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Ta2O5とは 意味・読み方・使い方
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「Ta2O5」を含む例文一覧
該当件数 : 47件
METHOD OF MANUFACTURING Ta2O5 CAPACITOR USING Ta2O5 THIN FILM AS DIELECTRIC FILM例文帳に追加
誘電体膜としてTa2O5薄膜を用いるTa2O5キャパシターの製造方法 - 特許庁
A Ta2O5 film is maintained at a first temperature, which is lower than the crystallization temperature of Ta2O5 film.例文帳に追加
Ta_2O_5膜を前記Ta_2O_5膜の結晶化温度よりも低い第1温度に保つ。 - 特許庁
ATOMIC LAYER DEPOSITION OF Ta2O5 AND HIGH-k DIELECTRIC例文帳に追加
Ta2O5および高k誘電体の原子層堆積 - 特許庁
SINTERED AND DOPED PRODUCT BASED ON ZIRCON + Nb2O5 OR Ta2O5例文帳に追加
ジルコン+Nb2O5またはTa2O5ベースの焼成及びドープ生成物 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR ELEMENT INCLUDING Ta2O5例文帳に追加
Ta2O5誘電膜を含む半導体素子のキャパシターの製造方法 - 特許庁
As the high dielectric material, tantalum oxide (Ta2O5), or example, is used.例文帳に追加
高誘電体材料としては、たとえば酸化タンタル(Ta_2O_5)を用いる。 - 特許庁
To provide a method of forming a Ta2O5 film in a processing chamber.例文帳に追加
処理室内におけるTa_2O_5膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
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「Ta2O5」を含む例文一覧
該当件数 : 47件
By cooling the (SiO2/Ta2O5)n layer 210, the mutual diffusion of Ta2O5 and SiO2 is prevented, and crystallizing heat treatment is enabled.例文帳に追加
(SiO_2 /Ta_2O_5)^n 層210の冷却でTa_2O_5 とSiO_2の相互拡散が防止され、結晶化熱処理が可能になる。 - 特許庁
The respective resonator filters 10a to 10c are coupled to each other in the state that Ta2O5 layers 24 are respectively interposed therebetween.例文帳に追加
各共振器型フィルタの間は、それぞれTa_2 O_5 層24を介した状態で結合されている。 - 特許庁
To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加
Ta_2 O_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ta_2 O_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ta_2 O_5 膜とSi基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁
In order to raise the temperature of Ta2O5 film to the crystallization temperature, at least either one of a position of the Ta2O5 film relative to a heater in a treatment chamber or a pressure in the treatment chamber is changed.例文帳に追加
前記Ta_2O_5膜の温度を前記結晶化温度まで上げるために、処理室内においてヒーターに対する前記Ta_2O_5膜の相対的な位置と前記処理室内における圧力のうち少なくとも一方を変える。 - 特許庁
A capacitor of a semiconductor element is manufactured with a large capacity by forming a (Ta2O5)1-x (TiO2)x thin film as a dielectric film.例文帳に追加
誘電体膜として(Ta_2O_5)_1-x・(TiO_2)_x薄膜を形成させることにより、高容量の半導体素子のキャパシタを製造する。 - 特許庁
A Ta2O5 film 108 and a metal gate electrode 111 are provided inside a groove, where a sidewall comprises the sidewall insulating film 107.例文帳に追加
側壁が側壁絶縁膜107からなる溝の内部に、Ta_2O_5膜108,メタルゲート電極111である。 - 特許庁
An Al gate electrode 17 is formed on the tensile strain Si channel layer 13 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16.例文帳に追加
引っ張り歪みSiチャネル層13上にTa_2 O_5 層15及びTiN層16を介してAlゲート電極17が形成されている。 - 特許庁
Also, the first layer thin film is preferably constructed with a metal oxide layer such as Al2O3 or Ta2O5.例文帳に追加
また、この第1層目の薄膜は、Al_2O_3、Ta_2O_5等の金属酸化物層で構成されることが好ましい。 - 特許庁
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