Ge single crystalとは 意味・読み方・使い方

Silicon film is grown in high single crystal or polycrystalline state with higher concentration of percentage content of C or Ge than prescribed concentration.例文帳に追加

ＣやＧｅの含有率を所定濃度以上とすることによりシリコン膜成長時に、転位密度の高い単結晶もしくは多結晶状態での成長するようになる。 - 特許庁

The memory comprises a single crystal Ge substrate 11 whose main surface is a (001) crystal face, memory cells 12 arranged in a matrix on the main surface, memory boundary lines 13 partioning the memory cells 12, and a dimer 15 constituted of four dimers 15 formed of Ge atoms 14 on the uppermost of the crystal face and arranged in 2 lines 2 rows.例文帳に追加

主面を（００１）結晶面とする単結晶Ｇｅ基板１１と、主面上にマトリックス状に配列されたメモリセル１２と、メモリセル１２同士を区切るメモリ境界線１３などから構成し、メモリセル１２は、結晶面の最表面にあるＧｅ原子１４が形成するダイマー１５が２行２列に並んだ４つのダイマー１５から構成されている。 - 特許庁

The gallium oxide single-crystal substrate containing at least the one element selected from Si, Ge, Sn, Al is nitrided at 850-1000°C, with an ammonia (NH_3) flow rate of 80-120 sccm, and for 50-100 minutes to form the gallium nitride crystal on the gallium oxide single-crystal substrate surface.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌから選択された少なくとも一種の元素を含有する酸化ガリウム単結晶基板を、温度８５０〜１０００℃、アンモニア（ＮＨ_3）流量８０〜１２０ｓｃｃｍ、時間５０分〜１００分の条件で窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 特許庁

The nitride single crystal of high quality is grown on the silicon substrate 31 using the buffer layer containing Si and Ge, thereby manufacturing the nitride semiconductor light emitting element having silicon substrate in place of an expensive sapphire substrate or an SiC substrate.例文帳に追加

シリコン基板３１上にＳｉとＧｅを含んだバッファ層を利用して高品質窒化物単結晶を成長させることにより、高価なサファイア基板またはＳｉＣ基板を代替してシリコン基板を含んだ窒化物半導体発光素子を製造することができる。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁

The method includes a step (1202) for forming a single crystal Si substrate having surfaces, a step (1204) for forming Si feature such as via, trench, or pillar in the substrate, a step (1206) for forming dots from materials of Ge superimposed on the Si feature or silicon germanium, and a step(1208) for forming the path including the dots.例文帳に追加

本発明の方法は、表面を有する単結晶Ｓｉ基板を形成するステップ（１２０２）と、基板内に、ビア、トレンチ、またはピラーのようなＳｉフィーチャを形成するステップ（１２０４）と、Ｓｉフィーチャの上に重なるＧｅまたはシリコンゲルマニウムの材料からドットを形成するステップ（１２０６）と、ドットを含む光路を形成するステップ（１２０８）とを含有する。 - 特許庁