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MOS device designとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 MOS装置設計
「MOS device design」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
To provide dummy pattern design for reducing the performance drift of a MOS device caused by a difference of stress applied on the MOS device.例文帳に追加
MOSデバイスに加えられる応力の違いに起因するMOSデバイスの性能のドリフトを低減するダミーパターン設計を提供する。 - 特許庁
MOS-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE IN SOI STRUCTURE AND DESIGN METHOD THEREFOR例文帳に追加
ＳＯＩ構造のＭＯＳ型半導体装置及びその設計方法 - 特許庁
To provide a semiconductor device which is equipped with a HV-MOS (high withstand voltage MOS transistor) that is short in channel length and of high withstand voltage and mutual conductance by a method wherein a design rule of 0.6 μm or below is applied even to the HV-MOS.例文帳に追加
０．６μｍルール以下のデザインルールをＨＶ−ＭＯＳにも適用して、短チャネル長で、高耐圧、高相互コンダクタンスのＨＶ−ＭＯＳを有する半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a MOS semiconductor device which can deal with a process of making the diameter of a wafer large and with a process of making a design rule fine, and which is isolated from a semiconductor substrate.例文帳に追加
ウェハの大口径化やデザインルールの微細化プロセスに対応できる、半導体基板から分離させたＭＯＳ半導体装置を提供。 - 特許庁
To provide a circuit diagram-design device which is suitable for designing a circuit diagram relating to a semiconductor integrated circuit including a multi-element circuit in which circuit elements such as MOS transistors are connected in series via common parts, and to provide a circuit diagram-design program and a circuit diagram-design method.例文帳に追加
ＭＯＳトランジスタなどの回路素子を共有部分を介して連続接続してなるマルチ素子回路を含む半導体集積回路に係る回路図を設計するのに好適な回路図設計装置、回路図設計プログラム及び回路図設計方法を提供する。 - 特許庁
To provide a circuit diagram design device, a circuit diagram design program and a circuit diagram design method suitable for designing a circuit diagram related with a semiconductor integrated circuit including a multi-element circuit configured by continuously connecting a circuit element such as an MOS transistor through a shared section.例文帳に追加
ＭＯＳトランジスタなどの回路素子を共有部分を介して連続接続してなるマルチ素子回路を含む半導体集積回路に係る回路図を設計するのに好適な回路図設計装置、回路図設計プログラム及び回路図設計方法を提供する。 - 特許庁
Thus, regarding the design of the chip, a large area can be allotted to the multisource N-channel MOS-FET 32 and the ON-resistance of the MOS-FET 32 can be reduced, so that the current capacity of the power device PD3 can be set large.例文帳に追加
このように、チップの設計上、マルチソースＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３２に割り当てることの可能な面積が大きくなり、そのオン抵抗を小さくすることが可能となって、パワーデバイスＰＤ３の電流容量を大きく設定することができる。 - 特許庁
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「MOS device design」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
To provide a semiconductor device having a potential supply means at a gate electrode in the high freedom of design in an array where vertical MOS transistors are integrated.例文帳に追加
縦型ＭＯＳトランジスタが密集するアレイ部において、設計自由度の高いゲート電極への電位供給手段を有した半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and its manufacturing method by which the generation of hump can be suppressed in the electrical characteristic of a transistor and which can design a highly accurate MOS transistor circuit.例文帳に追加
トランジスタの電気的特性においてハンプの発生を抑制し、高精度なＭＯＳトランジスタの回路を設計できる半導体装置装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a MOS semiconductor device capable of increasing channel density per unit area by the same design rule, and capable of reducing on-resistance; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
同一のデザインルールで、単位面積当たりのチャネル密度を高くでき、低オン抵抗とすることのできるＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide an SOI structure MOS type semiconductor device which can effectively make use of layout design information for use in a bulk MOSFET and can attain an enhancement in the stable sufficient current drive ability, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
バルクＭＯＳＦＥＴで用いられているレイアウト設計情報を有効に活用でき、かつ安定した十分な電流駆動能力の向上を達成するＳＯＩ構造ＭＯＳ型半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a MOS type semiconductor device improved in breakdown resistance and having high reliability by suppressing a gain increase of a parasitic transistor caused by photo pattern defect liable to occur due to micronization of a process design rule.例文帳に追加
プロセスデザインルールの微細化に伴って発生しやすくなるフォトパターン欠陥に起因する寄生トランジスタのゲイン増大を抑制して破壊耐量を向上させて信頼性の高いＭＯＳ型半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a reliable method and a device which enable design-keeping transition from an existing non-fin design structure to a functionally identical structure based on a technology of a double-gate fin-base field-effect transistor FinFET in a metal-oxide semiconductor MOS, a device of a complementary metal-oxide semiconductor CMOS, and designing chips of the semiconductors.例文帳に追加
金属酸化物半導体（ＭＯＳ）、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）のデバイス、並びにそれらのチップ設計に於いて、既存の非フィン設計構造からＦｉｎＦＥＴ（ダブル・ゲート・フィン・ベース電界トランジスタ）技術に基づく機能的に同一の構造に設計を維持したまま移行する事ができる信頼できる方法及び装置の提供。 - 特許庁
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MOS装置設計
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