critical voltage methodとは 意味・読み方・使い方

To provide: a continuous critical current measurement apparatus, which can continuously measure the critical current of a superconducting tape using wheel-type current and voltage terminals without burning out the superconducting tape while continuously supplying the superconducting tape using a reel-to-reel device; and a method of measuring a continuous critical current using such an apparatus.例文帳に追加

リールツーリール装置によって超伝導線材を連続的に供給しながら、ホイールタイプの電流端子および電圧端子によって超伝導線材の損傷なしで臨界電流を連続的に測定することが可能な連続臨界電流測定装置、およびこれを用いた連続臨界電流測定方法を提供する。 - 特許庁

In a method and a device for a dynamic voltage scaling (DVS) system, actual activities and critical paths inside a microprocessor core are measured using an embedded delay checker (EDC).例文帳に追加

ダイナミック電圧スケーリング（ＤＶＳ）システムのための方法と装置は、埋め込まれた遅延チェッカー（ＥＤＣ）セルを用いてマイクロプロセッサーコア内の実際の行動とクリティカルパスを測定する。 - 特許庁

The current-voltage characteristic of the superconductor thick film is measured by changing frequency of the alternating current to measure the critical current densities a plurality of times, using the method.例文帳に追加

さらに、この方法を用い、この交流電流の周波数を変化させて臨界電流密度を複数回測定することによって、超伝導厚膜の電流・電圧特性を測定する。 - 特許庁

The operation method of the storage device includes a procedure that two or more write-in voltages higher than the initial critical voltage are set and the write-in voltages provide data values to the storage device by switching it respectively.例文帳に追加

不揮発性記憶装置の動作方法は、初期臨界電圧より高い複数の書き込み電圧を設定し、各書き込み電圧からスイッチングされた状態にデータ値を与えることを含む。 - 特許庁

To provide a method and device for evaluating a superconductor capable of accurately measuring voltage occurrence behavior by increasing the ratio to a noise component of voltage signal intensity obtained when current of a critical current value or lower is carried through the superconductor.例文帳に追加

超電導導体に臨界電流値以下の電流を通電した際に得られる電圧信号強度のノイズ成分に対する比率を向上させて電圧発生挙動を高い精度で測定することのできる超電導導体の評価方法および装置を提供する。 - 特許庁

This system includes a discrimination part 118 which discriminates whether a cell connected to a critical path has the voltage drop violation, an improvement method decision part 116 which selects an optimum one of plural relocation patterns prepared for improving the voltage drop violation and a voltage drop improvement part 117 which executes the relocation according to the selected relocation pattern.例文帳に追加

クリティカルパスに接続するセルに電圧降下違反があるか否かを判別する判別部１１８と、電圧降下違反を改善するための複数の再配置パターンの中から最適なものを選択する改善手法決定部１１６と、選択された再配置パターンに基づき再配置を行う電圧降下改善部１１７を備える。 - 特許庁

To achieve the compatibility of the reduction of critical current density J_C, the improvement in output voltage, and the prevention of malfunction in order to obtain a large capacity (exceeding G bit) MRAM by spin-transfer torque writing method MRAM (STS-MRAM), being related to a magnetic storage device and its method of operation.例文帳に追加

磁気記憶装置及びその動作方法に関し、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭ（ＳＴＳ−ＭＲＡＭ）で大容量（Ｇｂｉｔ超）ＭＲＡＭを得る為、臨界電流密度Ｊ_C の低減、出力電圧の向上及び誤動作防止の両立を実現しようとする。 - 特許庁