| 意味 | 例文 (17件) |
boron phosphateとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 リン酸ホウ素は化学式PBO4で表わされる無機化合物である。
「boron phosphate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
MANUFACTURING METHOD FOR BORON PHOSPHATE LAYER, AND BORON PHOSPHATE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
リン化硼素層の製造方法及びリン化硼素系半導体素子 - 特許庁
The reactor 7 is filled with a catalyst 8 such as aluminum phosphate, boron phosphate, titanium oxide, and silicon oxide.例文帳に追加
リアクター7内には、リン酸アルミニウム、リン酸ホウ素、酸化チタン、酸化ケイ素などの触媒8が充填されている。 - 特許庁
The catalyst for dehydrating glycerin includes boron phosphate wherein the molar ratio of phosphorus (P) relative to boron (B), i.e., P/B is 1.02 or greater and not greater than 2.例文帳に追加
グリセリン脱水用触媒は、リン(P)とホウ素(B)とのモル比P/Bが1.02以上、2以下であるリン酸ホウ素塩を含有する。 - 特許庁
One or more kinds among silicon nitride, boron carbide, and silicon carbide are contained in potassium zirconium phosphate.例文帳に追加
リン酸ジルコニウムカリウムに、窒化珪素、炭化ホウ素、炭化珪素のうち少なくとも1種を含有させる。 - 特許庁
When a high resistance boron phosphate (BP) layer is formed directly on a crystal substrate with the aid of gas phase growing means, the high resistance boron phosphate layer is formed by keeping temperature of the crystal substrate in a range of from 1000 °C or higher to 1200 °C or lower, and doping magnesium (Mg) is added into the boron phosphate layer exhibiting p-type conductivity in an undoped state.例文帳に追加
高抵抗のリン化硼素(BP)層を気相成長手段に依り、結晶基板上に直接形成する際に、結晶基板の温度を1000℃以上1200℃以下の範囲に保持して、アンドープ(undope)の状態でp形の伝導性を呈するリン化硼素層に、マグネシウム(Mg)を添加して高抵抗のリン化硼素層を形成する。 - 特許庁
The insulating properties of the film 3 are improved by forming a phosphate boron layer 4 as an insulator on the film 3.例文帳に追加
次に誘電体皮膜3の上に絶縁物であるリン酸ホウ素層4を形成することにより誘電体皮膜3の絶縁性を向上させる。 - 特許庁
The catalyst for dehydrating glycerin includes boron phosphate and an elemental metal added thereinto, wherein the molar ratio of the elemental metal (M) relative to phosphorus (P) and boron (B), i.e., M/(P+B) is greater than 0.00005 and not greater than 0.5.例文帳に追加
グリセリン脱水用触媒は、金属元素が添加されており、リン(P)およびホウ素(B)と金属元素(M)とのモル比M/(P+B)が0.00005より大きく、0.5以下であるリン酸ホウ素塩を含有する。 - 特許庁
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「boron phosphate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
To provide a method for manufacturing high resistance boron phosphate layer useable for an electric field effect transistor (FET) and a light emitting device, etc., on a crystal substrate.例文帳に追加
電界効果型トランジスタ(FET)や発光素子等に用いることの出来る高抵抗のリン化硼素層を結晶基板上に製造する方法を提供する。 - 特許庁
A hydroxide of an alkaline-earth metal is added to a boron-dissolved aqueous medium and furthermore a phosphate ion is preferably added thereto, which is then subjected to hydrothermal treatment under the temperature and pressure of a subcritical condition to produce an insoluble compound oxide of boron with the alkaline-earth metal, so that boron is separated/recovered as a precipitate from the produced insoluble compound oxide.例文帳に追加
ホウ素が溶存する媒体水に対して、アルカリ土類金属の水酸化物を添加し、好ましい場合には更にリン酸イオンを添加したもとで、亜臨界条件の温度下及び圧力下での水熱処理を行って、ホウ素とアルカリ土類金属との不溶性複合酸化物を生成させることにより、ホウ素を沈殿として分離・回収する - 特許庁
This resin composition for a wire/cable covering material is prepared by mixing specific ratios of a phosphoric flame retarder, boron phosphate, and zinc borate hydrate to a polyphenylene ether resin or to an aromatic vinyl resin and it.例文帳に追加
ポリフェニレンエーテル系樹脂またはこれと芳香族ビニル系樹脂に、リン酸系難燃剤、リン酸ホウ素およびホウ酸亜鉛水和物を特定の比率で配合してなるワイヤ・ケ−ブル被覆材用樹脂組成物。 - 特許庁
The heat resistant expanded graphite sheet essentially composed of expanded graphite, and comprises phosphorous pentoxide and phosphate, and at least either a boron compound or a yttrium compound in a dispersed manner.例文帳に追加
耐熱性膨張黒鉛シートは、膨張黒鉛を主成分とし、これに五酸化燐及び燐酸塩と、ホウ素化合物及びイットリウム化合物のうちの少なくとも一方とを分散含有してなる。 - 特許庁
The low thermal expansion plate-like member is prepared by using a composite material comprising at least one material selected from among lithium aluminosilicate, cordierite, and zirconium potassium phosphate and at least one material selected from among silicon carbide, silicon nitride, boron carbide, sialon, alumina, zirconia, mullite, zircon, aluminum nitride, and calcium silicate.例文帳に追加
リチウムアルミノシリケート、コーディエライト、リン酸ジルコニウムカリウムから選ばれる1種以上の材料と、炭化珪素、窒化珪素、炭化ホウ素、サイアロン、アルミナ、ジルコニア、ムライト、ジルコン、窒化アルミニウム、ケイ酸カルシウムから選ばれる1種以上の材料とからなる複合材料を用いて低熱膨張板状部材を構成する。 - 特許庁
To provide a technology for constituting a GaP based LED having a monojunction or heterojunction light emitting part exhibiting a current block function, and a technology for constituting a current block function structure utilizing a boron phosphate based semiconductor layer where conductivity can be controlled easily.例文帳に追加
電流阻止機能を発揮する、ホモ接合型或いはヘテロ接合型の発光部を備えたGaP系LEDを構成するための技術、及び電流阻止機能構造を伝導性の制御を容易に行えるリン化硼素系半導体層を利用して構成するための技術を提供する。 - 特許庁
The member for optics is constituted by using a composite material consisting of one or more kinds of materials selected out of lithium aluminosilicate, cordierite, and zirconium phosphate potassium silicide and one or more kinds of materials selected out of silicon carbide, silicon nitride, boron carbide, sialon, alumina, zirconia, mullite, zircon, and aluminum nitride.例文帳に追加
リチウムアルミノシリケート、コーディエライト、リン酸ジルコニウムカリウムから選ばれる1種以上の材料と、炭化珪素、窒化珪素、炭化ホウ素、サイアロン、アルミナ、ジルコニア、ムライト、ジルコン、窒化アルミニウム、ケイ酸カルシウムから選ばれる1種以上の材料とからなる複合材料を用いて光学用部材を構成する。 - 特許庁
Therein, the fertilizer component retained and adsorbed on the substrate features that the composition ratio of nitrogen, phosphate and kalium is 1:1:1 and, subsequently, the composition ratio of calcium to boron is 1:1, and further, the composition ratio of microelements Cu/Zn:Mo:Fe/Mn is 1:2:3.例文帳に追加
この基材に保持・吸着された肥料分の特長は、窒素・リン酸・加里の配合比率を1対1対1とし、次にカルシウムとホウ素の配合比率を1対1とした、更に微量要素のCu・Zn対Mo対Fe・Mnの配合比率を1対2対3とする。 - 特許庁
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