electron band structureとは 意味・読み方・使い方

With the development of monochromators for STEMs, valence electron energy-loss spectroscopy (VEELS) has developed into a unique technique to study the band structure and optical properties of nanoscale materials.発音を聞く 例文帳に追加

STEMに対するモノクロメータの開発に伴い、価電子エネルギー損失分光(VEELS)は、ナノスケール材料のバンド構造と光学的性質を研究するための独特の技法に発展した。 - 科学技術論文動詞集

An activated area 9 has a quantum well structure of a band gap smaller than 1.3 electron volts, and is provided on the first portion 5a of the first clad layer 5.例文帳に追加

活性領域９は、１．３エレクトロンボルトより小さいバンドギャップの量子井戸構造を有しており、また第１のクラッド層５の第１の部分５ａ上に設けられている。 - 特許庁

The carbon catalyst is prepared, which has a defect in a carbon structure thereof and is characterized in that a parameter W of an X-band electron spin resonance spectrum appearing at 3,200-3,500 gauss is ≤11 gauss.例文帳に追加

炭素構造の中に欠陥を有し、3200〜3500ガウスに現れるＸ−バンド電子スピン共鳴スペクトルのパラメータＷが１１ガウス以下であるカーボン触媒を調製した。 - 特許庁

To improve the electron mobility of two-dimensional electronic gas in high electronic mobility transistor, which has hetero-structure consisting of an InGaN channel layer/InAlGaN wide band gap layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＮチャネル層／ＩｎＡｌＧａＮワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、２次元電子ガスの電子移動度をさらに向上させる。 - 特許庁

Two-dimensional photonic crystals are formed on a slab 21 having a quantum well structure obtained by alternately laminating a first semiconductor layer 211 and a second semiconductor layer 212 having partially overlapped electron band gaps by periodically forming pores 22 therein.例文帳に追加

電子のバンドギャップの一部が重複する第１半導体層２１１と第２半導体層２１２を交互に積層して成る量子井戸構造を有するスラブ２１に、周期的に空孔２２を形成することにより２次元フォトニック結晶を形成する。 - 特許庁

The microcrystal semiconductor film 13 is of crystal structure and 5 to 400 Å in average grain diameter based on the half band width of a Raman spectrum, 5 cm2 to 300 cm2/Vsec in electron mobility, and 7×1019 cm-3 or below in oxygen concentration.例文帳に追加

微結晶化した半導体膜１３の平均粒径はラマンスペクトルの半値巾から５Å〜４００Åの結晶構造を有し、電子移動度５ｃｍ^２〜３００ｃｍ^２／Ｖｓｅｃ、酸素濃度は７×１０^１９ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

A diamond semiconductor light-emitting device has a structure where a boron-doped p-type diamond layer, a hole-outflow blocking layer having a band gap exceeding 5.47 eV and formed of an oxide, a fluoride or a mixture of an oxide and an fluoride, and an electron injection layer are sequentially stacked.例文帳に追加

ホウ素がドープされたｐ形ダイヤモンド層と、バンドギャップが５．４７ｅＶ超であり、酸化物、フッ化物、またはこれらの混合物からなる正孔流出阻止層と、電子注入層とが順次積層された構造を有することを特徴とするダイヤモンド半導体発光素子。 - 特許庁

The material is structured as an adhesive tape material 20, a wrist band, or a supporter, etc. with the basic structure consisting of a flexible base material 12 made of textile and a water-soluble ionized mineral 14 with negative electron generating potential such as ionized titanium and ionized tourmaline which is molecular-bound with the base material.例文帳に追加

織布などを素材とする可撓性基材１２にマイナスエレクトロン発生能を有する、例えば、イオン化チタン、イオン化トルマリンなどを含む水溶性イオン化ミネラル１４を分子結合させることを基本構造として貼着テープ材２０、リストバンドさらにはサポータ等として構成する。 - 特許庁