semiconductor wafer fabricationとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a semiconductor wafer wherein the entire fabrication volume is reduced.例文帳に追加

全体の加工量を削減できる半導体ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance fabrication yield of semiconductor device by preventing adhesion of foreign matters such as fine particles onto a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上への微粒子などの異物の付着を防止し、半導体装置の製造歩留りを向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which fabrication cost is reduced as compared with that of a conventional wafer level chip size package (W-CSP), and also to provide its fabrication process.例文帳に追加

従来のウエハレベル・チップサイズパッケージ（W-CSP）よりも製造コストを低く抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved apparatus and method for storing semiconductor wafer carriers and for loading wafers or wafer carriers to a fabrication tool.例文帳に追加

半導体ウェハ容器を保管すると共に、ウェハ又はウェハ容器を製造ツールに装荷するための改良式装置及び方法が提供される。 - 特許庁

Ruthenium on a substrate such as a semiconductor wafer or ruthenium stuck to a semiconductor fabrication device is subjected to etching using a composition for ruthenium containing chlorine and water.例文帳に追加

半導体ウエハ等の基板上のルテニウムや、半導体製造装置に付着したルテニウムを、塩素及び水を含むルテニウムのエッチング用組成物でエッチングする。 - 特許庁

To provide a device and a method for fabrication of a semiconductor wafer test MAP chart which fabricates a MAP chart by which an user can recognize the test result of a chip on a wafer visually.例文帳に追加

使用者がウエハ上のチップのテスト結果を視覚的に認識できるＭＡＰ図を作成する半導体ウエハテストＭＡＰ図作成装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor wafer, and method and system for receiving production order of wafer in which wafers are supplied in accordance with the device fabrication process of a device manufacturer.例文帳に追加

デバイスメーカのデバイス製造工程に合ったウエーハを供給する半導体ウエーハの製造方法、ウエーハ製造の受注方法、受注システムを提供する。 - 特許庁

Then, optimum polishing time of a semiconductor wafer of product type "B" is predicted using mask data of the semiconductor wafer of product type "B" to be a fabrication object, and the basic formula including the parameter value determined in S202 (S203).例文帳に追加

つぎに加工対象となる製品種「Ｂ」の半導体ウエハのマスクデータと、Ｓ２０２でパラメータ値を定めた基礎式とを用いて、製品種「Ｂ」の半導体ウエハの最適研磨時間を予測する(Ｓ２０３)。 - 特許庁