compound semiconductor devicesとは 意味・読み方・使い方

To process and flatten the substrate surface of a Ga (gallium)-element containing compound semiconductor with high surface accuracy in a practical processing time, the compound semiconductor containing, e.g., GaN, GaAs, and GaP which have been increasingly demanded as materials of light emitting devices and electronic devices.例文帳に追加

発光デバイスや電子デバイスの材料として重要性が高まっているＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＰ等のＧａ（ガリウム）元素を含有する化合物半導体の基板表面を、実用的な加工時間で、かつ表面精度高く平坦に加工できるようにする。 - 特許庁

The compound semiconductor device wafer manufacturing method is to manufacture the compound semiconductor device wafer where a plurality of compound semiconductor devices are arranged on a substrate via separating areas and notches are formed on the substrate surface(semiconductor side) of its separating areas by a laser method, in a state with a compound semiconductor layer existing.例文帳に追加

基板上に複数の化合物半導体素子が分離帯域を介して配列された化合物半導体素子ウェハーの製造方法であって、その分離帯域の基板表面（半導体側）に、化合物半導体層が存在する状態でレーザー法により割溝を形成することを特徴とする化合物半導体素子ウェハーの製造方法。 - 特許庁

To provide a polishing composition used in polishing an object to be polished formed of a substrate material for optical devices, a substrate material for power devices, or a compound semiconductor material with high polishing speed.例文帳に追加

光学デバイス用基板材料、パワーデバイス用基板材料又は化合物半導体材料からなる研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The polishing composition contains at least abrasive grains and water and is used in polishing the object to be polished formed of the substrate material for optical devices, the substrate material for power devices, or the compound semiconductor material.例文帳に追加

本発明の研磨用組成物は、少なくとも砥粒及び水を含有し、光学デバイス用基板材料、パワーデバイス用基板材料又は化合物半導体材料からなる研磨対象物を研磨する用途で使用される。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor laminate enabling a GaN film to be formed on a Si substrate, and capable of industrially providing development of application to electronic devices such as optical devices, transistors or the like, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にＧａＮ膜を形成することを可能にし、光デバイス、トランジスタなどの電子デバイスへの応用展開を工業的に提供可能にする化合物半導体積層体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To manufacture easily and in a simple process nitride based III-V compound semiconductor substrates on which nitride based III-V compound semiconductor layers exhibiting a low defect density and a high quality can be grown, and to manufacture high-performance and long-life semiconductor devices by using them.例文帳に追加

欠陥密度が低い高品質の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を簡単なプロセスで容易に製造し、これを用いて高性能かつ長寿命の半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a heat-treatment method for extinguishing such a deposit as a polycrystal in a II-VI compound semiconductor single crystal, and to provide the II-VI compound semiconductor single crystal which is suitable for manufacturing semiconductor devices excelling in such device performances as optical, electrical, and high-frequency characteristics.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体単結晶において多結晶等の析出物を消失させるための熱処理方法、および光学特性、電気特性、高周波特性等のデバイス性能に優れた半導体装置を製造するのに適したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical compound semiconductor substrate suited for formation of multiple different types of devices such as HBTs and FETs on a single semiconductor substrate.例文帳に追加

単一半導体基板上にＨＢＴおよびＦＥＴのような異なる種類の複数デバイスを形成するに適した化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁