POLYTYPEとは 意味・読み方・使い方

To produce a silicon carbide single crystal formed of 6H polytype only.例文帳に追加

６Ｈ型の結晶多形単一で形成される炭化ケイ素単結晶を製造する。 - 特許庁

The crystal polytype of the silicon carbide single crystal substrate is 4H, its thickness is 0.05-0.4 mm, and its offset angle from plane {0001} is 1-12°.例文帳に追加

また、炭化珪素単結晶基板の結晶多形(ポリタイプ)は、4H型であり、その厚さを0.05mm以上0.4mm以下、｛0001｝面からのオフセット角度を1°以上12°以下とする。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a 4H polytype SiC substrate 10, and an electrode 6 formed on the surface of the substrate 10.例文帳に追加

半導体装置１００は、４Ｈ構造の炭化珪素基板１０と、基板１０の表面に形成されている電極６を備えている。 - 特許庁

To provide a SiC single crystal of a lower order polytype including a 2H-SiC crystal and provide a method for producing the same.例文帳に追加

２Ｈ−ＳｉＣ結晶を含む下位ポリタイプの単結晶ＳｉＣ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The single crystal wafer of SiC has a diameter of at least about 100 mm, a micropipe density of less than about 25 cm^-2, and a polytype selected from a group consisting of 3C, 4H, 6H, 2H and 15R polytypes.例文帳に追加

少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^−２未満のマイクロパイプ密度とを有し、また、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈおよび１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプを有するＳｉＣ単結晶ウェハ。 - 特許庁

A 3C polytype layer 12, which extends obliquely relative to the surface of the substrate 10 and whose end face on the substrate surface side is in contact with the electrode 6, is formed on the surface layer of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０の表層に、表面側の端面が電極６に接しているとともに、基板１０の表面に対して斜めに伸びている３Ｃ構造層１２が形成されている。 - 特許庁

Since the width of the passageway of the electrons is determined by the thickness of the 3C polytype layer 12, the electrons are able to reach the electrode at a speed close to the theoretical value, by virture of the quantum wire effect.例文帳に追加

３Ｃ構造層１２の厚みによって電子の通路の幅が規定されるので、量子細線効果によって電子は理論値に近い速度で電極に達することができる。 - 特許庁

A polytype crystal can stably be grown by forming a flow passage for discharging a gas from the inside of a crucible to the outside of the crucible in a graphite crucible for producing the silicon carbide single crystal by the sublimation recrystallization method using the silicon carbide as the raw material.例文帳に追加

炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を製造するための黒鉛坩堝に、坩堝内部から坩堝外部へガスが抜ける流路を形成することで、ポリタイプの安定した結晶成長が得られるようにする。 - 特許庁