L-shaped drainとは 意味・読み方・使い方

To provide a concrete part body of an L-shaped side ditch block for road surface drainage or the like and a road surface drainage system which properly drain the water on a road surface in rainfall, and excel in workability.例文帳に追加

路面排水用コンクリート部体の創案に係り、降雨時などにおける路面からの排水を適切に行うことができ、また施工性の優れた路面排水用L型側溝ブロックその他のコンクリート部体および路面排水装置を得る。 - 特許庁

An exposure mask 32 is used at the time of forming a photoresist film for forming the roughly L-shaped drain electrode and the straight line-shaped source electrode of a thin film transistor.例文帳に追加

露光マスク３２は、薄膜トランジスタのほぼＬ字状のドレイン電極および直線状のソース電極などを形成するためのフォトレジスト膜を形成する際に使用するものである。 - 特許庁

Each L-shaped spacer includes a vertical portion covering the side wall of the gate pattern, and a lateral portion extending from the bottom of the vertical portion over the source/drain regions.例文帳に追加

Ｌ型スペーサーは、ゲートパターンの一側壁を覆う垂直部及びソース／ドレーン領域上に垂直部の下部から延長された水平部を含む。 - 特許庁

Ions are implanted using an L-shaped silicon nitride film 16 formed on the side of a gate electrode 3 and a silicon oxide film covering the silicon nitride film 16 as a mask to form source/drain regions 9.例文帳に追加

ゲート電極３の側面に形成されたＬ字型のシリコン窒化膜１６と、シリコン窒化膜１６を覆っていたシリコン酸化膜とをマスクとしてイオン注入を行ってソース／ドレイン９を形成する。 - 特許庁

Thereafter, after a low concentration source/drain region 5 is formed sideward and beneath the gate electrode 4, a side wall 6 which comprises a laminated film of an L-shaped oxide film side wall 6a and a nitride film side wall 6b is formed.例文帳に追加

その後、ゲート電極４の側方下に低濃度ソース・ドレイン領域５を形成した後、Ｌ字状の酸化膜サイドウォール６ａと窒化膜サイドウォール６ｂの積層膜からなるサイドウォール６を形成する。 - 特許庁

This relates to a drain valve 1B for a foamed resin container and the container with the drain valve using this drain value comprising an L-shaped member 2 which has a lateral handle mounted in the bottom end vicinity of a cylindrical vertical pipe 2a having a drainage channel 2b inside with a drainage inlet 2c bored or cut in the pipe wall of the pipe 2a.例文帳に追加

内部に排水路２ｂを有する円筒状の縦管２ａの下端付近から取っ手部が横設されたＬ字状部材２からなり、前記縦管２ａの管壁に排水入口２ｃが穿設又は切設されていることを特徴とする発泡樹脂製容器用のドレン弁１Ｂ及びこのドレン弁を用いたドレン弁付容器である。 - 特許庁

A large number of semiconductor chips 12 are juxtaposed in series on a base board 13 serving as a drain electrode, where a drain electrode terminal 21 for inputting a drain current from the outside into the inner circuit has angle structure of reverse L-shaped cross-section and the lower end of back face thereof stands in parallel with the semiconductor chips on the side face of the base board 13.例文帳に追加

多数の半導体チップ１２がドレイン電極を兼ねたベース基板１３上に直列に並置され、また外部からのドレイン電流を内部回路に入力するためのドレイン電極端子２１は側断面が逆Ｌ字型のアングル構造で、その背面下端を該半導体チップの並置列と平行にベース基板１３側面に立設して接続している。 - 特許庁

The drain piece 21 is so formed that the lower side is bent outward to horizontally project a receiving section 23 having an inverted L-shaped section 23 coming into contact with the front of the frame to the bent end, and the receiving section 23 has a continuous foam sponge 24 on the upper surface to contact to the lower end faces of the external wall panels.例文帳に追加

排水ピース２１は下側部が外向きに折曲して折曲端にフレーム前面に当たる断面倒Ｌ形の受け部２３を横向きに張り出して形成し、受け部２３は上面に連泡スポンジ２４を有し、外壁パネル下端面に接触する。 - 特許庁