「Ta2O5」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As the high dielectric material, tantalum oxide (Ta2O5), or example, is used.例文帳に追加

高誘電体材料としては、たとえば酸化タンタル（Ｔａ_2Ｏ_5）を用いる。 - 特許庁

To provide a method of forming a Ta2O5 film in a processing chamber.例文帳に追加

処理室内におけるＴａ_2Ｏ_5膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

By cooling the (SiO2/Ta2O5)n layer 210, the mutual diffusion of Ta2O5 and SiO2 is prevented, and crystallizing heat treatment is enabled.例文帳に追加

（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210の冷却でTa_2O_5 とSiO_2の相互拡散が防止され、結晶化熱処理が可能になる。 - 特許庁

The respective resonator filters 10a to 10c are coupled to each other in the state that Ta2O5 layers 24 are respectively interposed therebetween.例文帳に追加

各共振器型フィルタの間は、それぞれＴａ_2 Ｏ_5 層２４を介した状態で結合されている。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

In order to raise the temperature of Ta2O5 film to the crystallization temperature, at least either one of a position of the Ta2O5 film relative to a heater in a treatment chamber or a pressure in the treatment chamber is changed.例文帳に追加

前記Ｔａ_2Ｏ_5膜の温度を前記結晶化温度まで上げるために、処理室内においてヒーターに対する前記Ｔａ_2Ｏ_5膜の相対的な位置と前記処理室内における圧力のうち少なくとも一方を変える。 - 特許庁

A capacitor of a semiconductor element is manufactured with a large capacity by forming a (Ta2O5)1-x (TiO2)x thin film as a dielectric film.例文帳に追加

誘電体膜として(Ta_2O_5)_1-x・(TiO_2)_x薄膜を形成させることにより、高容量の半導体素子のキャパシタを製造する。 - 特許庁

A Ta2O5 film 108 and a metal gate electrode 111 are provided inside a groove, where a sidewall comprises the sidewall insulating film 107.例文帳に追加

側壁が側壁絶縁膜１０７からなる溝の内部に、Ｔａ_2Ｏ_5膜１０８，メタルゲート電極１１１である。 - 特許庁

An Al gate electrode 17 is formed on the tensile strain Si channel layer 13 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16.例文帳に追加

引っ張り歪みＳｉチャネル層１３上にＴａ_2 Ｏ_5 層１５及びＴｉＮ層１６を介してＡｌゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

Also, the first layer thin film is preferably constructed with a metal oxide layer such as Al2O3 or Ta2O5.例文帳に追加

また、この第１層目の薄膜は、Ａｌ_2Ｏ_3、Ｔａ_2Ｏ_5等の金属酸化物層で構成されることが好ましい。 - 特許庁

An Al gate electrode 17 is formed on the surface of the P+ diffusion layer 18 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16.例文帳に追加

ｐ^+ 拡散層１８の表面に、Ｔａ_2 Ｏ_5 層１５及びＴｉＮ層１６を介してＡｌゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a Ta2O5 thin film, having high permittivity and little leakage current, as a capacitor insulating film.例文帳に追加

高誘電率でリーク電流の少ないTa_2O_5薄膜を容量絶縁膜とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one selected from SnO2, Nb2O5 and Ta2O5 is furthermore incorporated in the carrier, by the presence of which sulfate in the NOx occluding material is decomposed rapidly from a low temperature region.例文帳に追加

SnO_2、 Nb_2O_5及び Ta_2O_5の中から選ばれる少なくとも一種の存在により、NO_x吸蔵材の硫酸塩は低温域から速やかに分解される。 - 特許庁

The inorganic oxide forming the shell layer of the p-type semiconductor is NiO, CoO, CuO, Ta2O5, HfO2, etc.例文帳に追加

ｐ型半導体であるシェル層を構成する無機酸化物としては、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＣｕＯ、Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２などである。 - 特許庁

The heat treatment for compensating the oxygen defect in the Ta2O5 film is performed in an atmosphere containing N and O at low temperatures while generating nitrogen radials and oxygen radicals, by applying ultraviolet rays to rapidly end dangling bonds on the surface of the Si substrate by the generated nitrogen radicals and to compensate the oxygen defect in the Ta2O5 film by the generated oxygen radicals.例文帳に追加

前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償する熱処理を、ＮとＯとを含む雰囲気中において、紫外光照射により窒素ラジカルと酸素ラジカルとを発生させながら低温で行い、発生した窒素ラジカルによりＳｉ基板表面のダングリングボンドを速やかに終端させ、また発生した酸素ラジカルにより、Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償する。 - 特許庁

The method for fabricating the capacitor of a semiconductor element comprises a step for forming a lower electrode on a substrate where various element constituting a semiconductor element are formed, a step for forming a Ta2O5 dielectric film on the lower electrode, and a step for forming an upper electrode of TaN film on the Ta2O5 dielectric film.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子のキャパシタ製造方法は、半導体素子を形成するためのいろいろな要素が形成された基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上にＴａ_2Ｏ_5誘電体膜を形成する段階と、前記Ｔａ_2Ｏ_5誘電体膜上にＴａＮ膜からなる上部電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

On the tantalum nitride film 8, a tantalum oxide(Ta2O5) film 12 is formed as a capacitor dielectric, and a tantalum nitride film 14 is formed on the tantalum oxide film 12.例文帳に追加

タンタルナイトライド膜８上にはキャパシタの誘電体としてのタンタルオキサイド（Ｔａ2Ｏ5）膜１２が形成され、このタンタルオキサイド膜１２上にはタンタルナイトライド膜１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device which uses an aluminum oxide Al2O3 as an etch barrier layer when removing a capacitor oxide film in manufacturing a MIM Ta2O5 capacitor.例文帳に追加

ＭＩＭ Ｔａ_2Ｏ_5キャパシタの製造においてキャパシタ酸化膜除去時のエッチング障壁層としてアルミニウムオキサイドＡｌ_2Ｏ_3を用いる方法。 - 特許庁

The transmitted infrared absorption spectrum of the Ta2O5 thin film is measured with a Fourier transform infrared spectrometer to monitor the presence and size of an absorption peak appearing at 2,340 cm-1.例文帳に追加

フーリエ変換赤外分光装置でTa_2O_5薄膜の透過赤外吸収スペクトルを測定して、2340 cm^-1に現れる吸収ピークの有無・大小をモニターする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, together with a semiconductor manufacturing device suitable for manufacturing the semiconductor device, which comprises a Ta2O5 film having high film- thickness evenness and superior step coverage characteristics.例文帳に追加

高い膜厚均一性と優れたステップカバレッジ特性を有するＴａ_２Ｏ_５膜を備えた半導体装置の製造方法およびこの半導体装置の製造に好適に使用される半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

A tantalum oxide film 4 expressed by chemical formula Ta2O5 is formed so as to continuously cover the surface of this indium oxide film 3b and part of the upper surface of the interlayer oxide film 2.例文帳に追加

この酸化インジウム膜３ｂの表面および層間酸化膜２の上面の一部を連続して覆うように、化学式Ｔａ_2Ｏ_5で示される酸化タンタル膜４が形成されている。 - 特許庁

This heat ray reflecting layer system contains at least one functional layer based on silver and has a lower antireflection layer consisting of one or more kinds of metal oxides TiO2, SnO2, ZnO, Ta2O5 and Nb2O5.例文帳に追加

本発明の熱線反射層システムは銀をベースとする少なくとも１個の機能層を含み、金属酸化物ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、Ｔａ_２Ｏ_５又はＮｂ_２Ｏ_５の１種以上から構成される下位反射防止層をもつ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a crystallized Ta2O5 ferroelectric film having a high dielectric constant and a low leak current can be formed.例文帳に追加

高い比誘電率を維持したままリーク電流を低減した結晶化Ｔａ_２Ｏ_５誘電体膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor element whereby a problem caused by an oxygen hole and impurity is solved and a large capacity is obtained on a Ta2O5 thin film serving as a dielectric film.例文帳に追加

誘電体膜としてのTa_2O_5薄膜において、酸素空孔と不純物に起因する問題点を解決するとともに、高容量を得ることができる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供することを主な目的とする。 - 特許庁

The insulation layer 114 is composed of a metal oxide having at least one out of Ta2O5, ZrO2 and TiO2 as a main component deposited on the color filter with sputtering, etc.例文帳に追加

絶縁膜１１４は、スパッタリング法等によってＴａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２のいずれか少なくとも一つを主成分とする金属酸化物をカラーフィルタ上に堆積させたものである。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element and its fabricating method in which a charging capacity higher than that of an element employing a thin ONO film and a thin Ta2O5 film can be obtained while simplifying the process.例文帳に追加

本発明は、ＯＮＯ薄膜及びＴａ_2Ｏ_5薄膜を用いた素子より大きい充電容量を得ることができ、工程を単純化させることができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供するためのものである。 - 特許庁

Furthermore, after the counter-silicon diffused conductive layer 4 is etched, a Ta2O5 film and Ru film are deposited as a dielectric layer 9 and an upper electrode layer 10, respectively, thus obtaining a thin-film capacitor.例文帳に追加

さらに、対シリコン拡散導電層４をエッチングした後、誘電体層９としてＴａ_2Ｏ_5 膜、上部電極層１０としてＲｕ膜を堆積して薄膜キャパシタを得る。 - 特許庁

When a Ta2O5 thin film including triple coordinate bond oxygen having a large abundance ratio is used, the intensity ratio between two peaks appearing at 510 cm-1 and 570 cm-1 is measured, and the goal of improving a film in quality is set at a film having this, with the ratio (510/570) being large.例文帳に追加

三配位結合状態酸素の存在比が大きいTa_2O_5薄膜を用いる場合は、同様に、510 cm^-1および570 cm^-1に現れるダブルピークの強度比を測定して、その比(510/570)が大きい膜を膜質改善の指標とする。 - 特許庁

The multilayered optical thin film has such a film structure that in a TiO2-SiO2 multilayered optical thin film formed by alternately laminating high refractive index film layers TiO2 and low refractive index film layers SiO2, at least one layer of TiO2 layers is substituted by a Ta2O5 layer.例文帳に追加

高屈折率層ＴｉＯ_2と低屈折率層ＳｉＯ_2とを交互に積層してなるＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2多層光学薄膜において、ＴｉＯ_2層の少なくともひとつの層をＴａ_2Ｏ_5で置換した膜構成を有する多層光学薄膜。 - 特許庁

A coprecipitated mixture is formed from a TiO2 precursor and at least one of a Ta2O5 precursor and Nb2O5 precursor, is mixed with a sol of an acidic oxide added, and then is calcined at a temperature of 800°C or higher and lower than 1,100°C.例文帳に追加

Ta_2O_5前駆体及び Nb_2O_5前駆体の少なくとも一種とTiO_2前駆体との共沈混合物を形成し、共沈混合物に酸性質酸化物のゾルを添加混合しそれを 800℃以上1100℃未満の温度で焼成する。 - 特許庁

Na content in the crystal is ≤10 wt.ppm and the mole fraction of Li2O/(Ta2O5+Li2O) is 0.4900-0.5200.例文帳に追加

Ｌｉが定比組成よりも過剰な組成の融液から育成されたタンタル酸リチウム単結晶であって、Ｎａ量が１０ｗｔｐｐｍ以下であり、Ｌｉ_２Ｏ／（Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率が０．４９００〜０．５２００であることを特徴とする。 - 特許庁

When a Ta2O5 thin film with a double bond Ta=O is used as a capacitor insulating film, the thin film is subjected to rapid thermal treatment or UV/O3 treatment in an oxygen atmosphere, at a proper temperature for a fixed time interval.例文帳に追加

容量絶縁膜として二重結合Ta=Oを有するTa_2O_5薄膜を用いる場合、適当な温度、時間で、酸素中の急速熱処理やUV/O_3処理を行う。 - 特許庁

Ta2O5 is sheeted as the film of the dielectric 14 at the bottom face and side face of the trench 17, and a film thickness d1 of the dielectric 4 at the bottom face is made 5 nm smaller than the film thickness d2 of 30 nm at the side face.例文帳に追加

つまり、この溝17の底面および側面に、誘電体14の膜としてＴａ_2Ｏ_5が成膜され、誘電体14の膜厚は、底面の膜厚ｄ_1が５ｎｍで、側面の膜厚ｄ_2の３０ｎｍより小さくしたものである。 - 特許庁

The gate insulating film 20 comprises a single-layer Si-O coupling layer 12, formed by coupling of oxygen to silicon atoms on the uppermost surface of the silicon substrate 10, a silicon nitride film 13 and a laminated film containing Ta2O5 14.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２０が、（１１１）シリコン基板１０の最表面のシリコン原子に酸素が結合して形成された単層のＳｉ−Ｏ結合層１２と、シリコン窒化膜１３、Ｔａ_2 Ｏ_5 １４を含む積層膜で構成されている事である。 - 特許庁

The low temperature-meltable glass comprises at least basic essential components of P2O5 and SnO and further contains at least one species selected from Sb2O3, V2O5, Nb2O5, and Ta2O5 in a total content of ≤10% (sum amount) as an addition component to improve water resistance.例文帳に追加

少なくとも基礎的な必須成分であるＰ_2Ｏ_5とＳｎＯとから構成され、さらに、それに耐水性を向上させる添加成分としてＳｂ_2Ｏ_3、Ｖ_2Ｏ_5、Ｎｂ__2Ｏ_5、Ｔａ_2Ｏ_5のうち、少なくとも１種を、その合計含有量(合量）が１０％を超えない範囲で含有する。 - 特許庁

In the birefringent plate 1, a substrate film 3 consisting of a vacuum deposition film, an oblique vapor deposition film 4 consisting of a metal oxide film of, e.g. tantalum pentoxide (Ta2O5) to which double refractivity is imparted by an oblique vapor deposition method, and an antireflection coating 5 are formed on the surface of a transparent glass substrate 2 in this order.例文帳に追加

複屈折板１では、透明なガラスの基板２の表面に、真空蒸着膜からなる下地膜３、斜め蒸着法により複屈折性が付与された五酸化タンタル（Ｔａ__2Ｏ_5）等の金属酸化膜からなる斜め蒸着膜４、および反射防止膜５がこの順に形成されている。 - 特許庁

In the phase change optical disk 10, the dielectric material protective films 2 and 4 consisting of a mixed material of ZnS and TiO2, ZnS and Ta2O5 or ZnS and CeO2 and mixtures formed by adding ITO thereto, a recording film 3 and a reflection film 5 are respectively sputtered to a substrate 1.例文帳に追加

この発明の相変化光ディスク１０は、ＺｎＳとＴ_ｉ０_２，ＺｎＳとＴａ_２０_５，ＺｎＳとＣｅ０_２，およびそれぞれにＩＴＯを加えた混合材からなる誘電体保護膜２，４と、記録膜３と、反射膜５が、それぞれ、基板１にスパッタされている。 - 特許庁

This silicon nitride sintered compact contains 0.1-2 wt.% magnesium in terms of MgO, 0.1-2 wt.% aluminum in terms of Al2O3, 0.5-2 wt.% tantalum in terms of Ta2O5 and 1-5 wt.% zirconium in terms of ZrO2.例文帳に追加

マグネシウムをＭｇＯ換算で０．１〜２重量％、アルミニウムをＡｌ_2Ｏ_3換算で０．１〜２重量％、タンタルをＴａ_2Ｏ_5換算で０．５〜２重量％、ジルコニウムをＺｒＯ_2換算で１〜５重量％含有する窒化珪素焼結体を得る。 - 特許庁

At least one type of additives selected from TiC, TiO2, ZrO2, V2O2, Nb2O2, Ta2O5, Co3O4, Cr2O3 and NiO is added to the ceramics 21a in such a way that the electric resistivity in the service temperature range is 1×108-1×1012 Ω.cm.例文帳に追加

このセラミックス２１ａには、使用温度域における電気抵抗率が１×１０^8〜１×１０^12Ω・cmとなるように、ＴｉＣ，ＴiＯ_2，ＺrＯ_2，Ｖ_2Ｏ_5，Ｎb_2Ｏ_5，Ｔa_2Ｏ_5，Ｃo_3Ｏ_4，Ｃr_2Ｏ_3，ＮｉＯの中から選択された１種以上の添加物が添加される。 - 特許庁

An insulating protective layer 16 of a thermal head substrate 11 containing at least one of the group consisting of, SiN, SiC, SiO2, Ta2O5, Si3N4, SiON, CrO, AlN, SiAlON and diamond is formed up to a region facing a metallic heat dissipation plate 19.例文帳に追加

サーマルヘッド基板１１の、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮ、ＣｒＯ、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ダイヤモンドからなる群のうちの少なくとも一つを含んで構成された絶縁性保護層１６を、金属製放熱板１９と対向する領域にまで形成する。 - 特許庁

As the especially preferable metal oxide, Ta2O5 or the like is designated.例文帳に追加

本発明の可視光線応答型光触媒１は、基材２上に、酸化チタン層３、チタンとは異なる異種の金属の酸化物を含む金属酸化物層４、および酸化ケイ素層５とが順に積層された構成のものであり、特に好ましい金属酸化物としてはＴａ_２Ｏ_５などがあげられる。 - 特許庁

The principal components in the glass composition are 20-40 wt.% SiO2, 25-43 wt.% Al2O3, 10-25 wt.% B2O3, 5-15 wt.% MgO and 1-10 wt.% Ta2O5.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が２０ｗｔ％以上で且つ ４０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が２５ｗｔ％以上で且つ ４３ｗｔ％以下、Ｂ_2Ｏ_3が１０ｗｔ％以上で且つ ２５ｗｔ％以下、ＭｇＯが５ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、Ｔａ_2Ｏ_5が１ｗｔ％以上で且つ １０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁