electron band structureとは 意味・読み方・使い方

An activated area 9 has a quantum well structure of a band gap smaller than 1.3 electron volts, and is provided on the first portion 5a of the first clad layer 5.例文帳に追加

活性領域９は、１．３エレクトロンボルトより小さいバンドギャップの量子井戸構造を有しており、また第１のクラッド層５の第１の部分５ａ上に設けられている。 - 特許庁

The carbon catalyst is prepared, which has a defect in a carbon structure thereof and is characterized in that a parameter W of an X-band electron spin resonance spectrum appearing at 3,200-3,500 gauss is ≤11 gauss.例文帳に追加

炭素構造の中に欠陥を有し、3200〜3500ガウスに現れるＸ−バンド電子スピン共鳴スペクトルのパラメータＷが１１ガウス以下であるカーボン触媒を調製した。 - 特許庁

With the development of monochromators for STEMs, valence electron energy-loss spectroscopy (VEELS) has developed into a unique technique to study the band structure and optical properties of nanoscale materials.発音を聞く 例文帳に追加

STEMに対するモノクロメータの開発に伴い、価電子エネルギー損失分光(VEELS)は、ナノスケール材料のバンド構造と光学的性質を研究するための独特の技法に発展した。 - 科学技術論文動詞集

To improve the electron mobility of two-dimensional electronic gas in high electronic mobility transistor, which has hetero-structure consisting of an InGaN channel layer/InAlGaN wide band gap layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＮチャネル層／ＩｎＡｌＧａＮワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、２次元電子ガスの電子移動度をさらに向上させる。 - 特許庁

Concentrations of P and N injected into the channel layer are controlled to optimize a band structure so that a two-dimensional electron gas improved in its mobility and concentrated in its carrier density is generated and ionization due to a ionization collision is suppressed when it is driven.例文帳に追加

チャネル層に導入するＰとＮの濃度を調節してバンド構造を最適化することにより、駆動時には従来よりも高い移動度が高く、キャリア濃度が高い二次元電子ガスを生じるとともに、電離衝突によるイオン化が抑制される。 - 特許庁

The microcrystal semiconductor film 13 is of crystal structure and 5 to 400 Å in average grain diameter based on the half band width of a Raman spectrum, 5 cm2 to 300 cm2/Vsec in electron mobility, and 7×1019 cm-3 or below in oxygen concentration.例文帳に追加

微結晶化した半導体膜１３の平均粒径はラマンスペクトルの半値巾から５Å〜４００Åの結晶構造を有し、電子移動度５ｃｍ^２〜３００ｃｍ^２／Ｖｓｅｃ、酸素濃度は７×１０^１９ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

Two-dimensional photonic crystals are formed on a slab 21 having a quantum well structure obtained by alternately laminating a first semiconductor layer 211 and a second semiconductor layer 212 having partially overlapped electron band gaps by periodically forming pores 22 therein.例文帳に追加

電子のバンドギャップの一部が重複する第１半導体層２１１と第２半導体層２１２を交互に積層して成る量子井戸構造を有するスラブ２１に、周期的に空孔２２を形成することにより２次元フォトニック結晶を形成する。 - 特許庁

This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points.例文帳に追加

格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。 - 特許庁