NATIVE OXIDEとは 意味・読み方・使い方

Consequently, impurities adhering to the amorphous silicon layer is reduced as compared with a process where a native oxide film is formed.例文帳に追加

その結果、自然酸化膜を形成する工程に比べ、非晶質シリコン層に付着する不純物が減少する。 - 特許庁

Impurities, such as a native oxide layer and the like, in a surface of the substrate 2 to be treated are removed mainly by the activated hydrogen.例文帳に追加

被処理基板２表面の自然酸化膜などの不純物は主に活性化された水素によって除去される。 - 特許庁

A step for removing a native oxide layer 10 from the surface of the silicon substrate 1 using chemical may precedes the step for forming a silicon oxide film 3a on the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜３ａを形成する工程の前に、薬液を用いてシリコン基板１の表面から自然酸化膜１０を除去する工程を具備してもよい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an image sensor in which a native oxide film is prevented from being formed on an undercut to improve reliability of an element.例文帳に追加

アンダーカットに自然酸化膜が形成されるのを防止し、素子の信頼性を向上できるイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method, a processing device, and a program of a workpiece which can remove a native oxide film formed in the workpiece.例文帳に追加

被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To remove the native oxide without reducing the thickness of a gate sidewall insulating film, by setting the etching rate of the gate sidewall insulating film formed of a silicon nitride film which is formed by LP-CVD method by using HCD as a material gas sufficiently lower than that of the native oxide.例文帳に追加

原料ガスとしてＨＣＤを用いたＬＰ−ＣＶＤ法により形成した、シリコン窒化膜からなるゲート側壁絶縁膜のエッチングレートを、自然酸化膜のエッチングレートよりも十分に遅くし、ゲート側壁絶縁膜の薄膜化を招くことなく、自然酸化膜を除去すること。 - 特許庁

By a controller 100 of a thermal processing device 1, the inside of a reaction tube 2 is heated at 400°C storing a semiconductor wafer W where a native oxide film is formed.例文帳に追加

熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。 - 特許庁

To improve the quality of a semiconductor device by suppressing the generation of particles while the increase of a native oxide film is suppressed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に於いて、自然酸化膜の増大を抑制しつつ、更にパーティクルの発生を抑制し、半導体装置の品質の向上を図る。 - 特許庁