Drain tunnelとは 意味・読み方・使い方

A moisture condensate drain tunnel 51 is disposed on the outer face side of the frame body 18, and the upstream side end part of the moisture condensate drain tunnel 51 communicates with the drain hole 50.例文帳に追加

枠体１８の外面側に結露水排水トンネル５１を配設すると共に結露水排水トンネル５１の水上側端部を排水孔５０に連通する。 - 特許庁

As a result, a drain layer 5 is formed so as to be positioned from under the tunnel film 7 region nearer to a source layer 6 side than the tunnel film 7.例文帳に追加

これにより、トンネル膜７の下からトンネル膜７よりもソース層６側にかけて位置するようにドレイン層５を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a source and drain adjoining the tunnel oxide region are formed by using the self-aligning technique.例文帳に追加

セルフアライン技法を用いてトンネル酸化物領域に隣接するソース及びドレインを形成する。 - 特許庁

A drain groove 9 is formed in a lengthwise direction of the pan 6A, and a drain hole 10 is provided in the groove 9 to be disposed in the tunnel 13.例文帳に追加

ドレンパン６Ａの長手方向に排水溝９を形成し、風洞１３内に位置すように排水溝９に排水孔１０を設ける。 - 特許庁

To provide a gate oxide film tunnel current model of an MOSFET capable of simulating tunnel currents between the gate/drain and gate/drain of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート−ドレイン間、ゲート−ソース間のトンネル電流をシミュレートすることが可能なＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜トンネル電流モデルを提供する。 - 特許庁

Tunnel-region edge guard electrodes having the same potential as a drain electrode are disposed in a region near the edge portion of a tunnel region on a tunnel insulating film via a floating gate electrode and a guard insulating film.例文帳に追加

トンネル絶縁膜の上部であって、トンネル領域のエッジ部近傍の領域には、フローティングゲート電極とガード絶縁膜を介してドレイン電極と同電位に固定されたトンネル領域エッジ部ガード電極を配置した。 - 特許庁

A spring water drainage structure to drain spring water in a tunnel 10 comprises a thin plate-shaped spring water guide member 30 that is buried under a road 20 in the tunnel 10 and a drain pipe that discharges the spring water flowing in the spring water guide member 30 outside the tunnel.例文帳に追加

トンネル１０内での湧水を排水するための湧水排出構造であって、トンネル１０内の道路２０下に埋設された薄板状の湧水案内部材３０と、湧水案内部材３０内を案内されてくる湧水をトンネル外に排水ための排水管とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor nonvolatile memory having a tunnel region, the peripheral portion of the tunnel region is dug down, and a depletion electrode for being capable of freely applying a potential for depleting a part of the tunnel region to the tunnel region through a depletion electrode insulating film is arranged in the dug-down drain region.例文帳に追加

トンネル領域を有する半導体不揮発性メモリにおいて、トンネル領域の周囲部分は掘り下げられており、掘り下げられたドレイン領域には、空乏化電極絶縁膜を介して、トンネル領域の一部を空乏化するための電位を自由に与えることが可能な空乏化電極を配置する。 - 特許庁