SEMI-CONDUCTOR WAFERとは 意味・読み方・使い方

A load is applied to the corner parts 1c, 1d on the other diagonal line in the polycrystaline semi-conductor wafer 1 from an upper face side of the polycrystaline semi-conductor wafer 1.例文帳に追加

そして、多結晶半導体ウエハ１の他方の対角線上の角部１ｃ，１ｄに対して、多結晶半導体ウエハ１の上面側から荷重を負荷する。 - 特許庁

SAW WIRE, WIRE SAW, METHOD OF CUTTING SEMI-CONDUCTOR BLOCK USING THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

ソーワイヤ、ワイヤソーおよびそれを用いた半導体ブロックの切断方法、並びに、半導体ウエハの製造方法および半導体ウエハ - 特許庁

ELECTROLESS PLATING APPARATUS, SEMI-CONDUCTOR WAFER WITH BUMP, SEMICONDUCTOR CHIP WITH BUMP, MANUFACTURING METHOD THEREOF, SEMICONDUCTOR DEVICE, CIRCUIT SUBSTRATE, AND ELECTRONIC APPLIANCE例文帳に追加

無電解メッキ装置、バンプ付き半導体ウエハ及びバンプ付き半導体チップ並びにこれらの製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器 - 特許庁

SEED LAYER FORMING METHOD FOR DAMASCENE COPPER WIRE, AND SEMI-CONDUCTOR WAFER FORMING DAMASCENE COPPER WIRE USING THE METHOD例文帳に追加

ダマシン銅配線用シード層形成方法、及びこの方法を用いてダマシン銅配線を形成した半導体ウェハー - 特許庁

A work is particularly a semi-conductor wafer, and its outer circumference is engaged with a grinding groove 2a provided in the outer circumferential end face for grinding.例文帳に追加

被加工物は特に半導体ウエーハとし、その外周を前記砥石の外周端面に設けた研磨溝に係合して研磨する。 - 特許庁

To provide a device and a method for polishing capable of preventing excess and deficiency of the polishing quantity at a peripheral edge of a semi-conductor wafer 4, performing polishing with a high degree of flatness, and intentionally increasing/decreasing the polishing quantity at the peripheral edge of the semi-conductor wafer 4, and to provide a top ring.例文帳に追加

半導体ウエハ４の周縁部における研磨量の過不足を防止し、より平坦度の高い研磨を行うことができ、また半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を意図的に増減することができるポリッシング装置及び方法並びにトップリングを提供する。 - 特許庁

To provide a substrate holding device capable of providing the same polishing quantity distribution as film thickness distribution on a surface of a semi-conductor wafer and stably polishing a substrate even in the case where film thickness of the substrate, in particular of the semi-conductor wafer has film thickness distribution different in the radial direction and a substrate polishing device using the substrate holding device.例文帳に追加

基板、特に半導体ウエハの膜厚が半径方向で異なる膜厚分布を有する場合でも、半導体ウエハの表面上の膜厚分布と同じ研磨量分布を得ることができ、且つ安定した研磨ができる基板保持装置及び該基板保持装置を用いた基板研磨装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing device capable of preventing excess and deficiency of the polishing quantity at a peripheral edge of a semi-conductor wafer 4, performing polishing of high flatness, and intentionally controlling the polishing quantity at the peripheral edge of the semi-conductor wafer 4.例文帳に追加

半導体ウエハ４の周縁部における研磨量の過不足を防止し、より平坦度の高い研磨を行うことができ、また半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を意図的に増減することができるポリッシング装置を提供する。 - 特許庁