amorphous phosphorusとは 意味・読み方・使い方

The degree of suppression of generation on the boundary of the electrode substrate becomes higher as the phosphorus doped amorphous silicon growing temperature becomes lower.例文帳に追加

電極用基体の境界に発生する結晶核の発生はＤＯＰＯＳの成長温度が低いほどその発生の抑制度が高い。 - 特許庁

Phosphorus (P) is ion-injected into a (0001) surface of the silicon carbide substrate 11 of hexagonal single crystal to make the part into an amorphous layer 12.例文帳に追加

六方晶単結晶の炭化珪素基板１１の（０００１）面にリン（Ｐ）をイオン注入することで、その部分をアモルファス層１２にする。 - 特許庁

The material is an amorphous iron-cobalt- phosphorus alloy of composition CoxPyFez, where x+y+z=100, and x is 5 to 15, y is 13 to 20, and z is the remainder.例文帳に追加

材料は、Co_xP_yFe_zの組成を有する非晶質の鉄−コバルト−リン合金であり、ここで、x＋y＋z＝100であり、xは5〜15、yは13〜20、zはその残りである。 - 特許庁

Optionally, the layer 312 including the amorphous carbon further includes a dopant selected from the group consisting of nitrogen, boron, phosphorus, fluorine, and combinations thereof.例文帳に追加

任意に、前記アモルファス炭素を含む層３１２は、窒素、ホウ素、リン、フッ素、及びそれらの組合わせからなる群より選ばれたドーパントを更に含んでいる。 - 特許庁

By heating the lower electrode 35 in an amorphous state, an HSG (Hemi-Spherical-Grain) is formed only on the inside of the lower electrode 35 into which the phosphorus is not injected.例文帳に追加

アモルファス状態の下部電極３５を加熱処理することにより、リンが注入されていない下部電極３５の内面にのみＨＳＧを形成する。 - 特許庁

An electrode substrate 9 (formed of a phosphorus doped amorphous silicon film) is formed, and an HSG 11 is formed on the inner and outer circumferences of the substrate 9.例文帳に追加

内周面と外周面を形成するシリンダ形状の電極用基体７，９を形成し、電極用基体９の内周面と外周面にＨＳＧ１１を成長させる。 - 特許庁

Then the amorphous layer 102 is heat-treated in an atmosphere constituted by making a compound material containing phosphorus to flow at a temperature of >1,000°C and ≤1,200°C.例文帳に追加

次いで、非晶質層１０２を、１０００℃を超え１２００℃以下の温度でリンを含む化合物原料を流通させて構成する雰囲気内で熱処理を施す。 - 特許庁

A phosphorus doped amorphous SiGe film 2 is deposited (a) on a substrate 1 and crystallized by heat treatment to obtain (b) a polycrystalline SiGe film 3.例文帳に追加

基板１上に、リンドープの非晶質ＳｉＧｅ膜２を堆積させ（ａ）、熱処理を行って非晶質ＳｉＧｅ膜２を結晶化させて、多結晶ＳｉＧｅ膜３を得る（ｂ）。 - 特許庁