channel lengthsとは 意味・読み方・使い方

The thin film transistors 224 and 225 are divided into a plurality of groups having different threshold voltages by setting the channel lengths specified by the lengths of the gate electrodes 216/211.例文帳に追加

複数の薄膜トランジスタ２２４，２２５は、ゲート電極長によって規定されるチャネル長の設定によりしきい値電圧が相互に異なる複数の群に分かれている。 - 特許庁

The gate lengths (channel lengths) of complementary MISFETs (n-channel type MISFET and p-channel type MISFET), constituting circuit blocks such as a digital circuit part, an analog circuit part and a signal input/ output part, are set differently corresponding to the characteristics of the respective circuit blocks.例文帳に追加

デジタル回路部、アナログ回路部および信号入出力部などの回路ブロックを構成する相補型ＭＩＳＦＥＴ（ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ）のゲート長（チャネル長）は、それぞれの回路ブロックの特性に応じて異なっている。 - 特許庁

Ratios (W/L) between channel widths and channel lengths of the TFTs 1 to 6 are set, so that the TFTs can operate normally, even under high temperatures.例文帳に追加

ＴＦＴ１〜６のチャネル幅とチャネル長の比（Ｗ／Ｌ）を各ＴＦＴ１〜６のトランジスタ特性に応じて高温下で正常に動作できるよう設定する。 - 特許庁

The lengths of the delay lines are selected so that total delay τn" is introduced between the (n+1)-th channel and the n-th channel in such as way that a time lag τn is obtained between the (n+1)-th channel and the n-th channel.例文帳に追加

各遅延線路の長さは、（ｎ＋１）番目のチャネルとｎ番目のチャネルの間で時間のずれτ_ｎが得られるように（ｎ＋１）番目のチャネルとｎ番目のチャネルの間に合計遅延τ_ｎ”を導入するよう選択される。 - 特許庁

To increase the degree of integration of a semiconductor storage device by suppressing the occurrence of corner rounding at resist patterning time and contracting the size of a cell, by setting specific relations between the lengths and channel lengths of driving transistors and those of word transistors.例文帳に追加

レジストのパターニング時におけるコーナーラウンディングの発生を抑制することができ、セルサイズを縮小して高集積化を図ることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a structure and a manufacturing method permitting facilitated variable formations of channel lengths in a vertical CMOS structure device.例文帳に追加

縦型ＣＭＯＳ構造デバイスで、チヤネル長を容易に可変形成できる構造および製造方法を提供する。 - 特許庁

On the basis of the layout information or the circuit diagram information, data (e.g. channel lengths L1, L2) concerning each channel of both of the detected transistors are extracted (S5).例文帳に追加

レイアウト情報または回路図情報に基づいて、その検出した両トランジスタの各チャネルに関するデータ（例えばチャネル長Ｌ１、Ｌ２）をそれぞれ抽出する（Ｓ５）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having transistors of different channel lengths in which an increase in contact resistance and a decrease in on current can be prevented.例文帳に追加

異なるチャネル長のトランジスタを有し、かつ、コンタクト抵抗の増加およびオン電流の減少を防止できる半導体装置の提供。 - 特許庁