Tasinとは 意味・読み方・使い方

METHOD FOR FORMING TaSiN FILM例文帳に追加

ＴａＳｉＮ膜の成膜方法 - 特許庁

A thin CVD barrier 124 (for example, SiN, TiSiN, TaSiN or the like) is deposited on a structure including the inside of the hole (106) of the via or contact.例文帳に追加

薄いＣＶＤバリア１２４（例えば、SiN, TiSiN, TaSiN等）がビアまたはコンタクトの孔（106）内を含む構造上に堆積される。 - 特許庁

Next, the film 14 and the film 16 are made to react thermally to form a TaSiN film 18.例文帳に追加

次にシリコン酸化膜１４とＴａＮ膜１６を熱反応させることによりＴａＳｉＮ膜１８を形成する。 - 特許庁

By forming the TaSiN film through heat treatment, adhesion of the silicon oxide film and the Tan film is improved, and peeling off of films is prevented.例文帳に追加

熱処理によりＴａＳｉＮ膜が形成されることにより、シリコン酸化膜とＴａＮ膜の密着力が向上し、膜はがれを防止する。 - 特許庁

When TaSiN or TaBN is formed by reactive sputtering as a heating resistor, the target is made by sintering from each powder and has a relative density of 95% or more.例文帳に追加

発熱抵抗体として、ＴａＳｉＮ、ＴａＢＮを反応性スパッタリングで形成するときに、ターゲットを各粉末から焼結で作成し、その相対密度を９５％以上にする。 - 特許庁

For example, the oxide resistance layer is formed of a material obtained from the group of the materials constituted of TiN, TaN, TiAlN_x, TaAlN_x, TaSiN, TiSiN and RuTiN.例文帳に追加

例えば、酸化耐性層は、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＡｌＮ_ｘ、ＴａＡｌＮ_ｘ、ＴａＳｉＮ、ＴｉＳｉＮ、およびＲｕＴｉＮから構成される材料の群から得られる材料から形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which controls a threshold voltage of a transistor by controlling a composition at the time of depositing by forming a gate electrode caused by a TaSiN-based film or a TiSiN-based film by a CVD method, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

ＣＶＤ法でＴａＳｉＮ系又はＴｉＳｉＮ系膜によるゲート電極を形成することで、成膜時の組成を制御することトランジスタの閾値電圧を制御する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁