chemical etchとは 意味・読み方・使い方

The present invention also discloses a process of depositing a silicon oxide film, or silicon nitride film having an enhanced etch resistance, the process including using an organosilane precursor and a chemical modifier.例文帳に追加

本発明は、また有機シラン前駆体および化学修飾剤を使用することを含んで成る高められたエッチ耐性を有する酸化ケイ素膜、または窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。 - 特許庁

Further, the 2nd transparent conductive film 12 is selectively etched, so a wet etching process using chemical liquid to selectively etch the 2nd transparent conductive film 12 is added to prevent the 2nd transparent conductive film 12 from peeling.例文帳に追加

また、第２の透明導電性膜１２を選択的にエッチングする薬液でのウェットエッチング処理を追加することにより、第２の透明導電性膜１２の膜剥がれを防止することができる。 - 特許庁

The surfaces of super-abrasive grains 1 are covered with metal covering layers 11 consisting of copper, and a chemical agent such as Mech-Etch Bond (trade mark) is applied to the surface of each covering layer 11 followed by a chemical etching process so that a surface is formed where a number of micro-projections 11a remain.例文帳に追加

超砥粒１の表面を銅からなる金属被覆層１１で被覆し、金属被覆層１１の表面にメックエッチボンド（商標）等の薬剤を塗布して化学的にエッチング処理し、多数の微細な突起１１ａ…の残存した表面を形成して金属被覆砥粒１０を構成する。 - 特許庁

An outside W film, having a hole pattern 5, is removed 80 to 90% by an etch back method, and then the remaining outside W film (remaining W film 7a) having a hole pattern 5 and an adhesive layer 6 are removed by a chemical-mechanical polishing method.例文帳に追加

孔パターン５の外部のＷ膜の８０〜９０％程度をエッチバック法で除去した後、孔パターン５の外部の残されたＷ膜（Ｗ残膜７ａ）および接着層６をＣＭＰ法で研磨除去する。 - 特許庁

A resist film 11 is masked to selectively etch the plasma oxidation film 10, and a support member 17 for excessive grinding prevention being a support for the excessive grinding during the chemical and mechanical grinding in the neighborhood of the recess part 4 being a photograph associated mark part is left.例文帳に追加

レジスト膜１１をマスクにして、プラズマ酸化膜１０を選択的にエッチングし、写真関連マーク部である凹部４の近傍に、化学的機械的研磨時の過研磨に対する支えとなる過研磨防止用支え部材１７を残す。 - 特許庁

Then, by performing etch back or chemical- mechanical polishing for the electrode pad 4a and the protective film 5, a part of the protective film 5 is also removed so that the electrode pad 4a and the protecting film 5 become approximately the same hight, and the difference in the heights of the protective films is eliminated.例文帳に追加

そして電極パッド４ａと保護膜５とをエッチバックあるいはケミカルメカニカルポリッシュすることで、電極パッド４ａと保護膜５をほぼ同一高さになるように保護膜５の一部も除去して保護膜５の段差をなくす。 - 特許庁

This golf club shaft formed by laminating a plurality of carbon fiber reinforced resin layers includes at least one metal sheet layer, and the metal sheet layer is composed of a metal sheet performed with chemical etch processing.例文帳に追加

炭素繊維強化樹脂層を複数積層してなるゴルフクラブシャフトであって、金属シート層を少なくとも１層含んでなり、金属シート層はケミカルエッチング処理された金属シートにより構成されていることを含む、ゴルフクラブシャフト。 - 特許庁

This Si wafer 10 is set to a wet etching device, and etching chemical dropped onto the rear of the Si wafer 10 is turned to the surface side of the Si wafer 10, so as to etch off the polycrystalline silicon film 28 covering the edge region at the surface.例文帳に追加

このＳｉウェーハ１０をウェットエッチング装置にセットし、Ｓｉウェーハ１０裏面上に滴下したエッチング薬液をＳｉウェーハ１０表面側に回り込ませて、表面のエッジ領域を被覆している多結晶シリコン膜２８をエッチング除去する。 - 特許庁