意味 | 例文 (7件) |
SLM-2とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「SLM-2」の意味 |
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SLM-2
human | 遺伝子名 | SLM-2 |
同義語(エイリアス) | etoile; SALP; RNA-binding protein T-Star; Sam68-like phosphotyrosine protein; Sam68-like mammalian protein 2; T-STAR; SLM2; Etle; KHDRBS3 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:O75525 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:10656 | |
その他のDBのID | HGNC:18117 |
mouse | 遺伝子名 | SLM-2 |
同義語(エイリアス) | Khdrbs3; Salp; Etle; RNA-binding protein Etoile; Slm2; Sam68-like mammalian protein 2; T-STAR | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9R226 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:13992 | |
その他のDBのID | MGI:1313312 |
rat | 遺伝子名 | SLM-2 |
同義語(エイリアス) | Khdrbs3; etoile Sam68-like protein SLM-2; Etle; rSLM-2; Slm2; Sam68-like mammalian protein 2 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9JLP1 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:64015 | |
その他のDBのID | RGD:620921 |
yeast | 遺伝子名 | SLM2 |
同義語(エイリアス) | Uncharacterized protein YNL047C; N2515; LIT1; YNL047C; YNL2515P | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P53955 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:855680 | |
その他のDBのID | SGD:S000004992 |
yeast | 遺伝子名 | SLM2 |
同義語(エイリアス) | YLR320W; MMS22 | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:851030 | |
その他のDBのID | SGD:S000004312 |
本文中に表示されているデータベースの説明
- SWISS-PROT
- スイスバイオインフォマティクス研究所と欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発・運営されているタンパク質のアミノ酸配列のデータベース。
- EntrezGene
- NCBIによって運営されている遺伝子データベース。染色体上の位置、配列、発現、構造、機能、ホモロジーデータなどが含まれている。
- HGNC
- HUGO遺伝子命名法委員会により運営される、ヒト遺伝子に関するデータベース。
- MGI
- 様々なプロジェクトによる、研究用マウスの遺伝的・生物学的なデータを提供するデータベース。
- RGD
- ウィスコンシン医科大学により運営される、ラットの遺伝子・ゲノム情報のデータベース。
- SGD
- スタンフォード大学医学部内で運営されている、出芽酵母の一種のSaccharomyces cerevisiaeの生態や遺伝子情報に関するデータベース。
「SLM-2」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 7件
Thereafter, the sapphire substrate 1 with the surface modified layer 2 formed thereon is carried into a gas phase growing device in an atmosphere containing ammonium of 20 slm, hydrogen of 30 slm and nitrogen of 50 slm, then, temperature is raised to the growing temperature (1100°C) of the GaN layer (nitride semiconductor layer) 3 to grow the GaN layer 3 on the surface of the surface modified layer 2.例文帳に追加
その後、表面改質層2を形成したサファイア基板1を、20slmのアンモニア、30slmの水素及び50slmの窒素を含む雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、GaN層(窒化物半導体層)3の成長温度(1100℃)にまで昇温し、表面改質層2の表面にGaN層3を成長させる。 - 特許庁
First, a page data region that can be simultaneously displayed on a display screen of an SLM (spatial light modulator) 10 is divided into N regions (where N is an integer of 2 or more) (S1).例文帳に追加
まず、SLM10の表示画面上に同時に表示可能なページデータ領域をN分割(Nは2以上の整数)する(S1)。 - 特許庁
When a signal output device 280 is connected to a charging connector 25, a signal SLM output from the signal output device 280 is sent to a control unit 2 via a signal line installed between the charging connector 25 and the control unit 2.例文帳に追加
信号出力装置280が充電コネクタ25に接続されると、信号出力装置280から出力された信号SLMは、充電コネクタ25と制御部2との間に設けられた信号線を介して制御部2に送られる。 - 特許庁
When digital information corresponding to contents of one page to be recorded is inputted as an electric signal to a SLM (spatial light modulator) 2, the light transmitted (or reflected) by the SLM is converted into a two-dimensional light-and-dark pattern according to the input signal to irradiate a diffraction grating 3 formed as integrated on the surface of a hologram recording medium 4.例文帳に追加
SLM2に記録されるべき1ページ分のディジタル情報が電気信号として入力されると、SLMを通過(又は反射)した光は、入力信号に応じた2次元の明暗パターンから成る信号光として変換され、ホログラム記録媒体4の表面に一体に形成された回折格子3に照射される。 - 特許庁
N2 gas is fed at 0.5-3.0 slm to a BPSG film 2 formed on a semiconductor substrate 1, thereby annealing it and then connection holes 6 are formed in the annealed BPSG film.例文帳に追加
半導体基板1上に形成したBPSG膜2に、N_2ガスを0.5slm以上3.0slm以下供給してアニール処理を施し、このアニール処理後のBPSG膜に接続孔6を形成する。 - 特許庁
Page data are input to the modulation table 12 of a control section 2 in the form of signal bit column and modulated to the form of block pattern and sent out to an SLM 3.例文帳に追加
ページデータは、信号ビット列の形式で制御部2の変調テーブル12に入力され、ブロックパターンの形式に変調されてSLM3に送出される。 - 特許庁
The method of manufacturing the photoelectric conversion device 100 includes a step of forming a photoelectric converting layer 3 of silicon on a substrate 1 by using a plasma CVD technique using a gas containing a silane gas and a hydrogen gas as a raw material gas under the condition where a flow rate of the hydrogen gas per unit area of the substrate 1 is 80 slm/m^2 or more.例文帳に追加
基板1上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマCVD法を用いて、前記基板1の単位面積当たりの前記水素ガス流量80slm/m^2以上の条件で、シリコン系の光電変換層3を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置100の製造方法。 - 特許庁
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