block control wordとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor storage device further comprises a column control circuit C which is connected with one end of the bit line of the memory block 2 and drives selectively the bit lines BL, and a row control circuit R which is connected with one end of the word line of the memory block 2 and drives selectively the word lines WL.例文帳に追加

メモリブロック２のビット線ＢＬの一端が接続され、ビット線ＢＬを選択駆動するカラム系制御回路Ｃと、メモリブロック２のワード線ＷＬの一端が接続され、ワード線ＷＬを選択駆動するロウ系制御回路Ｒとを備える。 - 特許庁

A word line control circuit selects any one of the plurality of memory blocks according to the internal address signal, and also activates any one of the plurality of word lines in the selected memory block.例文帳に追加

ワード線制御回路は、内部アドレス信号に応じて、複数のメモリブロックのいずれかを選択するとともに、選択したメモリブロックにおける複数のワード線のいずれかを活性化させる。 - 特許庁

In this case, the word lines WL are selected for every block by control signals SLNP, SLN1, SLN2, and the outputs of the driver source 2 are applied to them.例文帳に追加

この場合、ワード線ＷＬはブロックごとに制御信号ＳＬＮＰ；ＳＬＮ１；ＳＬＮ２によって選択され、それらにドライバ源２の出力が加えられる。 - 特許庁

This device has a feature that a plurality of dummy word lines are arranged at the memory block end and word drivers are arranged with respect to the above dummy word lines to control the threshold state of dummy memory cells formed under the dummy word lines, and also a bias is impressed on the dummy word lines also when a memory area for storing the data from the outside is operated.例文帳に追加

メモリブロック端にダミーワード線を複数本設置し、前記ダミーワード線に対してワードドライバを設置して、ダミーワード線の下に形成されるダミーメモリセルのしきい値状態を制御すると共に、外部からのデータを格納するメモリ領域を動作させる際にも、ダミーワード線に対してバイアスを印加することを特徴とする。 - 特許庁

To realize the continuity of DSV control and the suppression of a DC component in a modulation device for encoding an input data word to be an information word while executing the DSV control, obtaining an LDPC code by a block unit as an organizational code and outputting a code word string having inspection bit information inserted into an information word string.例文帳に追加

ＤＳＶ制御を実行しながら入力データ語を情報語へ符号化し、ブロック単位でＬＤＰＣ符号を組織符号として求め、検査ビット情報を情報語列に挿入した符号語列を出力させる変調装置において、ＤＳＶ制御の連続性とＤＣ成分の抑圧を実現する。 - 特許庁

Many word lines can be fully driven at the time of wafer-burn-in even when the driving capability of a row decoder in a row decoding block 121 is small by controlling by the burn-in control section 111 the row decoding block 121 generating many normal word line enable-signal NWEi controlling a word line driving block 131 during wafer-burn- in.例文帳に追加

ウェーハバーンイン中は、ワードライン駆動ブロック１３１を制御する多数個のノーマルワードラインイネーブル信号ＮＷＥｉを発生させるローデコーディングブロック１２１を前記バーンイン制御部１１１で制御することにより、ローデコーディングブロック１２１中のローデコーダの駆動能力が小さい場合であっても、ウェーハバーンイン時に多数本のワードラインを十分駆動可能とする。 - 特許庁

This device also has a decoding means for decoding the control part for the block based on the data word generated by the first error correction means.例文帳に追加

この装置は、更に、ブロックの制御部を、第１の誤り訂正手段により作成されたデータ語に基づいてデコードするデコード手段を有する。 - 特許庁

The high level voltage is switched to the first or second high voltage only in word control circuit corresponding to the memory block of which the access state changes.例文帳に追加

高レベル電圧は、アクセス状態が変化するメモリブロックに対応するワード制御回路でのみ第１または第２高電圧に切り替えられる。 - 特許庁