compound selectionとは 意味・読み方・使い方

The rate of release of the encapsulated active compound from the multivesicular liposomal (MVL) formulation is modified by selection of a neutral lipid component.例文帳に追加

多重小胞リポソーム(MVL)製剤からの封入された活性化合物の放出速度は中性脂質成分の選択により改変される。 - 特許庁

A discriminator group selection section 22 selects the group having a high compound discrimination accuracy as a whole of the discriminator groups from the plurality of defined discriminator groups.例文帳に追加

識別器群選択部２２が、規定された複数の識別器群の中から、識別器群全体としての複合識別精度が高いものを選択する。 - 特許庁

To provide a vehicular manipulation system, capable of displaying a screen enabling an instant decision of a manipulation method without deteriorating a design characteristic, when a selection operation by a compound manipulation unit is made to a selection area on a screen.例文帳に追加

画面上の選択領域に対し複合操作部により選択操作をする際に、操作方式を瞬時に判断できる画面表示を、デザイン性を悪くすること無く実現した車両用操作システムを提供する。 - 特許庁

Regarding a charging destination 6042 to be charged with new use by a user, each of compound machines 110 and 120 receives a choice of selection from among charging destinations 6042 registered for the user or non-selection from among the registered charging destinations 6042.例文帳に追加

複合機１１０、１２０は、ユーザの新たな使用に対し課金する課金先６０４２の、ユーザに対して登録された課金先６０４２の中からの選択、または登録された課金先６０４２を選択しないことの選択を受け付ける。 - 特許庁

To provide an abrasive composition in which improvement is realized in an abrasion selection ratio between copper and a tantalum compound upon abrading a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, in excess abrasion of a copper film in an electric wiring channel and hole upon increasing a selection ratio to copper, and in smoothness of a surface of a copper film.例文帳に追加

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨する場合の、銅とタンタル化合物の研磨選択比、銅に対する選択比を高めた時の配線溝や孔の銅膜の削られ過ぎ、及び銅膜表面の平滑性、を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an improved polishing composition by solving the problems that the polishing selection ratio of copper to a tantalum compound is insufficient when a semiconductor device having a copper film and the tantalum compound is polished, a wiring groove and the copper film of a hole are excessively scrapped when the selection ratio to the copper is increased, smoothness on the surface of the copper film is damaged, or the like.例文帳に追加

銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition for solving such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound may be inadequate or that, when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes may be overshaved or the smoothness of the surface of the copper film may be impaired.例文帳に追加

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition solving such problems that in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired.例文帳に追加

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁