boron pairとは 意味・読み方・使い方

To provide means to highly accurately measure iron concentration of a boron doped p-type silicon wafer by using an Fe-B pair dissociation phenomenon.例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を、Ｆｅ−Ｂペア乖離現象を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。 - 特許庁

This quantitative analysis determination method of an analysis method is used for obtaining iron concentration in boron-doped p-type silicon using the change of measurement values before and after Fe-B pair separation.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｂペア乖離前後の測定値の変化を利用してボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を求める分析方法の定量分析限界決定方法。 - 特許庁

The quantitative analysis limit is determined based on a quantitative value provided by obtaining iron concentration in the silicon by the analysis method during Fe-B pair separation in the boron-doped p-type silicon.例文帳に追加

上記定量分析限界を、ボロンドープｐ型シリコン中のＦｅ−Ｂペア乖離中に、上記分析方法により該シリコン中の鉄濃度を求めることによって得られた定量値に基づき決定する。 - 特許庁

In the electron source substrate having an electron emission element composed of a pair of element electrodes 2, 3 and a conductive thin film 4 electrically connected to these element electrodes 2, 3 on a substrate 1, the conductive thin film 4 of an electron emission element is used by a thin film containing boron nitride, most preferably by the thin film containing Sp^3-bonding boron nitride.例文帳に追加

基板１上に、一対の素子電極２，３と、これら素子電極２，３に電気的に接続した導電性薄膜４とからなる電子放出素子が形成された電子源基板において、電子放出素子の導電性薄膜４を、窒化ホウ素含有薄膜、最も好ましくはＳｐ^３結合性窒化ホウ素含有薄膜とする。 - 特許庁

In the first rolling process, a laminated body is formed by coating boron nitride (BN) of a solid lubricant between the beryllium foil and a pair of sheaths comprising stainless steel, and hot rolling of the laminated body is repeatedly carried out.例文帳に追加

ここで、第１の圧延工程では、ベリリウム箔とステンレス鋼からなる一対のシースとの間に固体潤滑剤である窒化ホウ素（ＢＮ）を塗布してなる積層体を作製し、該積層体の熱間圧延加工を繰り返し行う。 - 特許庁

By ion-implanting boron or BF2 in the silicon substrate 1 via the upper part of protection insulating film 14 using the gate electrode 42 as the ion-implanting mask, one pair of extension layers 52 is formed in the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

そして、ゲート電極４２を注入マスクとして保護絶縁膜１４の上部からシリコン基板１内にボロンあるいはＢＦ_2をイオン注入して、シリコン基板１の表面内に１対のエクステンション層５２を形成する。 - 特許庁

Moreover, when the n-type impurity is ion-implanted at a high temperature, a region being ion-implanted is heated to 180°C or higher by substrate heating or laser irradiation, a silicon pair between boron and lattice is sufficiently disassociated and the n-type impurity is ion-implanted under existence of an even stress.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物の添加を高温イオン注入で行う場合は、基板加熱やレーザー照射などでイオン注入する領域を１８０℃以上に加熱し、ボロン・格子間シリコンペアを十分解離させ、一様な応力が存在する状態の下で、Ｎ型不純物のイオン注入を行う。 - 特許庁