P reachesとは 意味・読み方・使い方

When the speed of the E/G 5 reaches a predetermined speed, the electric O/P 11 is driven.例文帳に追加

Ｅ／Ｇ５の回転数が所定回転数になると、電動Ｏ／Ｐ１１が駆動される。 - 特許庁

That is, the paper P is carried at the second speed until the tip of the paper P reaches a switchback possible position in the storage part from the entrance.例文帳に追加

すなわち、用紙Ｐは、用紙Ｐの先端が入出口から収容部内のスイッチバック可能な位置に到達するまで、第二の速度で搬送される。 - 特許庁

The coordinates position of the operating point Z_p(9) reaches an available best quasi-matching point Z_B extremely close to the origin O (the matching point Z_S), and the movement of the operating point Z_p is stopped at this position.例文帳に追加

動作点Ｚ_p(9)の座標位置は原点Ｏ（整合点Ｚ_S）に非常に近い実現可能なベストの擬似的整合点Ｚ_Bであり、この位置で動作点Ｚ_pの移動を止める。 - 特許庁

A p-side electrode 4 penetrates the n-type semiconductor layer 21 positioned on the side of the support layer 1 from the side of the support layer 1, and a tip thereof reaches the p-type semiconductor layer 23.例文帳に追加

p側電極４は、支持層１側に位置するｎ型半導体層２１を、支持層１の側から貫通し、先端がｐ型半導体層２３に達している。 - 特許庁

When the tip of the paper P reaches a switchback possible position in the storage part, the paper P is guided in a switchback downstream passage, and the paper P is carried again up to the printing part (S15).例文帳に追加

そして、収容部内において、用紙Ｐの先端がスイッチバック可能な位置に到達すると、用紙Ｐをスイッチバック下流経路に案内し、再び印刷部まで用紙Ｐを搬送する（Ｓ１５）。 - 特許庁

Then, when the tip part of the press plate P reaches the punch unit 4, the following movable pin 113 pushes out the rear end part of the press plate P and the tip part of the press plate P is abutted to the punch unit 4.例文帳に追加

そして、刷版Ｐの先端部分がパンチユニット４に到達すると、追尾して動作していた可動ピン１１３が刷版Ｐの後端部分を押し出して、刷版Ｐの先端部分をパンチユニット４に付き当てる。 - 特許庁

After the pressure P is reduced, the die 2 is allowed to descend before the reduction of the pressure P is stopped, and the molding 7 is drawn out of the die 2 before the pressure P reaches zero.例文帳に追加

圧力Ｐの減少が生じた後、圧力Ｐの減少が停止する前に、ダイ２の降下を開始させ、圧力Ｐがゼロになる前に成形体７をダイ２から抜き取り終る。 - 特許庁

Further, a trench 25 penetrates the n^+-type region 24 and the p^--type region 23, and the deepest section is formed so that it reaches the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

さらに、トレンチ２５が、Ｎ^＋型領域２４およびＰ^−型領域２３を貫通し、最深部が半導体基板１１に達するように形成されている。 - 特許庁