contact stress distributionとは 意味・読み方・使い方

A mesh inside is assumed to have a uniform or linear surface pressure distribution, and a contact surface pressure distribution on the contact surface is calculated, and a shearing stress at each mesh point set under the surface of a contact domain is determined from the contact surface pressure distribution, and further a stress amplitude and its depth are determined.例文帳に追加

メッシュ内部を均一または線形な面圧分布と仮定して、接触面の接触面圧分布を計算し、接触面圧分布から接触領域の表面下に設定したメッシュ各点の剪断応力を求め、さらに応力振幅およびその深さを求める。 - 特許庁

A solid mesh is set under the surface, and a shearing stress at each solid mesh element set under the surface of the contact domain is determined from the contact surface pressure distribution, and further a stress amplitude and its depth are determined.例文帳に追加

表面下に立体メッシュ設定して、接触面圧分布から接触領域の表面下に設定した各立体メッシュ要素の剪断応力を求め、さらに応力振幅およびその深さを求める。 - 特許庁

A stress distribution for calculating the strength H of the stress singular field near the contact end is determined by a molecular dynamic analysis, nano-indentation as an experimental technique, an X-ray stress measuring method, or a neutron diffraction stress measuring method.例文帳に追加

また、接触端近傍の応力特異場の強さＨを算出するための応力分布を、分子動力学解析、又は実験的手法としてナノインデンテーション、Ｘ線応力測定法、中性子回折応力測定法により求めた。 - 特許庁

A strength H of a stress singular field near a contact end is determined from a maximum stress distribution obtained by a finite element method, and a fatigue test result is organized by a ratio of a strength ΔH of the stress singular field and a strength ΔHc of a crack initiation critical stress singular field.例文帳に追加

接触端近傍の応力特異場の強さＨを、有限要素法から得られる最大応力分布から求めて、応力特異場の強さΔＨとき裂発生限界応力特異場の強さΔＨｃの比率で、疲労試験結果を整理した。 - 特許庁

The heat shrinkage strain to a time change ΔT is calculated on the basis of the coefficient αn of linear expansion (S37) and the analysis of viscoelasticity including contact is performed to calculate stress distribution (S38).例文帳に追加

この線膨張係数α_nにより、温度変化ΔＴに対する熱収縮歪みを求め（Ｓ３７）、接触を含む粘弾性解析を実施して応力分布を求める（Ｓ３８）。 - 特許庁

An improvement of the efficiency is estimated by modeling the housing, the junction and the spacer and simulating a stress distribution applied to the junction when the pressure is applied to the housing by a contact structural analysis in a finite element method.例文帳に追加

また、筐体と接合体とスペーサとをモデル化して、筐体に圧力を加えた際に接合体に加わる応力分布を有限要素法による接触構造解析でシミュレーションして、発電効率の向上を予測する。 - 特許庁

To provide a pressure contact type semiconductor device which can uniformize a pressure contact stress distribution within a surface of a semiconductor element, can prevent a current concentration of the semiconductor element, and can enhance electric reliability by preventing a breakdown of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子面内の圧接応力分布を均一化することができ、半導体素子の電流集中を防止することができ、半導体素子の破壊を防止することにより、電気的信頼性を向上することができる圧接型半導体装置を提供する。 - 特許庁