compound semiconductor devicesとは 意味・読み方・使い方

The compound semiconductor device wafer manufacturing method is to manufacture the compound semiconductor device wafer where a plurality of compound semiconductor devices are arranged on a substrate via separating areas and notches are formed on the substrate surface(semiconductor side) of its separating areas by a laser method, in a state with a compound semiconductor layer existing.例文帳に追加

基板上に複数の化合物半導体素子が分離帯域を介して配列された化合物半導体素子ウェハーの製造方法であって、その分離帯域の基板表面（半導体側）に、化合物半導体層が存在する状態でレーザー法により割溝を形成することを特徴とする化合物半導体素子ウェハーの製造方法。 - 特許庁

To provide a chemical compound semiconductor substrate suited for formation of multiple different types of devices such as HBTs and FETs on a single semiconductor substrate.例文帳に追加

単一半導体基板上にＨＢＴおよびＦＥＴのような異なる種類の複数デバイスを形成するに適した化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To process and flatten the substrate surface of a Ga (gallium)-element containing compound semiconductor with high surface accuracy in a practical processing time, the compound semiconductor containing, e.g., GaN, GaAs, and GaP which have been increasingly demanded as materials of light emitting devices and electronic devices.例文帳に追加

発光デバイスや電子デバイスの材料として重要性が高まっているＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＰ等のＧａ（ガリウム）元素を含有する化合物半導体の基板表面を、実用的な加工時間で、かつ表面精度高く平坦に加工できるようにする。 - 特許庁

To provide a polishing composition used in polishing an object to be polished formed of a substrate material for optical devices, a substrate material for power devices, or a compound semiconductor material with high polishing speed.例文帳に追加

光学デバイス用基板材料、パワーデバイス用基板材料又は化合物半導体材料からなる研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an optical device which can operate on low voltage and has a micro-driving function adequate for integration with compound semiconductor devices.例文帳に追加

光デバイスに関し、低電圧動作が可能で、化合物半導体デバイスと集積化するのに好適な微小駆動機構をもつ光デバイスを実現させようとする。 - 特許庁

To manufacture easily and in a simple process nitride based III-V compound semiconductor substrates on which nitride based III-V compound semiconductor layers exhibiting a low defect density and a high quality can be grown, and to manufacture high-performance and long-life semiconductor devices by using them.例文帳に追加

欠陥密度が低い高品質の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を簡単なプロセスで容易に製造し、これを用いて高性能かつ長寿命の半導体装置を製造する。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor substrate that can form a high- resistant compound semiconductor buffer layer of reduced crystal defect on an Si substrate and can provide high-frequency devices, for example, ESFET, HEMT, or the like, of good properties formed thereon.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に結晶欠陥の少ない、高抵抗の化合物半導体バッファ層を形成し、その上に形成されるＭＥＳＦＥＴやＨＥＭＴ等の高周波デバイスにおいて良好な特性を持つ化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The heat of multiple semiconductor devices 2 is introduced to a cap 4 of high heat-conductivity, with a cooling fin 7 placed on the upper surface of the cap 4 with the heat-conductive compound 6 in between.例文帳に追加

多数の半導体デバイス２の発熱を高熱伝導性のキャップ４に導き、キャップ４上面に熱伝導性コンパウンド６を介して空冷フィン７を置く。 - 特許庁