semiconductor wafer fabricationとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a semiconductor wafer wherein the entire fabrication volume is reduced.例文帳に追加

全体の加工量を削減できる半導体ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

DEVICE EVALUATION ELEMENT, TEG, SEMICONDUCTOR WAFER, SEMICONDUCTOR DEVICE EVALUATION METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION PROCESS例文帳に追加

デバイス評価用素子、テグ、半導体ウエハー、半導体デバイス評価方法および半導体デバイス製造方法 - 特許庁

To provide an improved apparatus and method for storing semiconductor wafer carriers and for loading wafers or wafer carriers to a fabrication tool.例文帳に追加

半導体ウェハ容器を保管すると共に、ウェハ又はウェハ容器を製造ツールに装荷するための改良式装置及び方法が提供される。 - 特許庁

To enhance fabrication yield of semiconductor device by preventing adhesion of foreign matters such as fine particles onto a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上への微粒子などの異物の付着を防止し、半導体装置の製造歩留りを向上する。 - 特許庁

To provide a fabrication method of a semiconductor element capable of processing a shape of different etching depth easily in the same wafer surface.例文帳に追加

同一ウエハ面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor wafer comprises a step for acquiring device fabrication process information, a step for selecting a corresponding wafer production process, and a step for producing a wafer by a selected production process.例文帳に追加

デバイス製造工程情報を入手する段階と、対応したウエーハ製造工程を選択する段階と、選択された製造工程によりウエーハを製造する段階とから成る半導体ウエーハの製造方法。 - 特許庁

Then, optimum polishing time of a semiconductor wafer of product type "B" is predicted using mask data of the semiconductor wafer of product type "B" to be a fabrication object, and the basic formula including the parameter value determined in S202 (S203).例文帳に追加

つぎに加工対象となる製品種「Ｂ」の半導体ウエハのマスクデータと、Ｓ２０２でパラメータ値を定めた基礎式とを用いて、製品種「Ｂ」の半導体ウエハの最適研磨時間を予測する(Ｓ２０３)。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device which can carry out sufficient heat treatment while minimizing aggravation of the surface state of an SiC wafer, and to provide a semiconductor device which is fabricated by the fabrication process and exhibiting excellent characteristics.例文帳に追加

ＳｉＣウェハの表面状態の悪化を抑制しつつ、十分な熱処理を実施することが可能な半導体装置の製造方法、および当該製造方法により製造されることにより、優れた特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁