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channel level interfaceとは 意味・読み方・使い方
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「channel level interface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
To enhance channel mobility by removing residual carbon on the interface of SiC and a gate oxide film thereby reducing an interface level densi ty.例文帳に追加
SiCとゲート酸化膜との界面における残留炭素を除去し、界面準位密度を低減させ、チャネル移動度を向上させる。 - 特許庁
To prevent increase in the on-state resistance, due to interface level generated between a gate insulated film and a channel layer.例文帳に追加
ゲート絶縁膜とチャネル層との間に発生する界面準位に起因したオン抵抗の増加を防止する。 - 特許庁
Even when the light level of the insertion channel is not sufficient, as compared with the passage channel, a channel unit optical amplifiers 4-12 and 4-22 are installed at the output part of the optical interface part of the insertion channel, so as to secure necessary SNR(signal-to-noise ratio).例文帳に追加
通過チャネルに比べて、挿入チャネルの光レベルが十分でない場合も必要な光SNRを確保するため、挿入チャネルの光インタフェース出力部にチャネル単位光増幅器4−12,4−22を設置する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device having an excellent data retention characteristic by previously removing charge captured at a shallow energy level in the vicinity of a channel interface.例文帳に追加
チャネル界面付近の浅いエネルギー準位に捕獲された電荷を予め除去し、データ保持特性の良好な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
Each radio base station receives these signals with a pilot channel transmitter 24 and a control channel transceiver 23 via an interface 21, and a controller 25 raises the transmission power level of the pilot channel and an allowable phase difference upper limit between the pilot channel and the access channel enough to enable the call originating and terminating at a mobile station 50 located in a more remote place than usual.例文帳に追加
各無線基地局では、これらの信号をインタフェース部21、制御部25を通して、パイロットチャネル送信部24及び制御チャネル送受信部23で受信し、パイロットチャネルの送信電力レベルを大きくすると共に、パイロットチャネル及びアクセスチャネル間の許容位相差上限値を大きくし、通常時より遠方地点までの移動局50に対し発着信を可能とする。 - 特許庁
A status register 149 may comprise state machine busy bits, in a dual-channel memory, either interface may read the status register 149 at any time, whereas only the interface having a relatively high privilege level to access the memory array 143 may write to the status register 149.例文帳に追加
ステータスレジスタ149はステートマシーンビジービットを含み、デュアルチャネルメモリにおいて、どちらかのインターフェースは、ステータスレジスタ149をいつでも読み出してもよく、一方では、メモリアレイ143にアクセスする比較的高い特権レベルを有するインターフェースのみが、ステータスレジスタ149に書き込んでもよい。 - 特許庁
To lower on-voltage of SiC-IGBT, whose inverted channel's channel resistance is high due to the influence from the surface level of the interface between a gate insulation film and a base layer, and whose on-voltage is high.例文帳に追加
SiC−IGBTは、ゲート絶縁膜とベース層との界面の表面準位の影響によって、反転型チャネルのチャネル抵抗が高くオン電圧が高いが、このオン電圧を低くすることが求められている。 - 特許庁
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「channel level interface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
When the impurity concentration only on the channel interface is reduced and the concentration in the rear of the substrate 11 is raised, unevenness of current flowing through a conduction channel is relaxed while sustaining the threshold voltage Vth at a predetermined level, and variation in threshold ΔVth due to trap can be controlled.例文帳に追加
チャネル界面の不純物濃度のみ低下させ、基板11の奥の濃度を上昇させることで、しきい値電圧Vthを所定の電圧に保ちながら、導電チャネルを流れる電流の不均一性を緩和してトラップによるしきい値変動ΔVthを抑制することができる。 - 特許庁
Therefore, a silicon interface level (Qss) near the channel separation area 29 on a front surface of the n-type silicon substrate increases, and holes that are a minority carriers inside the n-type silicon substrate are extinguished in the area.例文帳に追加
したがって、上記N型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域29近傍のシリコン界面準位(Qss)が増大し、N型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁
To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加
段差のあるSiエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のSiエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁
To provide a thin film semiconductor device which can constitute a low voltage circuit by improving the unevenness of Vth of a transistor formed in an active layer having a large interface level of a polysilicon or the like by performing a channel impurity density of a low Vth and a high concentration, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
低いVthと高濃度のチャネル不純物濃度を達成し、ポリシリコン等の界面準位の大きい活性層に形成したトランジスタのVthのばらつきを改善して低電圧回路の構成を可能にする薄膜半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁
To secure improved reliability by securing low resistance in a p-type semiconductor layer that becomes a channel, suppressing a collapse phenomenon, and stabilizing operation at high temperature, by controlling the amount of dopant impurities in the p-type semiconductor layer for composing a field effect transistor, and the interface level density between a p-type layer and a gate insulating film.例文帳に追加
電界効果トランジスタを構成するp型半導体層内のドーパント不純物量やp型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるp型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。 - 特許庁
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