Ta 400とは 意味・読み方・使い方

The niobium powder having a composition containing Mg and Zr of, by mass, 50 to 400 ppm, respectively, 20 to 200 ppm W, 300 to 3,000 ppm Ta, and elements other than oxygen, nitrogen, hydrogen, Mg, Zr, W and Ta of ≤50 ppm, respectively, is produced.例文帳に追加

ＭｇとＺｒ含有量が、各々５０〜４００質量ｐｐｍで、Ｗ含有量が２０〜２００質量ｐｐｍで、Ｔａ含有量が、３００〜３０００質量ｐｐｍで、酸素、窒素、水素、Ｍｇ、Ｚｒ、ＷおよびＴａ以外の元素の含有量が、各々５０質量ｐｐｍ以下であるニオブ粉を作製する。 - 特許庁

Thereafter, a heat treatment (annealing) is executed at 400°C for 10 minutes so as to obtain a Ta-Si-O based thin film (heat generating resistor film) of a 240 Å thickness on the Si substrate.例文帳に追加

この後、４００℃で１０分間の熱処理（アニール）を行い、Ｓｉ基板１１上に厚さ２４００ÅのＴａ−Ｓｉ−Ｏ系の薄膜（発熱抵抗体膜）を得る。 - 特許庁

Using a Te film or a film mainly composed of Ta, having high heat resisting property, as a wiring material, and by covering it with a protective film 105, heating treatment can be performed at the high temperature of 400 to 700°C, and gettering treatment, etc., can be performed on the metal element in a crystallizable silicon film.例文帳に追加

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護膜で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、例えば結晶性珪素膜中の金属元素をゲッタリングする処理等を施すことができる。 - 特許庁

Discoloring phenomenon in a heat treatment is suppressed and the transmittance in the irradiation of a 3 mm thick glass sample with luminous flux of 400 nm wavelength is maintained at ≥70% by adding Sb, Nb, Sn, Ta and Bi to a tellurite glass.例文帳に追加

テルライトガラスにＳｂ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｔａ及びＢｉを添加しておくことで、熱処理時の着色現象を抑制でき、厚さ３ｍｍのガラス試料に波長４００ｎｍの光束を照射したときの透過率を７０％以上に維持できる。 - 特許庁

The sintered oxide is obtained by mixing a zinc oxide, a tin oxide, and an oxide of at least one metal (metal M) selected from a group composed of Al, Hf, Ni, Si, Ga, In, and Ta and sintering the mixture, the sintered oxide having a Vickers hardness of 400 Hv or higher.例文帳に追加

本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４００Ｈｖ以上である。 - 特許庁

A carrier material PL is heated at a heating temperature of 200°C to 400°C MCH, and a mixture of gases MG containing t-butyliminotris(diethylamino) tantalume(t-BuN=Ta(NEt_2)_3) of a partial pressure more than 25 mTorr(3.3Pa) is circulated, being contacted with the heated carrier material in an atmosphere of oxidization.例文帳に追加

担体材料ＰＬを２００℃〜４００℃の加熱温度に加熱しＭＣＨ、分圧２５ｍＴｏｒｒ（３．３Ｐａ）以上のｔ−ブチルイミノトリス（ジエチルアミノ）タンタル（ｔ−ＢｕＮ＝Ｔａ（ＮＥｔ_２）_３）を含むガス混合物ＭＧを酸化雰囲気下で加熱担体材料に接触させながら循環させる。 - 特許庁

The lamp control board 600 determines whether a predetermined condition is met or not, and directs the board lamp 23 or the like to emit light after just a predetermined delay time ΔT has passed from at the time TA when the third control information γ was received from the performance control board 400 if determined that the predetermined condition is met.例文帳に追加

ランプ制御基板６００は、予め設定された所定条件を満たすか否かを判定し、この所定条件を満たすと判定された場合に、演出制御基板４００から第３制御情報γを受け付けた時点ＴＡから、予め設定された遅延時間ΔＴだけ経過した後に、盤ランプ２３等に対して発光を指示する。 - 特許庁