からなるプラズマエッチング用シリコン電極板。 - 特許庁

In Japan, with a view to delivering Prime Minister Hatoyama’s commitment of financial assistance to developing countries which was made in the occasion of the COP 15 last December, the Diet passed an amendment to the relevant law in late March which enables the Japan Bank for International Cooperation, or JBIC, to embark newly on a wider range of activities for assisting preservation of the global environment.発音を聞く 例文帳に追加

我が国では、昨年12月のCOP15における鳩山総理の途上国に対する資金協力のコミットメントを実現するため、先月末に国会で成立した法改正により、JBICが地球環境保全のための業務を幅広く行えるように致しました。 - 財務省

After the amount of the refrigerant calculated by this method is sealed in the refrigerant cycle device, the refrigerant cycle device is operated to investigate the coefficient of performance (COP) and the capacity (cooling capacity or heating capacity) in each application of the compressor 10.例文帳に追加

当該方法により算出された量の冷媒を冷媒サイクル装置に封入した後、冷媒サイクル装置を運転して、コンプレッサ１０の成績係数（ＣＯＰ）や各使用用途における能力（冷却能力若しくは加熱能力）を調べる。 - 特許庁

To provide an ice thermal accumulating system equipped with a water- cooled chiller which eliminates any extra works such as the replacing works for the water with brine or installation of excessive equipment such as a brine tank, etc., and also establishes a heating operation while deterioration of COP is precluded.例文帳に追加

水とブラインとの入替え作業、ブラインタンク等の設置等、余分な作業や過度な設備の設置等を不要とし、ＣＯＰの悪化を防止しつつ暖房運転を可能とした、水冷式のチラーを備えた氷蓄熱システムを提供する。 - 特許庁

A count value becomes Cv>Cp in a sound circuit, while the count value becomes Cr≥Cp or Cr≤Cp in an intermittent grounded circuit or a small grounded circuit, so that the comparison circuit COP outputs a control signal Tc and extends the setting time of an off-delay timer FT1 to ensure trip output from an on-delay timer OT1.例文帳に追加

健全回線では、カウント値はＣｖ≫Ｃｐとなるが、間欠地絡、微地絡回線では、カウント値はＣｒ≧Ｃｐ又はＣｒ≦Ｃｐとなるので、その場合、比較回路ＣＯＰは制御信号Ｔｃを出力してオフディレイタイマＦＴ_1の設定時間を延ばしてオンディレイタイマＯＴ_1から確実にトリップ出力させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon substrate with a lifetime of 500 μsec or more that includes neither oxygen precipitates nor defects (RIE defect) detected by an RIE method such as COP or OSF at a depth of at least 1 μm from a surface serving as a device manufacture region, and to provide the silicon substrate manufactured by such method.例文帳に追加

デバイス作製領域となる表面から少なくとも１μｍの深さに、酸素析出物、ＣＯＰ、ＯＳＦ等のＲＩＥ法により検出される欠陥（ＲＩＥ欠陥）が存在せず、かつ、ライフタイムが５００μｓｅｃ以上のシリコン基板の製造方法及び当該方法により製造されたシリコン基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and a method for manufacturing thereof, in which neither a COP nor a dislocation cluster is contained, a defect (grown-in defect containing oxide silicon) like oxygen precipitation nucleus which exists in an OSF nucleus and P_V region not actualized in an as-grown state is disappeared or reduced.例文帳に追加

ＣＯＰや転位クラスターが含まれず、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態では顕在化していないＯＳＦ核やＰ_V領域に存在する酸素析出核のような欠陥（酸化シリコンを含むｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥）が消滅もしくは低減されているシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁