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Si TFTとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 シリコン薄膜トランジスタ
「Si TFT」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 75件
The present invention uses an a-Si TFT 1 and an a-Si TFT 2 having equal photoelectric transfer characteristic.例文帳に追加
光電変換特性が等しいa-Si TFT1とa-Si TFT2を使用する。 - 特許庁
Incident luminous energy of the a-Si TFT 1 is reduced by a filter 3 to delay the progress of light deterioration in the a-Si TFT 1.例文帳に追加
a-Si TFT1の入射光量をフィルタ3で減らし、a-Si TFT1の光劣化の進行を遅らせる。 - 特許庁
The n+ film 25 and the a-Si film 26 are etched between the source/drain electrodes 27 of the switch TFT to form a TFT gap part.例文帳に追加
スイッチTFTのソース・ドレイン電極27間において、n+膜25、a−Si膜26をエッチングしてTFTギャップ部を形成する。 - 特許庁
Accordingly, the bottom gate type TFT small in leak current and using poly-Si can be provided.例文帳に追加
したがって、リーク電流の小さな、poly−Siを用いたボトムゲート型TFTを実現できる。 - 特許庁
After that, a TFT and capacity are created on the Poly-Si film with superior uniformity and the Poly-Si film with large surface area, respectively.例文帳に追加
その後、均一性の良いPoly−Si膜上にTFTを、表面積の大きなPoly−Si膜上に容量をそれぞれ作製する。 - 特許庁
An a-Si film 12 becoming the active layer of a TFT is crystallized into polycrystal Si by enhancing a crystal growth length while adding Ni into the film 12.例文帳に追加
TFTの活性層となるa‐Si膜12にNiを添加することによって結晶生成長を促進して多結晶Siに結晶化する。 - 特許庁
To prevent an increase in leakage current in a bottom gate type TFT where a poly-Si layer and an a-Si layer are laminated.例文帳に追加
poly−Si層およびa−Si層が積層されたボトムゲートのTFTにおいて、リーク電流の増大を防止する。 - 特許庁
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「Si TFT」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 75件
Contamination and the surface oxidation of the a-Si film 13a are prevented, and the characteristics of the TFT using a p-Si film obtained by crystalizing the film are stabilized.例文帳に追加
a−Si膜13aの汚染や表面酸化が防止され、これを結晶化して得られたp−Si膜を用いたTFTの特性が安定化する。 - 特許庁
A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6.例文帳に追加
TFT素子1は、a−Si膜5上に形成されたPドープn^+a−Si膜6と、Pドープn^+a−Si膜6上に形成された1nm以下のSi酸化膜7を有している。 - 特許庁
To provide a method of forming a polycrystalline Si layer used for manufacturing a TFT of a polycrystalline Si, or a polycrystalline Si device containing the polycrystalline Si layer.例文帳に追加
多結晶Si層を含む多結晶SiのTFTまたは多結晶Siのデバイスを製造するのに使用される、多結晶Si層を形成する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a poly-Si film of poly-Si TFT in which unevenness of TFT performance due to growth direction of crystal grains is prevented.例文帳に追加
結晶粒の成長方向に起因するTFT性能の不均一が招来されることを防止することができるpoly−SiTFTのpoly−Si膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide an excimer laser annealing method(ELA) for obtaining a p-Si good in crystallinity in the ELA for forming the p-Si for p-Si TFT LCDs.例文帳に追加
p−SiTFTLCDのp−Siを形成するエキシマレーザーアニール(ELA)において、結晶性の良好なp−Siを得るためのELAを提供する。 - 特許庁
To provide a model for performing physical analysis on a grain boundary determining a mobility by applying a universal plot for Poly-Si TFT.例文帳に追加
Poly−Si TFTについてユニバーサルプロットを適用し、移動度を決めている結晶粒界について物理解析するモデルを提供する。 - 特許庁
The TFT substrate 201 also has a TFT5 for pixel comprising the a-Si operating semiconductor layer 55.例文帳に追加
また、TFT基板201は、a−Siの動作半導体層55を備えた画素用TFT5を有している。 - 特許庁
A semiconductor layer 103 and a first n+a-Si layer 104 in a TFT are sequentially formed by plasma CVD.例文帳に追加
TFTにおける半導体層103と1層目のn+a−Si層14をプラズマCVDによって連続して形成する。 - 特許庁
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