RF magnetronとは 意味・読み方・使い方

The conductive material is, for example, a target after RF magnetron sputtering under an atmosphere containing nitrogen, using the Li_4Ti_5O_12 sintered body as the target.例文帳に追加

この導電材料は、例えば、Ｌｉ_4Ｔｉ_5Ｏ_12焼結体をターゲットとして用いて、窒素を含む雰囲気中で、ＲＦマグネトロンスパッタリングを行った後のターゲットである。 - 特許庁

These can be obtained by the RF magnetron sputtering method in which titanium oxide having a diameter of 100 mm is used as a target, and boron (B) chips each having a 5 mm square are uniformly arranged on the target.例文帳に追加

これらは、ターゲットを直径１００ｍｍの酸化チタンとし、この上に５ｍｍ角のホウ素（Ｂ）チップを均一に配置し、ＲＦマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 - 特許庁

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。 - 特許庁

The etching may be done by preferably argon ions inductively excited by an RF coil around the chamber, or by copper ions, which may be formed with high target power and an intense magnetron, or by use of the RF coil.例文帳に追加

該エッチングは、好ましくは、該チャンバの周りのＲＦコイルによって誘導励起されたアルゴンイオンによって、又は、高いターゲット電力及び極めて強いマグネトロンで形成することができる銅イオンによって、あるいは、ＲＦコイルの使用によって行うことができる。 - 特許庁

The high-dielectric thin-film capacitor is manufactured by forming an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on a glass substrate by an RF magnetron sputtering method, then forming SrTiO 3 on the electrode 2 by the RF magnetron sputtering method and forming again an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on the high-dielectric thin- film.例文帳に追加

ガラス基体上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成後、前記電極上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｒＴｉＯ3を形成し、再び前記高誘電体薄膜上にＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetooptic disk which can form a magnetooptic recording film of small particle size enough for good magnetic field sensitivity and high-density recording by using an inductively coupled RF plasma supported magnetron sputtering device.例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁界感度が良く、高密度記録に適した十分に粒径の小さな光磁気記録膜を成膜できる光磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

While a heat radiation sheet 20 is tightly stuck to a space between a base 8 and a resin sheet 9 within a vacuum chamber 12 of an RF magnetron sputtering apparatus 1, a vapor deposited film 11 is deposited on the resin sheet 9.例文帳に追加

ＲＦマグネトロンスパッタ装置１の真空チャンバ１２内にて、基台８と樹脂シート９の間に放熱シート２０を密着させた状態で、前記樹脂シート９上に蒸着膜１１を成膜する。 - 特許庁

A high dielectric thin film capacitor is manufactured in such a way that, after an Al metallic electrode 2 is formed on a glass substrate 1 by the DC magnetron sputtering method, an SrTiO3 film 3 is formed on the electrode 2 as a high dielectric thin film by the RF magnetron sputtering method and another Al metallic electrode 2 is formed on the thin film 3.例文帳に追加

ガラス基体１上にＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｌの金属電極２を形成後、前記電極２上にＲＦマグネトロンスパッタ法により高誘電体薄膜としてＳｒＴｉＯ_3３を形成し、再び前記高誘電体薄膜３上にＡｌの金属電極２を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁