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Electron Back Scatter Diffractionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 電子線後方散乱回折パターン 電界放出型電子銃(20キロボルト)で得られた単結晶シリコンの電子後方散乱回折パターン 電子線後方散乱回折法(でんしせんこうほうさんらんかいせつほう、Electron backscatter diffraction、略称:EBSD)とは、測定対象の物質に電子線を照射して試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子から生じた後方散乱回折を解析して結晶性材料の構造などを調べる手法。
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In the electrolytic copper foil, the ratio (B/A) of the twin density B after heated at 380°C for 30 min to the normal twin density A measured by an EBSD (Electron Back Scatter Diffraction Patterns) method is ≥0.7.例文帳に追加
また、この電解銅箔は、EBSD法で測定した常態双晶密度(A)と、380℃×30min加熱後の双晶密度(B)との双晶密度比(B/A)の値が0.7以上であることが好ましい。 - 特許庁
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Weblio英和対訳辞書での「Electron Back Scatter Diffraction」の意味 |
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Electron backscatter diffraction
出典:『Wikipedia』 (2011/05/19 18:25 UTC 版)
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