O-TAとは 意味・読み方・使い方

PLASMA ETCHING PROCESS OF Ir-Ta-O ELECTRODE AND CLEANING METHOD AFTER ETCHING例文帳に追加

Ｉｒ−Ｔａ−Ｏ電極のプラズマエッチングおよびエッチング後のクリーニングのための方法 - 特許庁

There is provided the p-type semiconductor material containing tantalum (Ta) to which nitrogen (N) is added, and oxygen (O).例文帳に追加

窒素（Ｎ）が添加されたタンタル（Ｔａ）及び酸素（Ｏ）を含むｐ型の半導体材料とする。 - 特許庁

The heating resistor is formed of a nonmetallic substance consisting of four elements Ta, Si, O and N.例文帳に追加

発熱抵抗体を、Ｔａ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの４元素から成る非金属的物質で形成する。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

The oxygen concentration Cb of the O/L period Tb and the oxygen concentration Ca of the non-O/L period Ta are arithmetically operated by the A/F sensor 5 (S15).例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサ５により、Ｏ／Ｌ期間Ｔｂの酸素濃度Ｃｂと、非Ｏ／Ｌ期間Ｔａの酸素濃度Ｃａを演算する（Ｓ１５）。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

A buffer film 3 comprising a Ta-Si-O system material is formed on one side 2a of the glass substrate 2 and a connecting film 4 comprising Ta is formed on the buffer film 3.例文帳に追加

ガラス基板２の一方の面２ａに、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ系材料からなる緩衝膜３を成膜し、Ｔａからなる結合膜４を緩衝膜３上に成膜する。 - 特許庁

The resistors 24 and 25 having Ta, Si, Nb and O have higher specific resistance as compared with a conventionally used resistor of Ta or TaN.例文帳に追加

Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｂ及びＯを有して成る抵抗体２４，２５は、従来から使用されているＴａや、ＴａＮで形成された抵抗体に比べて比抵抗が高い。 - 特許庁